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1200℃滑动式单温区/双温区/三温区CVD系统

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1200℃滑动式单温区/双温区/三温区CVD系统 核心参数
仪器分类: 坩埚炉
详细介绍

产品用途:

此款CVD系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控

生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结真空淬火退火,快速降温等工艺实验。

 

产品组成:

CVD系统配置:

1.1200度开启式真空管式炉(可选配多温区)。

2.滑动系统分为手动、电动滑动,并配有风冷系统。

3.多路质量流量控制系统

4.真空系统(可选配中真空或高真空)    

 

产品特点:

1 控制电路选用模糊PID程控技术,该技术控温精度高,热惯性小,温度不过冲,性能可靠,操作简单。

2 气路快速连接法兰结构采用本公司独有的知识产权ZG设计,提高操作便捷性。

3 中真空系统具有真空度上下限自动控制功能,高真空系统采用高压强,耐冲击分子泵,防止意外漏气造成分子泵损坏,延长系统使用寿命。

4 (电动)滑动系统采用温度控制器自动控制炉体移动,等程序完成,炉体按设定的速度滑动,因有滑动限位功能炉体不会发生碰撞,待样品露出炉体后,通过风冷系统快速降温。

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