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上海伯东美国考夫曼公司KRI 离子源总代理
- 品牌:美国KRI
- 货号:
- 产地:德国
上海伯东是美国考夫曼公司 KRI 离子源大中华地区总代理,离子源发明人 Dr.Kaufman 考夫曼博士 1960 年发明离子源并将此ZL授权 VEECO 生产,1978 年 Dr.Kaufman 博士在美国自行创立考夫曼公司 Kaufman & Robinson.Inc (KRI) 生产离子源.2014年 VEECO 宣布关闭旗下离子源部分生产工厂美国考夫曼公司 KRI 离子源历经 30 年改良及发展已取得多项ZL,型号包含考夫曼离子源 Gridded Ion Beam Source;霍尔离子源
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IG2型离子源
- 品牌:美国RBD Instruments
- 货号: IG2型
- 产地:美国
※ 广泛应用于微电子、半导体、材料等领域;一般应用在溅 射清洗 /表面准备、表面科学、MBE 、高真空溅射过程 中。 ※ 典型应用是氩离子溅射清洗表面。 ※ 离子束辅助沉积。 ※ 离子束溅射清洗。 ※ 反应离子刻蚀。
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俄歇电子能量谱组件
- 品牌:美国RBD Instruments
- 货号:
- 产地:美国
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等离子体原子/离子源
- 品牌:美国RBD Instruments
- 货号:
- 产地:美国
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IG2型离子源 / 氩枪
- 品牌:美国RBD Instruments
- 货号:
- 产地:美国
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上海伯东美国KRI 考夫曼离子源 eH 200
- 品牌:美国KRI
- 货号:
- 产地:美国
KRI 考夫曼离子源 eH 200,系列离子源结合是圆柱式及线性配置的离子枪(ion source), 这些配置可以整合至多种真空工艺平台, 包含镀膜机, 传送腔体, 卷绕式镀膜机, 磁控溅射机, 连续式镀膜机, 我们提供一套完整的方案包含离子源(ion source), 电子中和器, 电源供应器(Compact Power Supply), 流量控制器 (MFC), 等等KRI Ion Source eH 系列离子源应用eH 系列离子源是应用在标准或新型材料工艺, eH 系列产品科技可以在指定能量,
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上海伯东KRI 考夫曼离子源 RPICP 200
- 品牌:美国KRI
- 货号:
- 产地:美国
KRI Ion Source RFICP 200, Gridded RF Ion SourceKRI Ion Source RFICP 200 是一款大型的有栅极离子源,离子能量范围 100~1000 eV,非常适合于典型的离子束辅助沉积和离子束刻蚀。特有的大面积束源和高密度使它能够满足一些极端的工艺并获得高的均匀性。因此 RFICP 200 被广泛应用在大型离子辅助的盒式镀膜机和较大尺寸 wafer的离子刻蚀系统。KRI Ion Source 有栅极离子源RFICP 200 产品参数ModelRFIC
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上海伯东KRI 考夫曼离子源 RPICP 140
- 品牌:美国KRI
- 货号:
- 产地:美国
KRI Ion Source RFICP 140, Gridded RF Ion SourceKRI Ion Source RFICP 140 是一款紧凑的有栅极离子源,非常适合于离子束溅射沉积、离子辅助沉积和离子束刻蚀。在离子束溅射工艺中,离子源配有离子光学元件,可以很好的控制离子束去溅射靶材,实现wan美的薄膜特性。同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中,**的离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务。就标准的型号而言,可以在离子能量为 100~1000 eV 范围内获得很高的离子密度。KRI
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美国 KRI 线性霍尔离子源 eH Linear
- 品牌:美国KRI
- 货号: 0
- 产地:美国
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 线性离子源使用 eH 400 做为模组, 能应用于宽范围的衬底, 离子源长度高达 1 米, 通过严格调整模组间的距离可以实现zui佳的均匀性和离子流. 由于模组是平行放置, 大大简化了气体, 功率和电子三者的分布.KRI 线性离子源使用标准的端部霍尔模组并使设备的需求简化, 一个低成本, 高电流和低能量的离子束可以很好的使用于
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美国 KRI 霍尔离子源 eH 400
- 品牌:美国KRI
- 货号: 0
- 产地:美国
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.尺寸: 直径= 3.7“ 高= 3”放电电压 / 电流: 50-300eV 操作气体: Ar, Xe, Kr
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美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 10
- 品牌:美国KRI
- 货号: 0
- 产地:美国
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 考夫曼离子源 KDC 10, 宽束栅网离子源,最小型号的离子源, 离子束可选聚焦/ 平行/ 散射. 适用于已知的所有离子源应用.离子束流: >10 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: 灯丝, 流量 (Typical flow): 1-5 sccm.加热灯丝产生电子, 增强设计输出高质量, 稳定的电子流.离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.无需水冷,
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美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 40
- 品牌:美国KRI
- 货号: 0
- 产地:美国
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 考夫曼离子源 (栅网离子源) KDC40. 离子束可选聚焦/ 平行/ 散射. 适用于已知的所有离子源应用.离子束流: >100 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: 灯丝, 流量 (Typical flow): 2-10 sccm.加热灯丝产生电子, 增强设计输出高质量, 稳定的电子流.离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.无需水冷, 降低安装要求并排除
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美国 KRI 射频离子源 RFICP 380
- 品牌:美国KRI
- 货号: 0
- 产地:美国
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 离子源, 100%原厂原装进口.KRI 射频离子源 RFICP 380 属于大面积射频离子源, 离子束流: >1500 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000.离子束可聚焦, 平行, 散射.采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长.离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.通入气体可选 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others.美
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大面积射频离子源 RFICP 380
- 品牌:美国KRI
- 货号: 0
- 产地:美国
价格电议美国 KRI 大面积射频离子源 RFICP 380 特性:1. 放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长. 2kW & 1.8 MHz, 射频自动匹配2. 离子源结构模块化设计3. 自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行4. 栅极材质钼和石墨,坚固耐用5. 中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性6. 通气 Ar, O2, N2, others 7. 离子束流: 电
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上海伯东代理美国进口考夫曼离子源
- 品牌:美国KRI
- 货号: 0
- 产地:美国
价格电议美国 KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列上海伯东美国原装进口考夫曼离子源 KDC 系列, 加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 增强设计输出高质量,稳定的电子流.美国 KRI 考夫曼公司新升级 Gridded KDC 系列离子源, 新的特性包含自对准离子光学和开关式电源控制. 考夫曼离子源 KDC 系列包含多种不同尺寸的离子源满足各类应用. 考夫曼离子源 KDC 提供一套完整的方案包含考夫曼离子源, 电子中和器, 电源供应器等等可以直接整合在各类真空设备中, 例如实验室小型
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上海伯东KRI 考夫曼离子源 RFICP 200 HO
- 品牌:美国KRI
- 货号:
- 产地:美国
KRI 考夫曼离子源 RFICP 200 HOKRI Ion Source RFICP 200 HO 是一款大型的有栅极离子源,能够产生高密度的离子束,特别是在 1000 eV 或稍低的能量下获得极高密度的离子束,因此合适于像离子辅助沉积和离子束刻蚀这样的低能量的工艺。因为尺寸的大型化,使它更适用于较大覆盖区域和较高均匀性的要求,因此广泛应用在大型离子辅助的盒式镀膜机和较大尺寸 wafer 的离子刻蚀系统。KRI Ion Source 有栅极离子源RFICP 200 HO, Gridded RF Ion
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美国 KRI 霍尔离子源 eH 1000
- 品牌:美国KRI
- 货号: 0
- 产地:美国
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 1000 高xiao气体利用, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合中型真空系统. 属于无栅网离子源. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”放电电压 / 电流: 50-300V / 10A操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体伯东 K
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美国 KRI 霍尔离子源 eH 3000
- 品牌:美国KRI
- 货号: 0
- 产地:美国
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 3000 适合大型真空系统, 与友厂大功率离子源对比, eH 3000 是目前市场上高/效, 提供高离子束流的无栅网离子源.尺寸: 直径= 9.7“ 高= 6“放电电压 / 电流: 50-300V / 20A操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体伯东 KRI 霍尔离子源 eH 3000&
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美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160
- 品牌:美国KRI
- 货号: 0
- 产地:美国
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 考夫曼离子源 KDC 160. 属于栅网离子源, 离子束可选聚焦/ 平行/ 散射. 适用于已知的所有离子源应用.离子束流: >650 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: 灯丝, 流量 (Typical flow): 2-30 sccm.加热灯丝产生电子, 增强设计输出高质量, 稳定的电子流.离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.无需水冷, 降低安装要求并排除腔体
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美国 KRI 射频离子源 RFICP 40
- 品牌:美国KRI
- 货号: 0
- 产地:美国
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 射频离子源 RFICP 40, 离子束可选聚焦/ 平行/ 散射.KRI 射频离子源 RFICP 40 属于大面积射频离子源, 离子束流: >100 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000; 流量 (Typical flow): 3-10 sccm.采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长.离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.适用于集成
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美国 KRI 射频离子源 RFICP 140
- 品牌:美国KRI
- 货号: 0
- 产地:美国
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 射频离子源 RFICP 140 是一款紧凑的有栅网离子源, 离子束可选聚焦, 平行, 散射.离子束流: >600 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000. 采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长, 更适合时间长的工艺要求. 提供高密度离子束, 满足高工艺需求.离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束
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美国 KRI 射频离子源 RFICP220
- 品牌:美国KRI
- 货号: 0
- 产地:美国
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 射频离子源 RFICP 220, 大面积高能量栅网离子源.离子束流: >800 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000; 流量(Typical flow): 10-40 sccm; 压力: < 0.5m Torr离子束可聚焦, 平行, 散射.采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长.通入气体可选 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2
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上海伯东代理射频离子源 RFICP 220
- 品牌:美国KRI
- 货号: 0
- 产地:美国
价格电议KRI 射频离子源 RFICP 220上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 射频离子源 RFICP 220 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下射频离子源 RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA.KRI
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上海伯东 KRI 射频离子源 RFICP 140
- 品牌:美国KRI
- 货号: 0
- 产地:美国
价格电议KRI 射频离子源 RFICP 140上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 140 是一款紧凑的有栅极离子源, 非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀. 在离子束溅射工艺中,射频离子源 RFICP 140 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 就标准的型号而言, 可以在离子能量为 100~1000 eV 范围内获得很高的离子密度.KRI 射频
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上海伯东代理射频离子源 RFICP 100
- 品牌:美国KRI
- 货号: 0
- 产地:美国
价格电议KRI 射频离子源 RFICP 100上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 100 紧凑设计, 适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 >400 mA 离子流. 考夫曼型离子源 RFICP 100 源直径19cm 安装在10”CF 法兰, 在离子溅镀时, 离子源配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现薄膜特性. 在离子刻蚀工艺中, 离子源与离子光学配合, 蚀刻更均匀. 标准配置下 RFICP 100 离子能量范围 100 至 1200ev
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美国 KRI 霍尔离子源 eH 2000
- 品牌:美国KRI
- 货号: 0
- 产地:美国
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 2000 特别适合大中型真空系统, 带有水冷方式, 低成本设计提供高离子电流. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 15/A操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体美国 K
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美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 75
- 品牌:美国KRI
- 货号: 0
- 产地:美国
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 考夫曼离子源 KDC 75, 紧凑栅网离子源, 离子束可选聚焦/ 平行/ 散射.离子束流: >250 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: 灯丝.加热灯丝产生电子, 增强设计输出高质量, 稳定的电子流.考夫曼离子源 KDC 75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用.离子束直径 14 cm ,可安装在 8“CF法兰.离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.伯东美国
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KRI 考夫曼离子源 KDC 100
- 品牌:美国KRI
- 货号: 0
- 产地:美国
上海伯东代理美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 100, 属于中型规格栅网离子源. 离子束可选聚焦/ 平行/ 散射.离子束流: >400 mA; 离子动能: 100-1200 V; 流量: 2-20 sccm; 中和器: 灯丝.采用双阴极灯丝和自对准栅网.加热灯丝产生电子, 增强设计输出高质量, 稳定的电子流.离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.通入气体可选 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others
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美国 KRI 射频离子源 RFICP 140
- 品牌:美国KRI
- 货号: 0
- 产地:美国
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 射频离子源 RFICP 140 是一款紧凑的有栅网离子源, 离子束可选聚焦, 平行, 散射.离子束流: >600 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000. 采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长, 更适合时间长的工艺要求. 提供高密度离子束, 满足高工艺需求.离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束
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上海伯东代理 KRI 射频离子源 RFICP 40
- 品牌:美国KRI
- 货号: 0
- 产地:美国
价格电议KRI 射频离子源 RFICP 40上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射频离子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内. 离子源 RFICP 40 设计采用创新的栅极技术用于研发和开发应用. 离子源 RFICP 40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用. 标准配置下 RFICP 40 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.射频离子源 RFICP 40 特性:
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KRI 射频离子源 RFICP 系列
- 品牌:美国KRI
- 货号: 0
- 产地:美国
价格电议KRI 射频离子源 RFICP 系列 上海伯东美国 KRI 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频源 RFICP 系列提供完整的套装, 套装包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 射频离子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等.射频离子源 RFICP 系列技术参数:型号RFICP 40RFICP 100RFICP 140RFIC
- 离子源
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