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滨松Si APD S14644-02

联系方式:滨松客服400-074-6866

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详细介绍

高速,紧凑的Si APD,适用于800 nm波段,具有低偏置操作

该款Si APD适用于检测900 nm波段的光,适用于光学测距。 该产品与上一代产品(S10341系列)具有相同的形状,但是性能上有更大的提升,击穿电压变化小,暗电流降低以及存储能力宽展和工作温度稳定。


产品特性

● 小型封装:3.1 × 1.8 × 1.0t mm

● 峰值灵敏度波长:800 nm (M=100)  

● 低偏置操作:击穿电压= 180 V max.

● 高速响应:截止频率=1.2 GHz typ. (λ=800 nm, M=100)

● 击穿电压变化减小:160±20 V

详细参数

类型High-speed type (for 800 nm, Low bias operation)
感光面积φ0.2 mm
封装Plastic
封装类型Surface mount type
峰值灵敏度波长(典型值)800 nm
光谱响应范围400 to 1000 nm
灵敏度(典型值)0.52 A/W
暗电流(最大值)0.3 nA
截止频率(典型值)1200 MHz
结电容(典型值)0.6 pF
击穿电压(典型值)160 V
击穿电压温度系数(典型值)0.63 V/℃
增益(典型值)100
测试条件Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=800 nm, M=1

光谱响应

3.png

外形尺寸(单位:mm)

4.png


产品优势
Si 雪崩光电二极管在紫外以及近红外的低光检测中具有高速、高灵敏度的特点。
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