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InGaAs线阵图像传感器 G14237-512WA

联系方式:滨松客服400-074-6866

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详细介绍
详细参数
图像尺寸12.8 x 0.5 mm
像素尺寸25 x 250 μm
像素间距50 μm
像数个数512 pixels
封装Metal
冷却方式Two-stage TE-cooled
线性率 (最大值)9150 lines/s
光谱响应范围850 to 1450 nm
测量条件unless otherwise noted, Typ. Ta=25 ℃,Vdd=5 V,INP=Vinp=PDN=4 V,Fref=1.2V,Vclk=5V,f=1 MHz, CE=16 nV/e-


光谱响应

外形尺寸(单位:mm)

相关下载

Infrared detectors / Selection guide [2.99 MB/PDF]

InGaAs photodiode / Selection guide [3.35 MB/PDF]

Opto-semiconductors / Safety consideration [34 KB/PDF]

Image sensors / Selection guide [2.64 MB/PDF]

Image sensors / Precautions [621 KB/PDF]

产品优势

近红外传感器(0.85至1.45μm)

G14237-512WA是一款InGaAs线性图像传感器,为1064 nm激光拉曼光谱测量而设计。 专门用于测量拉曼光谱范围,截止波长相比之前的产品(G11508-512SA)已有所降低,从而降低了暗电流。 该产品由InGaAs光电二极管阵列和由电荷放大器,偏移补偿电路,移位寄存器和定时发生器组成的CMOS芯片组成。 电荷放大器由CMOS晶体管阵列组成,并连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素。由于每个像素的信号都是以电荷积分模式读取的,因此这款传感器在近红外区域拥有高灵敏度和稳定的工作状态。封装采用气密密封,使产品具有出色的可靠性。 此外,通过使用外部电压可将CMOS芯片上的信号处理电路设为四种转换效率(CE)设置之一。


产品特征

● 低噪音,极低的暗电流
   [为之前产品的1/10或更少(截止波长:1.7μm)]

● 有四种转换效率类型可供选择

● 内置饱和对抗电路

● 内置CDS电路

● 内置热敏电阻

● 操作简便(内置定时发生器)

● 高分辨率:25μm间距


技术资料
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