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背照式CCD面阵传感器 S10747-0909
品牌:日本滨松
型号:S10747-0909
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NMOS线性图像传感器 S3901-512FX
品牌:日本滨松
型号:S3901-512FX
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放射性原位监测传感器
品牌:青岛水德
型号:X
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日本KYORITSU(共立) KEW 8148钳形传感器
品牌:日本共立
型号:KEW 8148
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日本KYORITSU(共立) MODEL 8128钳形传感器
品牌:日本共立
型号:MODEL 8128
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铟镓砷线阵图像传感器 G10768-1024D
- 品牌:日本滨松
- 型号: G10768-1024D
- 产地:日本
高线速率、1024像素近红外(0.9 to 1.7 um)图像传感器 G10768-1024D是一款为异物筛选和YL分析等高速线速率应用而设计的1024通道高速红外图像传感器。信号处理电路应用CTIA(容性互阻抗放大器),可以在通过采样保持电路进行全像素积分的同时进行信号读出。通过8个输出端口,确保了高速线速率。产品特性● 高线速率:zuida39000 lines/s● 高数据率:典型值5 MHz,zuida值6.67 MHz● 4中转换效率可选● 集成时序产生器 ● 低暗电流● 室温工作
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铟镓砷线阵图像传感器 G10768-1024DB
- 品牌:日本滨松
- 型号: G10768-1024DB
- 产地:日本
高线速率、1024像素近红外(0.9 to 1.7 um)图像传感器 G10768-1024DB 是一款为异物筛选和YL分析等高速线速率应用而设计的1024通道高速红外图像传感器。信号处理电路应用CTIA(容性互阻抗放大器),可以在通过采样保持电路进行全像素积分的同时进行信号读出。通过8个输出端口,确保了高速线速率。产品特性● 高线速率:zuida39000 lines/s● 高数据率:典型值5 MHz,zuida值6.67 MHz● 4中转换效率可选● 集成时序产生器 ● 低暗电流● 室温工作
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铟镓砷线阵图像传感器 G11135-512DE
- 品牌:日本滨松
- 型号: G11135-512DE
- 产地:日本
线阵(512像素)近红外(0.95 to 1.7 μm)图像传感器 G11135系列是为异物检测设备而设计的铟镓砷线阵图像传感器。该传感器由铟镓砷二极管阵列和CMOS芯片组成,CMOS芯片内部包含电荷放大阵列、偏执补偿电路、移位寄存器和时序产生器。铟镓砷二极管阵列和CMOS芯片由铟球连接。电荷放大阵列是把铟镓砷二极管阵列的每个像素和CMOS晶体管连接而形成的。每个像素的信号在电荷积分模式下读出,因此获得了近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级的转换效率(CE),以满足不同的应用需要。产品特性● 线阵(512像素)● 高速数据率:zuida5 MHz● 两种转换率可选● 像素尺寸:25×25μm● 内置温度传感器● 像素之间的线性度差异小● 低成本
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铟镓砷线阵图像传感器 G9494-256D
- 品牌:日本滨松
- 型号: G9494-256D
- 产地:日本
高速数据率近红外(0.9 to 1.7 um)图像传感器 滨松公司为在线异物检测设备提供高速度的近红外图像传感器。该传感器使用四方形像素,非常适合模式识别中的软件处理。其信号处理电路使用CTIA(电容转移阻抗放大器),以使所有像素同时进行电荷积分,所以像素输出信号没有延时。产品特性● 高速数据率:典型值2 MHz● 转换增益可选(Cf=0.1 pF, 1 pF)● 集成CMOS读出电路● 低暗电流● 室温操作
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铟镓砷线阵图像传感器 G9494-512D
- 品牌:日本滨松
- 型号: G9494-512D
- 产地:日本
高速数据率近红外(0.9 to 1.7 um)图像传感器 滨松公司为在线异物检测设备提供高速度的近红外图像传感器。该传感器使用四方形像素,非常适合模式识别中的软件处理。其信号处理电路使用CTIA(电容转移阻抗放大器),以使所有像素同时进行电荷积分,所以像素输出信号没有延时。产品特性● 高速数据率:典型值2 MHz● 转换增益可选(Cf=0.1 pF, 1 pF)● 集成CMOS读出电路● 低暗电流● 室温操作
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铟镓砷面阵图像传感器 G11097-0606S
- 品牌:日本滨松
- 型号: G11097-0606S
- 产地:日本
适用于二维红外成像的64 × 64像素图像传感器 G11097-0606S具有由一个CMOS读出电路(ROIC,读出集成电路)和背照式铟镓砷光电二极管组成的混合型结构。每个像素都是由一个铟镓砷光电二极管和一个ROIC通过铟突起电气连接组成的。ROIC内部的时序产生器使得仅仅通过外部数字输入主时钟和主开始信号,就可以获得模拟图像输出和AD-TRIG输出。该器件有64×64个像素,间距为50um,信号从一个视频线中读出。入射到铟镓砷光电二极管上的光被转换为电信号,再通过铟突起输入ROIC。 ROIC中的电信号通过电荷放大器被转换为电压信号,然后通过移位寄存器从视频线中顺序读出。该器件为TO-8密封封装,内含一级TE制冷,成本低,稳定性高。产品特性● 通过偏置补偿,获得出色线性度● 灵敏度:1600 nV/e-● 全像素同步积分(全局快门模式)● 操作简单(内置时序产生器)● 一级TE制冷● 低成本
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铟镓砷面阵图像传感器 G12242-0707W
- 品牌:日本滨松
- 型号: G12242-0707W
- 产地:日本
适用于二维红外成像的128 ×128像素图像传感器 G12242-0707W具有由一个CMOS读出电路(ROIC,读出集成电路)和背照式铟镓砷光电二极管组成的混合型结构。每个像素都是由一个铟镓砷光电二极管和一个ROIC通过铟突起电气连接组成的。ROIC内部的时序产生器使得仅仅通过外部数字输入主时钟和主开始信号,就可以获得模拟图像输出和AD-TRIG输出。该器件有128×128个像素,间距为20μm,信号从一个视频线中读出。入射到铟镓砷光电二极管上的光被转换为电信号,再通过铟突起输入ROIC。 ROIC中的电信号通过电荷放大器被转换为电压信号,然后通过移位寄存器从视频线中顺序读出。该器件为TO-8密封封装,内含二级TE制冷,成本低,稳定性高。产品特性● 光谱响应范围:0.95~1.7μm● 灵敏度:1μV/e-● 帧率:zuida258 fps,可选全局快门和卷帘快门模式● 操作简单(内置时序产生器)● 二级TE制冷● 低成本
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铟镓砷面阵图像传感器 G12460-0606S
- 品牌:日本滨松
- 型号: G12460-0606S
- 产地:日本
适用于二维红外成像的64 × 64像素图像传感器 G12460-0606S具有由一个CMOS读出电路(ROIC,读出集成电路)和背照式铟镓砷光电二极管组成的混合型结构。每个像素都是由一个铟镓砷光电二极管和一个ROIC通过铟突起电气连接组成的。ROIC内部的时序产生器使得仅仅通过外部数字输入主时钟和主开始信号,就可以获得模拟图像输出和AD-TRIG输出。该器件有64×64个像素,间距为50um,信号从一个视频线中读出。入射到铟镓砷光电二极管上的光被转换为电信号,再通过铟突起输入ROIC。 ROIC中的电信号通过电荷放大器被转换为电压信号,然后通过移位寄存器从视频线中顺序读出。该器件为TO-8密封封装,内含一级TE制冷,成本低,稳定性高。产品特性● 通过偏置补偿,获得出色线性度● 光谱响应范围:1.12~1.9μm● 灵敏度:1600 nV/e-● 全像素同步积分(全局快门模式)● 操作简单(内置时序产生器)● 一级TE制冷● 低成本
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铟镓砷线阵图像传感器 G11620-128DA
- 品牌:日本滨松
- 型号: G11620-128DA
- 产地:日本
线阵(512像素)近红外(0.95 to 1.7 μm)图像传感器 G11620系列是为近红外多通道光谱仪而设计的铟镓砷线阵图像传感器。CMOS芯片内部包含电荷放大器、移位寄存器和时序产生器。与包括两片CMOS信号处理芯片的传统铟镓砷线性图像传感器不同,G11620系列通过将CMOS芯片与铟镓砷二极管阵列凹凸连接只使用一个CMOS芯片。这种结构降低了奇数像素和偶数像素间通常存在的视频输出差异。电荷放大阵列是把铟镓砷二极管阵列的每个像素和CMOS晶体管连接而形成的。每个像素的信号在电荷积分模式下读出,因此获得了近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级的转换效率,以满足不同的应用需要。产品特性● 低噪声,低暗电流● 两种转换率可选● 抗饱和电路● CDS电路● 内置温度传感器● 操作简单(通过内置时序产生器)● 高分辨率:25μm 间距
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铟镓砷线阵图像传感器 G11620-256DF
- 品牌:日本滨松
- 型号: G11620-256DF
- 产地:日本
线阵(256像素)近红外(0.95 to 1.7 μm)图像传感器 G11620系列是为近红外多通道光谱仪而设计的铟镓砷线阵图像传感器。CMOS芯片内部包含电荷放大器、移位寄存器和时序产生器。与包括两片CMOS信号处理芯片的传统铟镓砷线性图像传感器不同,G11620系列通过将CMOS芯片与铟镓砷二极管阵列凹凸连接只使用一个CMOS芯片。这种结构降低了奇数像素和偶数像素间通常存在的视频输出差异。电荷放大阵列是把铟镓砷二极管阵列的每个像素和CMOS晶体管连接而形成的。每个像素的信号在电荷积分模式下读出,因此获得了近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级的转换效率,以满足不同的应用需要。产品特性● 低噪声,低暗电流● 两种转换率可选● 抗饱和电路● CDS电路● 内置温度传感器● 操作简单(通过内置时序产生器)● 高分辨率:25μm 间距
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铟镓砷线阵图像传感器 G11620-256DA
- 品牌:日本滨松
- 型号: G11620-256DA
- 产地:日本
线阵(512像素)近红外(0.95 to 1.7 μm)图像传感器 G11620系列是为近红外多通道光谱仪而设计的铟镓砷线阵图像传感器。CMOS芯片内部包含电荷放大器、移位寄存器和时序产生器。与包括两片CMOS信号处理芯片的传统铟镓砷线性图像传感器不同,G11620系列通过将CMOS芯片与铟镓砷二极管阵列凹凸连接只使用一个CMOS芯片。这种结构降低了奇数像素和偶数像素间通常存在的视频输出差异。电荷放大阵列是把铟镓砷二极管阵列的每个像素和CMOS晶体管连接而形成的。每个像素的信号在电荷积分模式下读出,因此获得了近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级的转换效率,以满足不同的应用需要。产品特性● 低噪声,低暗电流● 两种转换率可选● 高速数据率:zuida1 MHz● 抗饱和电路● CDS电路● 内置温度传感器● 操作简单(通过内置时序产生器)●高分辨率:25μm 间距
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铟镓砷线阵图像传感器 G11135-256DD
- 品牌:日本滨松
- 型号: G11135-256DD
- 产地:日本
线阵(256像素)近红外(0.95 to 1.7 μm)图像传感器G11135系列是为异物检测设备而设计的铟镓砷线阵图像传感器。该传感器由铟镓砷二极管阵列和CMOS芯片组成,CMOS芯片内部包含电荷放大阵列、偏执补偿电路、移位寄存器和时序产生器。铟镓砷二极管阵列和CMOS芯片由铟球连接。电荷放大阵列是把铟镓砷二极管阵列的每个像素和CMOS晶体管连接而形成的。每个像素的信号在电荷积分模式下读出,因此获得了近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级的转换效率(CE),以满足不同的应用需要。产品特性● 线阵(256像素)● 高速数据率:zuida5 MHz● 两种转换率可选● 像素尺寸:50 × 50 μm● 内置温度传感器● 像素之间的线性度差异小● 低成本
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铟镓砷线阵图像传感器 G11608-256DA
- 品牌:日本滨松
- 型号: G11608-256DA
- 产地:日本
宽光谱响应范围,近红外(0.5~1.7 μm)图像传感器G11608系列是为近红外多通道光谱仪而设计的铟镓砷线阵图像传感器。G11608系列包括对短波长增强灵敏度的铟镓砷光电二极管阵列和内部包含电荷放大器、移位寄存器和时序产生器的CMOS芯片。电荷放大阵列是把铟镓砷二极管阵列的每个像素和CMOS晶体管连接而形成的。每个像素的信号在电荷积分模式下读出,因此获得了近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级的转换效率(CE),以满足不同的应用需要。产品特性● 宽光谱响应范围(0.5~1.7 μm)● 低噪声● 两种转换效率可选● 抗饱和电路● CDS电路-内置热敏电阻● 操作简单(内置时序产生器)
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铟镓砷线阵图像传感器 G11608-512DA
- 品牌:日本滨松
- 型号: G11608-512DA
- 产地:日本
宽光谱响应范围,近红外(0.5~1.7 μm)图像传感器G11608系列是为近红外多通道光谱仪而设计的铟镓砷线阵图像传感器。G11608系列包括对短波长增强灵敏度的铟镓砷光电二极管阵列和内部包含电荷放大器、移位寄存器和时序产生器的CMOS芯片。电荷放大阵列是把铟镓砷二极管阵列的每个像素和CMOS晶体管连接而形成的。每个像素的信号在电荷积分模式下读出,因此获得了近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级的转换效率(CE),以满足不同的应用需要。产品特性● 宽光谱响应范围(0.5~1.7 μm)● 低噪声● 两种转换效率可选● 抗饱和电路● CDS电路● 内置热敏电阻● 操作简单(内置时序产生器)
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铟镓砷线阵图像传感器 G11620-256SA
- 品牌:日本滨松
- 型号: G11620-256SA
- 产地:日本
线阵近红外(0.95~1.7 μm)图像传感器 制冷型,单视频线:256像素G11620系列是为近红外多通道光谱仪而设计的铟镓砷线阵图像传感器。CMOS芯片内部包含电荷放大器、移位寄存器和时序产生器。与包括两片CMOS信号处理芯片的传统铟镓砷线性图像传感器不同,G11620系列通过将CMOS芯片与铟镓砷二极管阵列凹凸连接只使用一个CMOS芯片。这种结构降低了奇数像素和偶数像素间通常存在的视频输出差异。电荷放大阵列是把铟镓砷二极管阵列的每个像素和CMOS晶体管连接而形成的。每个像素的信号在电荷积分模式下读出,因此获得了近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级的转换效率(CE),以满足不同的应用需要。产品特性● 低噪声,低暗电流● 两种转换率可选● 抗饱和电路● CDS电路● 内置温度传感器● 操作简单(通过内置时序产生器)
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铟镓砷线阵图像传感器 G13393-0808W
- 品牌:日本滨松
- 型号: G13393-0808W
- 产地:日本
320 × 256像素二维红外图像传感器G13393-0808W具有由CMOS读出电路(ROIC:读出集成电路)和背照式铟镓砷光电二极管组成的混合结构。每个像素由通过铟凸块电连接的铟镓砷光电二极管和ROIC组成。系列是为近红外多通道光谱仪而设计的铟镓砷线阵图像传感器。ROIC中的定时发生器提供模拟视频输出和AD-TRIG输出,它们是仅通过数字输入获得的。G13393-0808W传感器具有以20μm间距排列的320×256像素,且信号从视频线读出。入射在铟镓砷光电二极管上的光转换成电信号,然后通过铟凸块将其输入到ROIC。ROIC中的电信号转换为电压信号,通过移位寄存器从视频线顺序输出。G13393-0808W和两级热电冷却器气密密封在金属封装中,以稳定工作。产品特性● 光谱响应范围:0.95~1.7 μm● 高灵敏度:1 uV/e-● 帧速率:228 fps max.● 全快门模式● 操作简单(内置时序产生器)● 两级TE制冷
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铟镓砷面阵图像传感器 G13393-0909W
- 品牌:日本滨松
- 型号: G13393-0909W
- 产地:日本
640 × 512像素二维红外图像传感器G13393-0909W具有由CMOS读出电路(ROIC:读出集成电路)和背照式铟镓砷光电二极管组成的混合结构。每个像素由通过铟凸块电连接的铟镓砷光电二极管和ROIC组成。系列是为近红外多通道光谱仪而设计的铟镓砷线阵图像传感器。ROIC中的定时发生器提供模拟视频输出和AD-TRIG输出,它们是仅通过数字输入获得的。G13393-0909W传感器具有以20μm间距排列的640×512像素,且信号从视频线读出。入射在铟镓砷光电二极管上的光转换成电信号,然后通过铟凸块将其输入到ROIC。ROIC中的电信号转换为电压信号,通过移位寄存器从视频线顺序输出。G13393-0909W和两级热电冷却器气密密封在金属封装中,以稳定工作。产品特性● 光谱响应范围:0.95~1.7 μm● 高灵敏度:1 uV/e-● 帧速率:62 fps max.● 全快门模式● 操作简单(内置时序产生器)● 两级TE制冷
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InGaAs线阵图像传感器 G13913-256FG
- 品牌:日本滨松
- 型号: G13913-256FG
- 产地:日本
适用于便携式分析仪器的近红外图像传感器 该产品为设计用于便携式分析仪器的紧凑、低成本的近红外线阵图像传感器。其耗电量较前序产品更低(DIP封装产品:G11620 系列)。其采用了极为紧凑的LCC封装及柔性线路板,因此十分适合集成入紧凑轻便的设备中。 产品特性● 紧凑(带柔性线路板) ● 3.3 V驱动● 低成本 ● 256像素(25 × 250 μm/pixel) ● 两级转换功率可选 ● 内置抗饱和电路 ● 操作简单(内置时序发生器) ● 高分辨率:25 μm pitch
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InGaAs线性图像传感器 G11508-512SA
- 品牌:日本滨松
- 型号: G11508-512SA
- 产地:日本
近红外传感器(0.9至1.67μm)G11508系列是一款InGaAs线性图像传感器,专为近红外多通道分光光度计而设计。 这些线性图像传感器包括InGaAs光电二极管阵列和电荷放大器,偏移补偿电路,移位寄存器和在CMOS芯片上形成的定时发生器。 电荷放大器配置有CMOS晶体管阵列,并被连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素。 由于每个像素的信号都是以电荷积分模式读取的,因此这款传感器在近红外区域拥有高灵敏度和稳定的工作状态。 与以前的产品相比,这些传感器在高增益时具有更高的数据速率和更好的线性特性。 封装采用气密密封,可靠性。 CMOS芯片上的信号处理电路能够通过借助外部电压使得从两种可用类型中选择合适的转换效率(CE)成为可能。产品特性● 低噪音,低暗电流● 可从两种转换效率类型中选择● 内置饱和对抗电路● 内置CDS电路● 内置热敏电阻● 操作简便(内置定时发生器)● 高分辨率:25μm间距
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InGaAs线性图像传感器 G11475-512WB
- 品牌:日本滨松
- 型号: G11475-512WB
- 产地:日本
近红外传感器(0.9至2.05μm)G11475至G11478系列是一款InGaAs线性图像传感器,专为近红外多通道分光光度计而设计。 这些线性图像传感器包括InGaAs光电二极管阵列和电荷放大器,偏移补偿电路,移位寄存器和在CMOS芯片上形成的定时发生器。 电荷放大器配置有CMOS晶体管阵列,并被连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素。 由于每个像素的信号都是以电荷积分模式读取的,因此这款传感器在近红外区域拥有高灵敏度和稳定的工作状态。 与以前的产品相比,这些传感器在高增益时具有更高的数据速率和更好的线性特性。 封装采用气密密封,可靠性。 CMOS芯片上的信号处理电路能够通过借助外部电压使得从两种可用类型中选择合适的转换效率(CE)成为可能。产品特性● 低噪音,低暗电流● 可从两种转换效率类型中选择● 内置饱和对抗电路● 内置CDS电路● 内置热敏电阻● 补偿电路● 操作简便(内置定时发生器)● 高分辨率:25μm间距
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InGaAs线性图像传感器 G11478-512WB
- 品牌:日本滨松
- 型号: G11478-512WB
- 产地:日本
近红外传感器(0.9至2.05μm) G11475至G11478系列是一款InGaAs线性图像传感器,专为近红外多通道分光光度计而设计。 这些线性图像传感器包括InGaAs光电二极管阵列和电荷放大器,偏移补偿电路,移位寄存器和在CMOS芯片上形成的定时发生器。 电荷放大器配置有CMOS晶体管阵列,并被连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素。 由于每个像素的信号都是以电荷积分模式读取的,因此这款传感器在近红外区域拥有高灵敏度和稳定的工作状态。 与以前的产品相比,这些传感器在高增益时具有更高的数据速率和更好的线性特性。 封装采用气密密封,可靠性。 CMOS芯片上的信号处理电路能够通过借助外部电压使得从两种可用类型中选择合适的转换效率(CE)成为可能。产品特性● 低噪音,低暗电流● 可从两种转换效率类型中选择● 两种可选的转换效率● 内置饱和对抗电路● 内置CDS电路● 内置热敏电阻● 操作简便(内置定时发生器)● 高分辨率:25μm间距
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InGaAs线性图像传感器 G11508-256SA
- 品牌:日本滨松
- 型号: G11508-256SA
- 产地:日本
近红外传感器(0.9至2.05μm) G11508 系列是一款InGaAs线性图像传感器,专为近红外多通道分光光度计而设计。 这些线性图像传感器包括InGaAs光电二极管阵列和电荷放大器,偏移补偿电路,移位寄存器和在CMOS芯片上形成的定时发生器。 电荷放大器配置有CMOS晶体管阵列,并被连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素。 由于每个像素的信号都是以电荷积分模式读取的,因此这款传感器在近红外区域拥有高灵敏度和稳定的工作状态。 与以前的产品相比,这些传感器在高增益时具有更高的数据速率和更好的线性特性。 封装采用气密密封,可靠性。 CMOS芯片上的信号处理电路能够通过借助外部电压使得从两种可用类型中选择合适的转换效率(CE)成为可能。产品特性● 低噪音,低暗电流●可从两种转换效率类型中选择● 内置饱和对抗电路● 内置CDS电路● 内置热敏电阻● 操作简便(内置定时发生器)● 高分辨率:25μm间距
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InGaAs线阵图像传感器 G14237-512WA
- 品牌:日本滨松
- 型号: G14237-512WA
- 产地:日本
近红外传感器(0.85至1.45μm) G14237-512WA是一款InGaAs线性图像传感器,为1064 nm激光拉曼光谱测量而设计。 专门用于测量拉曼光谱范围,截止波长相比之前的产品(G11508-512SA)已有所降低,从而降低了暗电流。 该产品由InGaAs光电二极管阵列和由电荷放大器,偏移补偿电路,移位寄存器和定时发生器组成的CMOS芯片组成。 电荷放大器由CMOS晶体管阵列组成,并连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素。由于每个像素的信号都是以电荷积分模式读取的,因此这款传感器在近红外区域拥有高灵敏度和稳定的工作状态。封装采用气密密封,使产品具有出色的可靠性。 此外,通过使用外部电压可将CMOS芯片上的信号处理电路设为四种转换效率(CE)设置之一。产品特征● 低噪音,极低的暗电流 [为之前产品的1/10或更少(截止波长:1.7μm)]● 有四种转换效率类型可供选择● 内置饱和对抗电路● 内置CDS电路● 内置热敏电阻● 操作简便(内置定时发生器)● 高分辨率:25μm间距
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InGaAs线阵图像传感器 G9203-256DA
- 品牌:日本滨松
- 型号: G9203-256DA
- 产地:日本
用于DWDM波长监视器的图像传感器 G9203-256DA是一款InGaAs线性图像传感器,专为光通信中的WDM监控探测器而设计。 该线性图像传感器包含CMOS电荷放大器阵列,CDS电路,偏移补偿电路,移位寄存器和定时发生器,以及InGaAs光电二极管阵列,并在近红外范围内提供高灵敏度和稳定操作。 封装采用气密密封,可靠性高,光输入窗口采用抗反射涂层,提高了光检测效率。 CMOS芯片上的信号处理电路允许通过外部电压选择两个转换效率(CE)。 当图像传感器在CE = 16nV / e-下操作时,可以获得宽动态范围,而在CE = 320nV / e-时可以获得高增益。产品特征 ● 宽动态范围● 低噪音和低暗电流● 两种可选的转换效率● 抗饱和电路● CDS电路● 偏移补偿电路● 操作简单(内置定时发生器)● 低串扰● 256 ch:1 video line
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InGaAs线性图像传感器 G9204-512DA
- 品牌:日本滨松
- 型号: G9204-512DA
- 产地:日本
用于DWDM波长监视器的图像传感器 G9204-512DA是一款InGaAs线性图像传感器,专为光通信中的WDM监控探测器而设计。该线性图像传感器包含CMOS电荷放大器阵列,CDS电路,偏移补偿电路,移位寄存器和定时发生器,以及InGaAs光电二极管阵列,并在近红外范围内提供高灵敏度和稳定操作。封装采用气密密封,可靠性高,光输入窗口采用抗反射涂层,提高了光检测效率。 CMOS芯片上的信号处理电路允许通过外部电压选择两个转换效率(CE)。当图像传感器在CE = 16nV / e-下操作时,可以获得宽动态范围,而在CE = 320nV / e-时可以获得高增益。产品特征 ● 宽动态范围● 低噪音和低暗电流● 两种可选的转换效率● 抗饱和电路● CDS电路● 偏移补偿电路● 操作简单(内置定时发生器)● 高分辨率:25微米间距(512 ch)● 低串扰● 512 ch:2 video lines
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InGaAs线阵图像传感器 G11620-512SA
- 品牌:日本滨松
- 型号: G11620-512SA
- 产地:日本
线阵(512像素)近红外(0.95 to 1.7 μm)图像传感器 G11620系列是为近红外多通道光谱仪而设计的铟镓砷线阵图像传感器。CMOS芯片内部包含电荷放大器、移位寄存器和时序产生器。与包括两片CMOS信号处理芯片的传统铟镓砷线性图像传感器不同,G11620系列通过将CMOS芯片与铟镓砷二极管阵列凹凸连接只使用一个CMOS芯片。这种结构降低了奇数像素和偶数像素间通常存在的视频输出差异。电荷放大阵列是把铟镓砷二极管阵列的每个像素和CMOS晶体管连接而形成的。每个像素的信号在电荷积分模式下读出,因此获得了近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级的转换效率,以满足不同的应用需要。产品特性● 低噪声,低暗电流● 两种转换率可选● 抗饱和电路● CDS电路● 内置温度传感器● 操作简单(通过内置时序产生器)● 高分辨率:25μm 间距
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InGaAs线阵图像传感器 G14006-512DE
- 品牌:日本滨松
- 型号: G14006-512DE
- 产地:日本
单视频线(512像素)近红外图像传感器(1.12至1.9μm) G14006-512DE InGaAs线性图像传感器专为异物检测设备而设计。 线性图像传感器由InGaAs光电二极管阵列和CMOS芯片组成,其包含电荷放大器阵列,偏移补偿电路,移位寄存器和定时发生器。 InGaAs光电二极管阵列和CMOS芯片通过铟凸块导电连接。 电荷放大器阵列由连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素的CMOS晶体管组成。 在电荷积分模式下读出来自每个像素的信号,以在近红外光谱范围内实现高灵敏度和稳定操作。 CMOS芯片上的信号处理电路提供两级转换效率(CE)以供选择,根据应用要求可通过调整外部电压进行选择。产品特性● 单视频线(512像素)● 高速数据速率:zuida5 MHz● 两个转换效率级别可供选择● 像素大小:25×25μm● 内置温度传感器● 像素之间线性度的变化很微小● 室温操作
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InGaAs面阵图像传感器 G13544-01
- 品牌:日本滨松
- 型号: G13544-01
- 产地:日本
为二维红外成像研发的192×96像素的图像传感器 G13544-01的结构为混合结构,包括CMOS读取电路(ROIC:读取集成电路)和背照式InGaAs光电二极管。 每个像素由InGaAs光电二极管和通过铟凸块导电连接的ROIC构成。 ROIC中的定时发生器提供模拟视频输出和AD-TRIG输出,这些输出仅通过提供数字输入获得.G13544-01具有以50μm间距排列的192×96像素。 入射在InGaAs光电二极管上的光被转换成电信号,然后通过铟凸块输入到ROIC。 ROIC中的电信号被转换成电压信号,然后由移位寄存器从视频线顺序输出。 G13544-01采用金属封装密封,并配有两级热电冷却器,可维持稳定的操作。产品特性● 光谱响应范围:1.12至1.9微米● 高灵敏度:1600 nV / e-● 帧速率:zuida867 fps。● 全局快门模式● 操作简单(内置定时发生器)● 两级TE冷却
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InGaAs线性图像传感器 G11477-256WB
- 品牌:日本滨松
- 型号: G11477-256WB
- 产地:日本
近红外传感器(0.9到2.15μm)G11475 - G11478系列是一种用于近红外多通道分光光度法的InGaAs线性图像传感器。这些线性图像传感器由InGaAs光电二极管阵列和电荷放大器、偏移补偿电路、移位寄存器和CMOS芯片上形成的定时发生器组成。电荷放大器配置有CMOS晶体管阵列,并连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素。由于每个像素的信号都是在电荷集成模式下读取的,因此在近红外区域具有较高的灵敏度和稳定性。这些传感器具有更高的数据速率和更好的线性特性在高增益比以往的产品。该包装是密封的,提供了优良的可靠性。CMOS芯片上的信号处理电路可以使用外部电压从两种类型中选择转换效率(CE)。产品特性● 低噪音,低暗电流● 可从两种转换效率类型中选择● 内置饱和对策电路● 内置cd电路● 操作简单(内置定时发生器)
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InGaAs线性图像传感器 G11477-512WB
- 品牌:日本滨松
- 型号: G11477-512WB
- 产地:日本
近红外传感器(0.9到2.15μm)G11475 - G11478系列是一种用于近红外多通道分光光度法的InGaAs线性图像传感器。这些线性图像传感器由InGaAs光电二极管阵列和电荷放大器、偏移补偿电路、移位寄存器和CMOS芯片上形成的定时发生器组成。电荷放大器配置有CMOS晶体管阵列,并连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素。由于每个像素的信号都是在电荷集成模式下读取的,因此在近红外区域具有较高的灵敏度和稳定性。这些传感器具有更高的数据速率和更好的线性特性在高增益比以往的产品。该包装是密封的,提供了优良的可靠性。CMOS芯片上的信号处理电路可以使用外部电压从两种类型中选择转换效率(CE)。产品特性● 低噪音,低暗电流● 可从两种转换效率类型中选择● 内置饱和对策电路● 内置cd电路● 操作简单(内置定时发生器)● 高分辨率:25μm音高
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InGaAs线阵图像传感器 G14714-1024DK
- 品牌:日本滨松
- 型号: G14714-1024DK
- 产地:日本
1024 pixels,高帧频近红外传感器(0.95至1.7μm)G14714-1024DK是专为异物检测而设计的InGaAs线阵图像传感器。 CMOS芯片由电荷放大器,移位寄存器和时钟发生器组成。 电荷放大器与CMOS晶体管阵列配置在一起,并耦合到InGaAs光电二极管阵列的每个像素上。 由于以电荷积分模式读取来自每个像素的信号,因此在宽光谱响应范围内可获得高灵敏度和高稳定输出。 芯片电路提供4档可选增益,客户可以根据需求选择**档位。产品特点● 高帧频:zui高40000 lines/s● 高数据传输速率:zuida15 MHz● 四档增益可供选择● 内置时钟发生器● 内置温度传感器● 室温操作即可
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前照式CCD线阵传感器 S11151-2048
- 品牌:日本滨松
- 型号: S11151-2048
- 产地:日本
紫外波段高灵敏度,前照式CCD S11151-2048尽管是前照式CCD,但是其在紫外波段(200 nm)的灵敏度接近背照式CCD。产品特性● 紫外波段高灵敏度(光谱响应范围:200 to 1000 nm)● 图像延迟:典型值 0.1% ● 低暗电流● 低成本
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背照式CCD面阵传感器 S11850-1106
- 品牌:日本滨松
- 型号: S11850-1106
- 产地:日本
降低标准具效应、象元温度恒温控制 S11850-1106/11851-1106是适用于分光光度测量的背照式CCD。有两种类型可选择,一种是低噪声类型(S11850-1106),一种是高速型 (S11851-1106),它们都降低了标准具效应。从紫外到近红外波段,它们具有几乎平滑的光谱响应特性,还有着高量子效率。封装内部有热电制冷器,可以保持象元温度在工作时恒定(约5摄氏度)。
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背照式CCD面阵传感器 S11851-1106
- 品牌:日本滨松
- 型号: S11851-1106
- 产地:日本
降低标准具效应、象元温度恒温控制 S11850-1106/11851-1106是适用于分光光度测量的背照式CCD。两种类型可选,一种是低噪声类型(S11850-1106),一种是高速型 (S11851-1106),它们都降低了标准具效应。从紫外到近红外波段,它们具有几乎平滑的光谱响应特性,还有着高量子效率。封装内部有热电制冷器,可以保持象元温度在工作时恒定(约5摄氏度)。
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背照式CCD线阵传感器 S11155-2048-02
- 品牌:日本滨松
- 型号: S11155-2048-02
- 产地:日本
带电子快门功能的背照式CCD传感器 S11155-2048-02 是一款适用于分光光度测定的带电子快门功能的背照式CCD传感器。该传感器采用电阻栅结构,实现高速传输。像素的纵向尺寸满足分光光度计的要求,同时保证了读出时低图像延迟,比前一代产品(S11155-2048-02)减少了几乎10个量级。产品特性● 内置电子快门 ● zui小积分时间:2 μs ● 紫外波段高灵敏度(200~100nm) ● zui快读出速度:10 MHz ● 典型图像延迟:0.1%
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背照式CCD线阵传感器 S11156-2048-02
- 品牌:日本滨松
- 型号: S11156-2048-02
- 产地:日本
带电子快门功能的背照式CCD传感器 S11156-2048-02 是一款适用于分光光度测定的带电子快门功能的背照式CCD传感器。该传感器采用电阻栅结构,实现高速传输。像素的纵向尺寸满足分光光度计的要求,同时保证了读出时低图像延迟,比前一代产品几乎减少了10个量级。产品特性 ● 内置电子快门 ● zui小积分时间:2 μs ● 紫外波段高灵敏度(200~100nm)● zui快读出速度:10 MHz ● 典型图像延迟:0.1%
- 行业专用传感器
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