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μMLA桌面无掩模光刻机

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详细介绍

μMLA桌面无掩模光刻机

 

桌面型光刻机μMLA   技术参数


直写模式 I*直写模式 II*
写入性能(光栅扫描和矢量曝光模式)

最小结构尺寸 [μm]0.61
最小线宽/线隙 [半宽, μm]0.81.5

第二层对准

大于 5 x 5 mm2 [3σ, nm]

500500

第二层对准

大于  50 x 50 mm2 [3σ, nm]

10001000
直写性能 光栅扫描曝光模

线宽变代 [3σ, nm]200300
最 大直写速率 [mm2/min]1030

可选“可变分辨率光栅扫描曝光模块”的写入速度(UMVAR),

适用于不同最小结构尺寸。

 10 mm²/min

  at 0.6 µm

 30 mm²/min

 at 1 µm


20 mm²/min

 at 1 µm

60 mm²/min

 at 2 µm


25 mm²/min

at 2 µm

 

100 mm²/min

  at 4 µm

矢量曝光模式直写写性能

矢量模式下的地址网格 [nm]2020
边缘粗糙度 [3σ, nm]3050
线宽变化 [3σ, nm]7080
最 大线性直写速率200 mm/s200 mm/s
系统参数

最 大衬底尺寸5″ x 5″5″ x 5″
最小衬底尺寸

 

5 mm x 5 mm

 

5 mm x 5 mm

基板厚度0.1 to 12 mm0.1 to 12 mm

光栅扫描模块矢量曝光模块
光源LED; 390 nm or 365 nmLaser; 405 nm and/or 375 nm



 

 

系统尺寸(光刻单元)

 

µMLAWidthDepthHeightWeight
主机630 mm (25″)800 mm (31.5″)530mm (21″)100 kg (220 lbs)
可选配防振表1400mm (55″)700 mm (28″)750 mm (30″)350 kg (770 lbs)

 

 

无掩模光刻机于2015年首次推出。从那时起,先进的无掩膜技术已经确立。μMLA提供了新一代的桌面激光光刻工具:  配置设置精确到您的需要与光栅扫描和矢量扫描模式(或两者)和可变分辨率的记录磁头。

 

在许多应用中,传统的光掩膜已经成为过去,因为你的设计文件是通过二维空间光直接暴露在电阻涂层晶圆上的调制器(SLM)。µMLA是MLA100的直接继承者,是“小”MLA150,是我们先进的无掩模对准器的兄弟,它是许多多用户设备、纳米制造实验室和国家研究所中值得信赖、不可或缺的主力。

   

在我们全新的入门级系统µMLA的开发过程中,我们引入了诸如可变解决方案等新特性,并创建了一个灵活且高度可定制的桌面系统。当然,小样本处理很简单。µMLA功能保留了以前的桌面系统优点,同时提供更多的选择和更高的性能比以往任何时候。

应用包括研究和发展的领域,如MEMS,微流体,微光学和所有其他领域,负担得起,紧凑,和强大的模式基因rator微结构是必需的。

 

APPLICATIONS 应用程序

微光学:二元衍射光学元件。设计由1个µm²正方形组成。

μMLA提供了一个标准的灰度模式,这可以制造低创造的微镜头。防蚀胶:15 μm厚AZ4562。节距30 μm,曲率半径16 μm。

CUSTOMIZE YOUR μMLA 定制您的μMLA

 

两种曝光模式

μMLA可以让你选择光栅扫描曝光模式和矢量模式,或者甚至在同一个系统上运行曝光模式! 光栅扫描曝光模式快速,并提供优秀的图像质量和保真度,而写入时间独立于结构尺寸或图案密度。矢量扫描模式可以帮助暴露由曲线组成的设计,当需要平滑的轮廓。虽然矢量模式产生的图像质量与光栅扫描曝光模式相似,但它不能达到同样的写入速度,特别是对于高填充系数的模式。

 

A Choice of Wavelengths 波长的选择

因此,你可以在一个系统上使用多达三个不同波长(LED和/或激光二极管)。

 

Variable Resolution 可变分辨率

我们新开发的可变分辨率函数允许您为一个部分的编写模式选择三种不同的分辨率。只需在软件菜单中选择解决方案,并为您的应用程序优化参数。

 

The Surface at One Glance

可选的概述相机提供了一种简单的方法来定位对准标记或其他特征感兴趣的基板上。

 

Small Sample Handling 小样本处理

小样品处理是直接与μMLA:    光学自动对焦选项允许准确曝光,直到样品的边缘。

 




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