分享 收藏

SOI单片集成 9bit 可调光时延线芯片

品牌：四川超光通信
产地：四川绵阳
供应商报价：面议

四川超光通信有限公司更新时间：2025-01-23 08:46:29

销售范围售全国

入驻年限第5年

营业执照已审核

同类产品硅基芯片(7件)

立即扫码咨询

联系方式：400-822-6768

联系我们时请说明在仪器网（www.yiqi.com）上看到的!

扫码分享

为您推荐

SOI单片集成 9bit 可调光时延线芯片核心参数

波长

1550nm

位数

产品特点

SOI单片集成 9bit 可调光时延线芯片片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术，是目前综合性能和集成度最高的光时延器产品。

详细介绍

硅基单片集成 9bit 可调光时延线芯片

〖简介Introduction〗

单片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术，是目前综合性能和集成度光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构，芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路，延时切换时间达到 200ns 以下，总时延量 1022ps；延时精度 0.5ps，片内单级延时损耗低至 0.8dB/bit。相比于传统采用微波传输线的电时延芯片，光时延器可以适用任意的微波和毫米波频段，具有极低的串扰非目标时延信号消光比。时延 1ns 的 9bit 可调光延时芯片尺寸小至 2cm×1.5cm，大幅度减小系统体积；由于光载波频率相对于微波信号大至 4 个数量级的频率比，光子集成的时延器芯片具有覆盖从米波到毫米波全频段的信号处理能力，适合各类超宽带相控阵的波束合成应用。

〖特性Features〗

n 高速切换（100～200ns）

n 高延时精度（0.5ps 典型值，0.2ps 可达）

n 超小尺寸

n 超宽带工作

n 全固态波导芯片可靠性强

n 大时延范围(～2ns 可达)

n 高功率耐受度（ 23dBm 典型值）

应用Applications〗

n 光控相控阵系统、超宽带光域信号处理

〖主要性能指标 Specifications〗

性能指标/Parameter	单位/Unit	典型值/Typ.	备注/Notes
工作波长/Operationwavelength	nm	1530-1570
延时位数/Delay bits	/	9	可定制/Can be customized
最小延时步进/Min.step-delay	ps	2	可定制/Can be customized
可调节延时量/Adjustable max.delay	ps	1022
延时精度	ps	±0.5	≤16ps 延时量
		±1	18~64ps 延时量
		±2	66~512ps 延时量
		±3	514~1022ps 延时量
延时切换时间/Delay switching time	ns	200
插入损耗/Insertion loss	dB	11	13dB max
各延时态损耗差异/Delay state loss difference	dB	±1
耐受光功率	dBm	23	26dBm max
回波损耗/Return loss	dB	45
芯片尺寸/Chip dimension	mm	20×15×0.7