NMC ICP反应离子刻蚀机（用于介质薄膜）

一、反应离子刻蚀机产品简介：

反应离子刻蚀机主要用于介质薄膜干法刻蚀，包括SiO2、Si3N4、SiON、SiC等。

二、反应离子刻蚀机技术参数：

1.气体种类：O2、CF4、CHF3、SF6、BCl3等

2.基片尺寸：zui大支持8英寸，并向下兼容6、5、4、3、2英寸等以及破片

3.射频电源     ICP电源：13.56MHz，1400W; 偏压电源：13.56MHz，800W

4.工艺温度：10℃到80℃可控

5.传送模式：自动Loadlock传送系统

公司主要研发、制造和销售的检测仪器有：电压击穿试验仪、高压漏电起痕试验仪、耐电弧试验仪、铁电材料测试仪器、介电常数及介质损耗测试仪、表面及体积电阻率测试仪、压电材料测试仪器、热电材料测试仪器、绝缘材料电性能检测设备、高温管式炉\反射炉\气氛炉、高温电性能测试设备、EST静电检测仪器、硅橡胶\绝缘子行业测试设备、PCB\三防漆电子材料测试、电气薄膜电学检测仪器、高低压电气材料测试设备、电线电缆行业电学测试设备、高分子材料电学测试仪器、热分析仪器、电气安规检测仪器、半导体芯片类测试仪器等，可接定制仪器订单。