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Nikon NSR-I12 I线步进式光刻机
品牌:尼康
型号:Nikon NSR-I12
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OAI 2012SM 自动化边缘曝光系统
品牌:美国OAI
型号:OAI 2012SM
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无掩膜光刻机 激光直写系统
品牌:韩国MIDAS
型号:MLW-100
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荷兰4PICO 激光直写光刻机 PicoMaster200
品牌:荷兰4PICO
型号:4PICOPicoMaster200
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美国恩科优N&Q系列光刻机8006
品牌:美国恩科优
型号:N&Q8006
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KLOE 微流控芯片光刻机/曝光机 UV-KUB系列
- 品牌:北京燕京
- 型号: UV-KUB系列
- 产地:法国
法国KLOE公司在光刻方面有着丰富的经验,其研发的UV- KUB系列光刻机是一种基于UV LED的曝光机系统,结构紧凑,可以直接放置在实验台上,能够处理zuida直径4英寸的晶圆,兼容硬接触(接触式)或者软接触(接近式)工艺,可自动调整掩膜高度以适应不同的基板厚度,可使用365 nm或405 nm的光源,不需要预热,也不需要单独的冷却单元。另外,UV-KUB系列先进的设计,保证了光源的准直性和均匀性,其zui小分辨率可达2μm,zuida发散角小于2° 本系统适用于市面上常用的光刻胶,如AZ系列、Shipley系列、SU-8系列和K-CL系列。
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全自动光刻机
- 品牌:韩国MIDAS
- 型号: MDA-12SA
- 产地:韩国
MDA-12SA型曝光机是一款MIDAS公司新开发的产品,代表了下一代全区域光刻系统。这一新型半自动化对准曝光平台具有更高的重复光刻精度以及更可靠的操作,非常适合陶瓷及其他探针卡应用,同时MDA-12SA型半动化光罩对准曝光机具有更高的生产能力和容易操控。
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半自动光刻机
- 品牌:韩国MIDAS
- 型号: MDA-400M, MDA-60MS
- 产地:韩国
光源强度可控
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SMEE 600系列光刻机 —— IC前道制造
- 品牌:上海品测
- 型号: SMEE 600
- 产地:嘉定区
SSX600系列步进扫描投影光刻机采用四倍缩小倍率的投影物镜、工艺自适应调焦调平技术,以及自减振六自由度工件台掩模台技术,可满足IC前道制造90nm、110nm、280nm关键层和非关键层的光刻工艺需求。该设备可用于8寸线或12寸线的大规模工业生产。
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SMEE 500系列光刻机 —— IC后道先进封装
- 品牌:上海品测
- 型号: SMEE 500
- 产地:嘉定区
SSB500系列步进投影光刻机主要应用于200mm/300mm集成电路封装领域,包括Flip Chip、Fan-In WLP、Fan-Out WLP和2.5D/3D等封装形式,可满足Bumping、RDL和TSV等制程的晶圆级光刻工艺需求。
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SMEE 300系列光刻机 —— LED、MEMS、Power Devices
- 品牌:上海品测
- 型号: SMEE 300
- 产地:嘉定区
SSB300系列步进投影光刻机面向6英寸以下中小基底光刻应用领域,满足HB-LED、MEMS和Power Devices等领域单面或双面光刻工艺需求。
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SMEE 200系列光刻机—TFT曝光
- 品牌:上海品测
- 型号: SMEE 200
- 产地:嘉定区
SSB200系列投影光刻机采用投影光刻机平台技术,用于AM-OLED和LCD显示屏TFT电路制造,可应用于2.5代~6代的TFT显示屏量产线。该系列设备具备高分辨率、高套刻精度等特性,支持6英寸掩模,显著降低用户使用成本。
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无掩模光刻机,激光直写系统
- 品牌:韩国MIDAS
- 型号: 无
- 产地:韩国
光刻工艺是半导体工艺最关键的步骤之一,用于图形定义,直接决定半导体整线 工艺的水平。
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MIDAS匀胶机及显影机
- 品牌:韩国MIDAS
- 型号: -
- 产地:韩国
光刻工艺是半导体工艺最关键的步骤之一,用于图形定义,直接决定半导体整线 工艺的水平。
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MIDAS光刻机
- 品牌:韩国MIDAS
- 型号: 无
- 产地:韩国
光刻工艺是半导体工艺最关键的步骤之一,用于图形定义,直接决定半导体整线 工艺的水平。
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苏州华维纳 HWN-L1新型纳米激光直写系统
- 品牌:苏州华维纳
- 型号: HWN-L1
- 产地:苏州
HWN-L1新型纳米激光直写系统是一款大面积、高精度、可套刻、超衍射极限加工的激光直写系统,可用于晶圆尺寸的大面积微纳加工,适用于各种微纳结构和器件制造、小批量微纳器件生产等。该系列包括L50、L100等不同型号,具有功能强大、维护简单、加工分辨率高、支持多种刻写模式、支持多种受体材料等特征。
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苏州华维纳 HWN-L2新型纳米激光直写系统
- 品牌:苏州华维纳
- 型号: HWN-L2
- 产地:苏州
HWN-L2新型纳米激光直写系统是一款大面积、高精度、可套刻、超衍射极限加工的激光直写系统,可用于晶圆尺寸的大面积微纳加工,适用于各种微纳结构和器件制造、小批量微纳器件生产等。该系列包括L50、L100等不同型号,具有功能强大、维护简单、加工分辨率高、支持多种刻写模式、支持多种受体材料等特征。
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苏州华维纳 HWN-L4 新型纳米激光直写系统
- 品牌:苏州华维纳
- 型号: HWN-L4
- 产地:苏州
HWN-L4新型纳米激光直写系统是一款大面积、高精度、可套刻、超衍射极限加工的激光直写系统,可用于晶圆尺寸的大面积微纳加工,适用于各种微纳结构和器件制造、小批量微纳器件生产等。该系列包括L50、L100等不同型号,具有功能强大、维护简单、加工分辨率高、支持多种刻写模式、支持多种受体材料等特征。
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苏州华维纳 HWN-L6新型纳米激光直写系统
- 品牌:苏州华维纳
- 型号: HWN-L6
- 产地:苏州
HWN-L6新型纳米激光直写系统是一款大面积、高精度、可套刻、超衍射极限加工的激光直写系统,可用于晶圆尺寸的大面积微纳加工,适用于各种微纳结构和器件制造、小批量微纳器件生产等。该系列包括L50、L100等不同型号,具有功能强大、维护简单、加工分辨率高、支持多种刻写模式、支持多种受体材料等特征。
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苏州华维纳 HWN-L8新型纳米激光直写系统
- 品牌:苏州华维纳
- 型号: HWN-L8
- 产地:苏州
HWN-L8新型纳米激光直写系统是一款大面积、高精度、可套刻、超衍射极限加工的激光直写系统,可用于晶圆尺寸的大面积微纳加工,适用于各种微纳结构和器件制造、小批量微纳器件生产等。该系列包括L50、L100等不同型号,具有功能强大、维护简单、加工分辨率高、支持多种刻写模式、支持多种受体材料等特征。
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苏州华维纳 纳米激光直写系统型号
- 品牌:苏州华维纳
- 型号: 10
- 产地:苏州
纳米激光直写系统型号是一款大面积、高精度、可套刻、超衍射极限加工的激光直写系统,可用于晶圆尺寸的大面积微纳加工,适用于各种微纳结构和器件制造、小批量微纳器件生产等。该系列包括L50、L100等不同型号,具有功能强大、维护简单、加工分辨率高、支持多种刻写模式、支持多种受体材料等特征。
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无掩膜数字光刻机 MCML-110A
- 品牌:上海筱晓
- 型号: MCML-110A
- 产地:黄浦区
波长 365nm ZD帧 100mm x 100mm 分辨率 1.0um 灰度光刻 64 levels ZD曝光量 500mJ/cm2 对准精度
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无掩膜数字光刻机 MCML-120A
- 品牌:上海筱晓
- 型号: MCML-120A
- 产地:黄浦区
波长 365nm ZD帧 100mm x 100mm 分辨率 500nm 灰度光刻 128 levels ZD曝光量 2000mJ/cm2 对准精度
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荷兰SCIL全自动纳米压印光刻机
- 品牌:瑞士SCIL
- 型号: AutoSCIL
- 产地:瑞士
荷兰SCIL公司简介 荷兰SCIL公司是知名的纳米压印设备供应商,是荷兰飞利浦公司投资的高科技公司之一,其“SCIL基底保形压印”技术,结合了小面积硬压与大面积软压的优势,真正意义上实现了纳米压印技术的工业12寸wafer级量产,已经被国际上很多知名fab厂采用。 “SCIL基底保形压印光刻”是一种经济高效、稳健、高产量的工艺,可在多种材料上实现纳米分辨率图案。SCIL可实现在达 300 毫米的晶圆区域上提供经过验证的
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荷兰SCIL科研级纳米压印光刻机
- 品牌:瑞士SCIL
- 型号: LabSCIL
- 产地:瑞士
荷兰SCIL公司简介 荷兰SCIL公司是知名的纳米压印设备供应商,是荷兰飞利浦公司投资的高科技公司之一,“SCIL基底保形压印光刻”技术,结合了小面积硬压与大面积软压的优势,真正意义上实现了12寸晶圆高质量无基底损伤保形的纳米压印,已成功用于12寸量产线,已经被国际上很多知名fab厂采用。 “SCIL基底保形压印光刻”是一种经济高效、稳健、高产量的工艺,可在多种材料上实现纳米分辨率图案。SCIL可实现在达 300 毫米
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DaLI无掩膜纳米光刻机
- 品牌:北京艾锐斯
- 型号: DaLI
- 产地:海淀区
采用AOD激光操控技术,光斑定位精度优于1nm,高精度套刻对准,结构边缘超平滑,可轻松构建1微米以下线宽结构。 先进的AOD激光操控技术,使得DaLI具有超高的激光定位精度(优于1nm),超长的有效寿命,以及极高的稳定性。DaLI主要适用于广泛应用于MEMS、材料科学、微流控、微光学器件及其它微纳加工领域。
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M系列光束笔尖阵列光刻系统
- 品牌:美国Tera print
- 型号: M
- 产地:加拿大
聚合物笔无掩模光刻纳米制造系统(polymer pen lithography)聚合物笔纳米无掩模光刻制造系统PPL, 使用可达160000笔尖的阵列,采用蘸笔光刻DPN的方式,将待沉积的材料(墨水)浸蘸在笔尖阵列上,笔尖可控的与基底表面接触,从而在基底表面批量成型所需图案,加工纳米微米图案无需光掩膜,且在平方厘米范围内达到200纳米以下的分辨率,可应用于纳米粒子合成,蛋白阵列,单细胞排布,纳米电路构造、生物芯片、化学检测、微尺度催化反应、分子马达等领域。此设备在国际上属于基于聚合物笔光刻(PPL)技术的纳米制造系统,PPL技术是美国Tera-print公司独有的技术。
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中芯热成精密光刻机
- 品牌:中芯热成
- 型号: ZXRC-PH-01
- 产地:通州区
本设备是我公司专门针对各大、专院校及科研单位研发使用的一种精密光刻机,主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件的研制和生产。
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德国Osiris湿法刻蚀系统
- 品牌:德国Osiris
- 型号: CHEMIXX E 30PM
- 产地:德国
产品简介CHEMIXX E 30 (掩模)光掩模或晶圆蚀刻 (E) 系统该蚀刻和清洁系统旨在为工业用户提供高效且安全的系统。 此外,低生命周期成本 (LCC) 是我们推荐此设备的一个很好的理由。该工具具有易于操作的用户界面,具有所有需要的功能,如配方编程、服务、维护和用户管理。 在该系统的设计和构建中,非常重视安全性和用户友好性。产品特色÷ 人工装卸半自动化系统÷ 面罩尺寸(方形衬底)高达 230 x 230&n
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瑞士idonus紫外光刻曝光机
- 品牌:瑞士idonus
- 型号: UV-EXP
- 产地:瑞士
瑞士idonus提出了一种创新的紫外线照明系统,该系统基于大功率LED和高级微透镜阵列的使用。该产品可用于光致抗蚀剂曝光,适用于多种基材。我们完整的UV照明产品线可满足300 mm宽的掩模和晶圆的光刻需求。可以设计定制的解决方案来满足您的特定要求(例如,对掩模对准器进行改造,为将来的产品提供OEM)。LED的好处直到最近,水银弧光灯能够提供适合UV光刻曝光的高强度光的光源。由于LED技术的进步,UV-LED已成为耗能汞灯的极具吸引力的替代品。除了生态和安全方面,与传统的汞灯相比,UV-LED的技术优势
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三轴混合式激光刻印机
- 品牌:日本基恩士
- 型号: MD-X
- 产地:日本
激光刻印机用镜头聚集光线,进行刻印。因此,如果焦点偏移,可能导致刻印不良。 MD-X 系列在刻印头内部配备测距传感器。通过测量与补偿焦点到待刻印区域的长度,可始终进行没有焦点偏移的刻印。
- 激光刻蚀机
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