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InGaAs线阵图像传感器 G14237-512WA
- 品牌:日本滨松
- 型号: G14237-512WA
- 产地:日本
- 供应商报价: 面议
- 滨松光子学商贸(中国)有限公司 更新时间:2024-02-04 13:42:48
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企业性质生产商
入驻年限第9年
营业执照已审核
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联系方式:滨松客服400-074-6866
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- 详细介绍
- 详细参数
图像尺寸 12.8 x 0.5 mm 像素尺寸 25 x 250 μm 像素间距 50 μm 像数个数 512 pixels 封装 Metal 冷却方式 Two-stage TE-cooled 线性率 (最大值) 9150 lines/s 光谱响应范围 850 to 1450 nm 测量条件 unless otherwise noted, Typ. Ta=25 ℃,Vdd=5 V,INP=Vinp=PDN=4 V,Fref=1.2V,Vclk=5V,f=1 MHz, CE=16 nV/e- 光谱响应外形尺寸(单位:mm)相关下载Infrared detectors / Selection guide [2.99 MB/PDF]
InGaAs photodiode / Selection guide [3.35 MB/PDF]
Opto-semiconductors / Safety consideration [34 KB/PDF]
Image sensors / Selection guide [2.64 MB/PDF]
Image sensors / Precautions [621 KB/PDF]
- 产品优势
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近红外传感器(0.85至1.45μm)
G14237-512WA是一款InGaAs线性图像传感器,为1064 nm激光拉曼光谱测量而设计。 专门用于测量拉曼光谱范围,截止波长相比之前的产品(G11508-512SA)已有所降低,从而降低了暗电流。 该产品由InGaAs光电二极管阵列和由电荷放大器,偏移补偿电路,移位寄存器和定时发生器组成的CMOS芯片组成。 电荷放大器由CMOS晶体管阵列组成,并连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素。由于每个像素的信号都是以电荷积分模式读取的,因此这款传感器在近红外区域拥有高灵敏度和稳定的工作状态。封装采用气密密封,使产品具有出色的可靠性。 此外,通过使用外部电压可将CMOS芯片上的信号处理电路设为四种转换效率(CE)设置之一。
产品特征
● 低噪音,极低的暗电流
[为之前产品的1/10或更少(截止波长:1.7μm)]● 有四种转换效率类型可供选择
● 内置饱和对抗电路
● 内置CDS电路
● 内置热敏电阻
● 操作简便(内置定时发生器)
● 高分辨率:25μm间距
- 技术资料
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