椭偏仪/椭圆偏振仪

供应商：优尼康科技有限公司

全自动化&高集成度&可视化光斑 操作简单，测试快速，为一般操作工人设计 新型的全自动薄膜测量分析工具可在几秒钟内完成全自动测量和分析，并输出分析报告。是用于快速薄膜测量和器件质量控制理想的解决方案。

供应商：致东光电科技（上海）有限公司

上海致东全光谱椭偏仪

供应商：致东光电科技（上海）有限公司

第一台国人自行开发 波长范围：360nm-950nm 快速量测：＜6Sec 全自动量测（Recipe Driver） 精密量测膜厚及折射率（反射率：option） 各种功能的光学常数量测和光谱特性分析 椭偏参数精度：≤±0.01 for Tan(φ)；≤±0.01 for Cos (Δ) 可直接量测镀膜在透明基板，而无需在基板背面打毛及染黑（ITO on Glass、SiN on Glass）

供应商：致东光电科技（上海）有限公司

针对HIT（异质结）太阳能电池片加以客制化定制量测ITO，n+aSi，aSi，膜厚以及（n，k），反射率（R%）以及穿透率（T%),4PP... SR , R% (Spectroscopic Reflectometer) SE (Spectroscopic Ellipsmeter) 4PP ,Ω/cm2（Four Point Probe） ST，T%（Spectroscopic Transmittance)

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上海致东全光谱椭圆偏光测厚仪

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由椭圆仪校正 量测色度坐标 量测时间1-3s ，精确度高 国内自行研发，价格合理 量测膜厚（N.K)值 .量测穿透率（T%）.反射率（R%） FFT for very thick layer (up to 50 um)

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上海致东全光谱椭偏仪

供应商：致东光电科技（上海）有限公司

上海致东全光谱椭偏仪

供应商：深圳市蓝星宇电子科技有限公司

SENresearch 4.0:拥有宽光谱范围的光谱椭偏仪，在宽的光谱范围从190nm（深紫外）到3,500 nm（近红外）。每一台SENresearch 4.0都是客户特定的椭偏光谱解决方案。SENresearch 4.0可以配置用于全穆勒矩阵、各向异性、广义椭偏、散射测量等。使用步进扫描分析器原理实现测量结果。

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德国 Sentech 低成本高效益的光谱椭偏仪SENpro,SENpro椭偏仪是椭偏仪应用的智能解决方案。它具有角度计，入射角度步进值5°。操作简单，快速测量和直观的数据分析相结合，以低成本效益高的设计来测量单层和多层膜的厚度和光学常数。

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SENDIRA红外光谱椭偏仪,振动光谱的特点是傅立叶红外光谱仪FTIR。测量红外分子振动模的吸收谱带，分析长分子链的走向和薄膜的组成。红外光谱椭偏仪适用于测量导电膜的电荷载流子浓度。

供应商：深圳市蓝星宇电子科技有限公司

SENDURO 全自动光谱椭偏仪包括基于测量处方的仅在几秒钟内即可完成的快速数据分析。椭圆仪的设计是为了便于操作：放置样品，自动样品对准，自动测量和分析结果。在全自动模式下使用光谱椭偏仪非常适合于质量控制和研发中的常规应用。

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德国Sentech激光椭偏仪SE 400adv, 测量透明薄膜的厚度和折射率指数，具有测量速度、亚埃级别的厚度精度和折射率测定的精度。多角度测量允许使用激光椭偏仪SE 400adv表征吸收膜特征。

供应商：深圳市蓝星宇电子科技有限公司

激光椭偏仪SE 500adv， 结合椭偏反射CER的SE 500adv 椭偏仪SE 500adv将激光椭偏仪和反射仪结合在一个系统中。这种组合允许零度反射法用于快速薄膜分析，并且允许透明膜以激光椭偏仪的亚埃精度将可测量的厚度范围扩展到25埃米，从而明确地确定厚度。

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光谱椭偏仪SE 800 PV是分析结晶和多晶硅太阳能电池防反射膜的理想工具。可以测量单层薄膜(SiNx、SiO2、TiO2、Al2O3)和多层叠层膜(SiNX/SiO2、SiNx1/SiNx2、SiNx/Al2O3)。

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激光椭偏仪SE 400adv PV,是全球化使用的标准仪器，用于测量PV单层防反射涂层的厚度和折射率指数。特别用于表征单晶和多晶硅太阳能电池上的SiNx 防反射单层膜的性能。该仪器用于SiNx涂层和薄钝化层SiO2和Al2O3的质量控制。

供应商：赛伦科技（北京）有限责任公司

high speed film thickness system measures routinely in less than a second! Tilt-free, focus free, hands-off operation for similar wafers. Fastest possible instrument for thin film measurement.

供应商：赛伦科技（北京）有限责任公司

美国赛伦科技为AST在中国地区的授权总销售服务商，赛伦科技在上海，北京分别设有办事处。美国AST (Angstrom Sun Technologies Inc)是世界主要针对科研单位提供：spectroscopic ellipsometer (SE), spectroscopic reflectometer (SR) and Microspectrophotometer (MSP)的知名供应商。客户遍布全球主要科研大学及主要半导体厂商：NISTISMINASAJPLMarshall Space CenterAir ForceMITColumbia UniversityUC BerkeleyGeorgia TechUniversity of VirginiaUSTC,China...Bell LaboratoriesHPGELockheed MartinCorningApplied MaterialsFirst SolarDow ChemicalSamsungTexas InstrumentsNational Semiconductor...美国赛伦科技上海办事处吴惟雨/Caven Wu Cell:13817915874QQ：185795008 caven.wu@saratogatek.com上海市黄浦区陆家浜路1378号万事利大厦1102室200011产品总述: Functions SpectroscopicReflectometer (SR)Microspectrophotometer (MSP) SpectroscopicEllipsometer (SE) Wavelength Range 190 to 1700 (or 2300) nm 190 to 1700 (or 2300) nm 190 nm to 30 m Measurable Parameters Film Thickness 20 to 250m 20 to 50m 10 to 10m Optical Constants N & K N & K N & K R/T/A Yes Yes Geometry Yes Digital Imaging Yes Main Features Low Cost, Fast Measurement, Wide Dynamic Range Down to 5 um Spot Size on any Patterned Structure Complicated Layer Stack Options Wavelength Extension, Mapping Stage, Heating/Cooling Stage Unique Options Large Spot Set up for In-Line Metrology Applications Raman & Fluorescence Add-on Set-ups and optional smaller spot size 简介: Spectroscopic ellipsometry (SE) is a powerful technique to precisely measure thin film thickness, determine optical constants, investigate surface and interface phenomenon and many other physical, chemical and optical properties of materials. Angstrom Sun Technologies Inc designs and manufactures high quality spectroscopic ellipsometer systems with various options for different applications. Besides ellipsometer system itself, the advanced analysis software is essential to extract the desired information as above-mentioned, such as thickness, roughness, alloy concentration and dielectric constants. TFProbe 3.0from us offers powerful analysis functions for ellipsometry sensitivity study, photometry / ellipsometry simulation and data regression. Unique but configurable mode allows different users to access different level and suitable for both R&D and production quality control purpose. Models are specified based on wavelength ranges for different applications. The following graph shows available models for standard configurations. In addition, Model 500 simply covers a range of both Model 100 and 400. Customized products are available with wavelength range extension further down to DUV or Infrared (IR) ranges. Normally: Model 100 covers a wavelength range from DUV to NIR range up to 1100nm. Model 200 covers DUV and Visible range. Model 300 covers Visible range, starting from 370nm to 850nm Model 400 covers NIR range starting from 900nm typically Model 450 covers Vis to NIR range, starting from 370nm up to 1700nm typically Model 500 covers DUV to NIR range, up to 2500nm Model 600 covers NIR to IR range (1.7um to 17um or 1.7um to 30um) Wavelength range coverage depends on several factors such as light source, detectors, optics used in system, light delivery method (using fibers or not). Because of these factors, all tools can be customized based on specific application. For example, NIR range can be covered up to 1700nm or 2200nm or 2500nm etc. DUV range can be down to 190 nm.一。SE椭偏仪主要型号 ==================================Model SE300BM, 400-1100nm, no mapping, Model SE200BM, 250-1100nm, no mappingModel SE450BM, 400-1700nm, no mappingModel SE500BM, 190-1700nm, no mapping6" stage mapping, adds $20K. 8" stage mapping, adds $22K. ==================================== 设备型号说明: Example Model: SE200BA-M300 SE: Spectroscopic Ellipsometer 200: Indicates B: Detecting Type A: Scanning monochromator with single element detector B: Array Type detector with spectrograph or interferometer A: Variable Incident Angle Type A: Automatic variable angle with precision Goniometer and computer controlled M: Manually adjustable incident angle at 5 degree interval M: Mapping Stage 300: Maximum mapping sample sizeOptions: Wavelength Extension to VUV or IR Range Stage Size Probing beam Spot size Photometry Heating/Cooling Stage Mapping stage in X-Y or Rho-ThetaApplications: Semiconductor fabrication (PR, Oxide, Nitride..) Liquid crystal display (ITO, PR, Cell gap…..) Biological films and materials Optical coatings, TiO2, SiO2, Ta2O5….. Semiconductor compounds Functional films in MEMS/MOEMS Amorphous, nano and crystalline Si Solar Cell Industry Medical device fabricationBackground on Ellipsometry: There are many techniques for characterizing materials, each having its own advantages and disadvantages and each being uniquely able to reveal material properties that other techniques can't access. Spectroscopic ellipsometry (SE) is an optical technique that is particularly flexible in that it can be used to determine the optical and physical properties of a wide variety of thin-film materials. Its ability to do this without contact or damage to the material of interest has seen it become routinely used in R&D laboratories and within manufacturing facilities for monitoring thin film growth and deposition processes. SE relies on the determination of the polarization state of a beam of polarized light reflected from the sample under characterization. When performing SE measurements, the polarization state is determined at many discrete wavelengths over a broad wavelength range. The change in the polarization state can be traced to the physical properties of the thin film by means of a model. Characteristics such as layer thickness, surface roughness, refractive index (n) and extinction coefficient (k) of the materials can be determined with excellent precision through regression analysis. The instrument determines two ellipsometry angles Ψ and Δ, which describe the change in the polarization state of the beam upon reflection from the sample. The ratio of the amplitude of the polarization within the plane of incidence (P) to the amplitude of the polarization perpendicular to the plane of incidence (S) is represented by Ψ. The phase retardation between the two polarization vectors P and S is represented by Δ. Changes in Δ and Ψ essentially depend upon the optical constants, n and k, of the layer materials and substrate, physical thickness of the individual layers and surface roughness. A regression analysis allows the determination of these parameters. SE data for Δ and Ψ are obtained at a number of incident angles in a plane normal to the sample surface and typically at 100-200 different wavelengths for each angle. SE instruments use a white light source and individual wavelengths are selected for detection by either a motor driven monochromator, or a multi-channel detector that can detect many wavelengths simultaneously. Increasing the number of angles and wavelengths at which data are acquired improves analysis precision, especially for complicated epitaxial structures. Note:1. System configuration and Specifications subject to change without notice2. * Film property, surface quality and layer stack dependent3. Customized system available for special applications4. TFProbe is registered trademark of Angstrom Sun Technologies Inc. 二.Microspectrophotometer(微光斑薄膜测试仪)MSP100 Microspectrophotometer and Film Thickness Measurement SystemFeaturesSystem ConfigurationsSpecificationsOptionsApplications Application ExamplesFeatures:Easy to operate with Window based software Advanced DUV optics and rugged design for highest uptime and the best system performance Array based detector system to ensure fast measurement Affordable, portable and small footprint table top design Measure film thickness and Refractive Index up to 5 layers over micron size region Allow to acquire reflection, transmission and absorption spectra in milliseconds Capable to be used for real time spectra, thickness, refractive index monitoring System comes with comprehensive optical constants database and library Advanced Software allows user to use either NK table, dispersion or composite model (EMA) for each individual film Integrated Vision, spectrum, simulation, film thickness measurement system Apply to many different type of substrates with different thickness up to 200mm size Deep ultraviolet light allows to measure film thickness down to 20 2D and 3D output graphics and user friendly data management interface Advanced Imaging software for dimension measurement such as angle, distance, area, particle counting and more Various options available to meet special applicationsSystem Configuration:Model: MSP100RTM Detector: CCD Array with 2048 pixels Light Source: High power DUV-Visible Automatic Stage: Black Anodized Aluminum Alloy with 5”x3” net travel distance and 1m resolution, program controlled Motorized Z focus drive and X-Y-Z joystick Long Working Distance Objectives: 4x, 10x, 15x(DUV), 50x Communication: USB Measurement Type: Reflection/Transmission spectra, Film thickness/refractive index and feature dimensions Computer: Intel Core 2 Duo Processor with 200GB Hard drive and DVD+RW Burner plus 19” LCD Monitor Power: 110 240 VAC /50-60Hz, 3 A Dimension: 16’x16’x18’ (Table top setup) Weight: 120 lbs total Warranty: One year labor and partsSpecifications: Wavelength range: 250 to 1000 nm Wavelength Resolution: 1nm Spot Size: 100m (4x), 40m (10x), 30m (15x), 8m (50x) Substrate Size: up to 20mm thick Measurable thickness range*: 20 to 25 m Measurement Time: 2 ms minimum Accuracy*: better than 0.5% (comparing with ellipsometry results for Thermal Oxide sample by using the same optical constants) Repeatability*: < 2 (1 sigma from 50 thickness readings for 1500 Thermal SiO2 on Si Wafer)Options: TopWavelength extension to to Further DUV or NIR range Higher power DUV optics for smaller spot size Customized configuration for special applications Heating and Cooling Stage for dynamic study Optional stage size holding samples up to 300mm Higher wavelength range resolution down to 0.1nm Various filters for special applications Add-on accessories for fluorescence measurement Add-on accessories for Raman applications Add-on accessories for polarizing applicationsApplications: TopSemiconductor fabrication (PR, Oxide, Nitride..) Liquid crystal display (ITO, PR, Cell gap…..) Forensics, Biological films and materials Inks, Mineralogy, Pigments, Toners Pharmaceuticals, Medial Devices Optical coatings, TiO2, SiO2, Ta2O5….. Semiconductor compounds Functional films in MEMS/MOEMS Amorphous, nano and crystalline SiApplication Examples: Top1. Measured Transmission Spectra from Three Filters 2. Measured Film Thickness 3. Measured Reflection Spectrum over a MEMS Mirror 4. Mapped Thickness Uniformity over 4" wafer Note:1. System configuration and Specifications subject to change without notice 2. * Film property, surface quality and layer stack dependent 3. Customized system available for special applications 4. TFProbe is registered trademark of Angstrom Sun Technologies Inc. 三. SR薄膜反射仪SRM300 Film Thickness Mapping SystemFeaturesSystem ConfigurationsSpecificationsOptionsApplications Application ExamplesMore InformationFeatures: Film Thickness Measurement - SRM300 Film Thickness Gauge When you need an accurate thin film thickness measurement our SRM300 allows you to map film thickness and refractive index up to 5 layers thick. No need to worry about complicated equipment since the SRM300 is easy to setup and operate. It uses Windows based software, so most people are already familiar with the look and feel of the operating system. This film thickness gauge can handle various types of geometry substrate up to 300mm in diameter and various types of mapping patterns such as linear, polar, square or even arbitrary coordinates. The array based detector system ensures the fastest film thickness measurement. With its advanced optics and rugged design you can always be sure to get the best system performance. Easy to set up and operate with Window based software Various types of geometry substrate up to 300mm in diameter Various types of mapping pattern such as linear, polar, square or arbitrary coordinates Advanced optics and rugged design for best system performance Array based detector system to ensure fast measurement Map film thickness and Refractive Index up to 5 layers System comes with comprehensive optical constants database and library Include commonly used recipes Advanced TFProbe Software allows user to use either NK table, dispersion or effective media approximation (EMA) for each individual film. Upgradeable to MSP (Microspectrophotometer) mapping system with pattern recognition, or Large Spot for mapping over patterned or featured structure (with Zonerage Model) Apply to many different type of substrates with different thickness 2D and 3D output graphics and user friendly data management interface with statistical resultsSystem Configuration:Model: SRM300-300 Detector: CCD Array with 2048 pixels Light Source: DC regulated Tungsten-Halogen Light Delivery: Optics Stage1: Black Anodized Aluminum Alloy Vacuum chuck holds 200 mm wafer Communication: USB & RS232 Software: TFProbe 2.2M Measurement Type: Film thickness, reflection spectrum, refractive index Computer: Intel Core 2 Duo Processor with 200GB Hard drive and DVD+RW Burner plus 19” LCD Monitor Power: 110 240 VAC /50-60Hz, 3 A Dimension: 14”(W) x 20”(D) x 14”(H) Weight: 100 lbs Warranty: One year labor and partsSpecifications: Wavelength range: 400 to 1050 nm Spot Size: 500 m to 5mm Sample Size: 300 mm in diameter Substrate Size: up to 50mm thick Number of Layers*: Up to 5 films Measurable thickness range*: 50 nm to 50 m Measurement Time: 2ms - 1s /site typical Positional Repeatability: ~1 m Accuracy*: better than 0.5% (comparing with ellipsometry results for Thermal Oxide sample by using the same optical constants) Repeatability*: < 2 (1 sigma from 50 thickness readings at center for 1500 Thermal SiO2 on Si Wafer)Options: Top Additional Models with Wavelength Extension to DUV or NIR Range: SRM100: 250nm - 1000nm SRM400: 900nm - 1700nm SRM500: 400nm - 1700nm Other Sample Size: 200mm wafer (SRM300-200) Customized size: Available Large Spot Accessories for featured structure measurement Small spot accessories for highly non uniform samplesApplications: TopSemiconductor fabrication (PR, Oxide, Nitride..) Liquid crystal display (ITO, PR, Cell gap…..) Biological films and materials Optical coatings, TiO2, SiO2, Ta2O5….. Semiconductor compounds Functional films in MEMS/MOEMS Amorphous, nano and crystalline SiApplication Examples: Top1. 2D thicknesses plot for Nitride layer in a three layer stack (Nitride-Oxide-Nitride on Glass) 2. 2D contour plot for Nitride layer in a three layer stack (Nitride-Oxide-Nitride on Glass) Note:1. System configuration and Specifications subject to change without notice 2. * Film property, surface quality and layer stack dependent 3. Customized system available for special applications 4. TFProbe is registered trademark of Angstrom Sun Technologies Inc. 美国赛伦科技上海办事处 吴惟雨/Caven Wu Cell:13817915874 QQ：185795008 caven.wu@saratogatek.com 上海市黄浦区陆家浜路1378号万事利大厦1102室 200011

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Film Sense FS-1™多波长椭偏仪采用寿命长 LED 光源和非移动 式部件椭偏探测器，可在操作简单的紧凑型椭偏仪中实现快速和可 靠地薄膜测量。大多数厚度 0–1000 nm 的透明薄膜只需要简单的 1 秒测量，就 可以获得非常精密和准确的数据。

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全自动化&高集成度&可视化光斑一键式全自动快速椭偏仪 Auto SE新型的全自动薄膜测量分析工具。采用工业化设计，操作简单，可在几秒钟内完成全自动测量和分析，并输出分析报告。是用于快速薄膜测量和器件质量控制理想的解决方案。1主要特点1. 液晶调制技术，无机械转动部件，重复性，信噪比高2. 专利技术成像系技术，所有样品均可成像，对于透明样品,自动去除样品的背反射信号,使得数据分析更简单.3. 反射式微光斑，覆盖全谱段，利于非均匀样品图案化样品测试4. 全自动集成度高，安装维护简便5. 一键式操作软件，快速简单6. 自动MAPPING扫描，分析样品镀膜均匀性2技术参数1. 光谱范围：450-1000 nm2. 多种微光斑自动选择3. 专利光斑可视技术，可观测任何样品表面4. 自动样品台尺寸：200mmX200mm；XYZ方向自动调节; Z轴高度>35mm5. 70度角入射6. CCD探测器>>>>相关推荐椭圆偏振光谱入门手册测量膜厚、光学常数的强大工具您可了解：1. 椭圆偏振光谱的概念及应用领域2. 适用的样品及可获取的信息3. 常见的椭偏仪类型及优势分析4. 测量、数据分析时的常见问题复制链接至新浏览器打开下载入门手册：http://www.horiba.com/cn/scientific/download-cn/1/

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仪器简介： 20多年技术积累和发展的结晶,是一款高准确性、高灵敏度、高稳定性的经典椭偏机型。即使在透明的基底上也能对超薄膜进行最精确的测量。采用PEM相位调制技术，与机械旋转部件技术相比,能提供更好的稳定性和信噪比。技术参数：可选光谱范围： * UVISEL Extended Range(190nm -2100 nm) * UVISEL NIR (250 nm -2100 nm ) * UVISEL VIS (210 nm -880 nm ) * UVISEL FUV(190 nm -880 nm ) * UVISEL VUV(142 nm -880 nm ) *多种实用微光斑尺寸选项 *探测器：分别针对紫外，可见和近红外提供优化的PMT和IGA探测器 *自动样品台尺寸：多种样品台可选 *自动量角器：变角范围35° - 90°，全自动调整，最小步长0.01°主要特点： *50KHz 高频PEM 相调制技术，测量光路中无运动部件 *具备超薄膜所需的测量精度，超厚膜所需的高光谱分辨率 *具有毫秒级超快动态采集模式，可用于在线实时监测 *自动平台样品扫描成像、变温台、电化学反应池、液体池、密封池等多种附件 *配置灵活

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ES01-PV是针对光伏太阳能电池研发和质量控制领域推出的高性能光谱椭偏仪。 ES01-PV用于测量和分析光伏领域中多层纳米薄膜的层构参数（如，厚度）和物理参数（如，折射率n、消光系数k），典型样品包括：绒面单晶和多晶太阳电池上的单层减反膜（如SiNx，SiO2，TiO2，Al2O3等）和多层减反膜（如，SiNx/SiO2, SiNx2/SiNx1, SiNx /Al2O3等），以及薄膜太阳电池中的多层纳米薄膜。 特点： 粗糙绒面纳米薄膜的高灵敏测量 先进的光能量增强技术、高信噪比的探测技术以及高信噪比的微弱信号处理方法，实现了对粗糙表面散射为主和极低反射率为特征的绒面太阳电池表面镀层的高灵敏检测。 晶体硅多层减反膜检测 专门针对多层薄膜检测而设计，可满足晶体硅太阳能电池领域中的双层膜，如（SiNx/SiO2, SiNx2/SiNx1, SiNx /Al2O3等）的检测。 秒级的快速测量 国际先进的快速椭偏采样方法、一流的关键部件、自动化的测量软件，在保证高精度和准确度的同时，可在10秒内快速完成一次测量。 一键式仪器操作 对于常规操作，只需鼠标点击一个按钮即可完成复杂的测量、建模、拟合和分析过程，丰富的模型库和材料库也同时方便了用户的高级操作需求。 应用： ES01-PV可用于测量绒面单晶或多晶硅太阳电池表面上纳米薄膜的厚度、折射率n和消光系数k，包括：单层减反膜（如， SiNx， TiO2，SiO2，A12O3等）、双层纳米薄膜（如，SiNx/SiO2, SiNx2/SiNx1, SiNx /Al2O3等），以及多层纳米薄膜。 ES01-PV的应用也覆盖了传统光谱椭偏仪所测量的光面基底上的单层和多层纳米薄膜，典型应用包括：半导体（如：介电薄膜、金属薄膜、高分子、光刻胶、硅、PZT膜，激光二极管GaN和AlGaN、透明的电子器件等）、平板显示（TFT、OLED、等离子显示板、柔性显示板等）、功能性涂料：（增透型、自清洁型、电致变色型、镜面性光学涂层，以及高分子、油类、Al2O3表面镀层和处理等)、生物和化学工程（有机薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子层、薄膜吸附、表面改性处理、液体等）等。 技术指标: 项目 技术指标 光谱范围 240nm-930nm（绒面测量时为350-850nm） 单次测量时间 10s,取决于测量模式 膜厚测量重复性（1） 0.05nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) 折射率精度（1） 1x10-3(对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) 入射角度 40°-90°自动调节 光学结构 PSCA（Δ在0°或180°附近时也具有极高的准确度） 样品台尺寸 一体化样品台轻松变换可测量单晶或多晶样品 兼容125*125mm和156*156mm的太阳能电池样品 样品方位调整 Z轴高度调节：±6.5mm 二维俯仰调节：±4° 样品对准：光学自准直显微和望远对准系统 软件 多语言界面切换 太阳能电池样品预设项目供快捷操作使用 安全的权限管理模式（管理员、操作员） 方便的材料数据库以及多种色散模型库 丰富的模型数据库 注：(1)测量重复性：是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量30次所计算的标准差。

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EM13LD 系列是采用先进的测量技术，针对普通精度需求的研发和质量控制领域推出的多入射角激光椭偏仪。 EM13LD系列采用半导体激光器作为光源，可在单入射角度或多入射角度下对样品进行准确测量。可用于测量单层或多层纳米薄膜样品的膜层厚度、折射率n和消光系数k；也可用于同时测量块状材料的折射率n和消光系数k；亦可用于实时测量纳米薄膜动态生长中膜层的厚度、折射率n和消光系数k。多入射角度设计实现了纳米薄膜的绝对厚度测量。 EM13LD系列采用了量拓科技多项专利技术。 特点： 次纳米的高灵敏度 国际先进的采样方法、稳定的核心器件、高质量的制造工艺实现并保证了能够测量极薄纳米薄膜，膜厚精度可达到0.5nm。 3秒的快速测量 国际水准的仪器设计，在保证精度和准确度的同时，可在3秒内快速完成一次测量，可对纳米膜层生长过程进行测量。 简单方便的仪器操作 用户只需一个按钮即可完成复杂的材料测量和分析过程，数据一键导出。丰富的模型库、材料库方便用户进行高级测量设置。 应用： EM13LD系列适合于普通精度要求的科研和工业环境中的新品研发或质量控制。 EM13LD系列可用于测量单层或多层纳米薄膜层构样品的薄膜厚度、折射率n及消光系数k；可用于同时测量块状材料的折射率n和消光系数k；可用于实时测量快速变化的纳米薄膜的厚度、折射率n和消光系数k。 EM13LD可应用的纳米薄膜领域包括：微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、化学、电化学、磁质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。可应用的块状材料领域包括：固体（金属、半导体、介质等），或液体（纯净物或混合物）。 技术指标: 项目 技术指标 仪器型号 EM13 LD/635 (或其它选定波长) 激光波长 635 nm (或其它选定波长，高稳定半导体激光器) 膜厚测量重复性（1） 0.5nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) 折射率测量重复性（1） 5x10-3(对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) 单次测量时间 与测量设置相关，典型3s 最大的膜层范围 透明薄膜可达1000nm 吸收薄膜则与材料性质相关 光学结构 PSCA（Δ在0°或180°附近时也具有极高的准确度） 激光光束直径 2mm 入射角度 40°-90°可手动调节，步进5° 样品方位调整 Z轴高度调节：±6.5mm 二维俯仰调节：±4° 样品对准：光学自准直和显微对准系统 样品台尺寸 平面样品直径可达Φ170mm 最大外形尺寸 887 x 332 x 552mm (入射角为90时) 仪器重量（净重） 25Kg 选配件 水平XY轴调节平移台，真空吸附泵 软件(ETEM) * 中英文界面可选 * 多个预设项目供快捷操作使用 * 单角度测量/多角度测量操作和数据拟合 * 方便的数据显示、编辑和输出 * 丰富的模型和材料数据库支持 注：(1)测量重复性：是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量30次所计算的标准差。 性能保证: 稳定性的半导体激光光源、先进的采样方法，保证了稳定性和准确度 高精度的光学自准直系统，保证了快速、高精度的样品方位对准 稳定的结构设计、可靠的样品方位对准，结合先进的采样技术，保证了快速、稳定测量 分立式的多入射角选择，可应用于复杂样品的折射率和绝对厚度的测量 一体化集成式的仪器结构设计，使得系统操作简单、整体稳定性提高，并节省空间 一键式软件设计以及丰富的物理模型库和材料数据库，方便用户使用 可选配件： NFS-SiO2/Si二氧化硅纳米薄膜标片 NFS-Si3N4/Si氮化硅纳米薄膜标片 VP01真空吸附泵 VP02真空吸附泵 样品池

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EM12是采用先进的测量技术，针对中端精度需求的研发和质量控制领域推出的精致型多入射角激光椭偏仪。 EM12可在单入射角度或多入射角度下对样品进行准确测量。可用于测量单层或多层纳米薄膜样品的膜层厚度、折射率n和消光系数k；也可用于同时测量块状材料的折射率n和消光系数k；亦可用于实时测量纳米薄膜动态生长中膜层的厚度、折射率n和消光系数k。多入射角度设计实现了纳米薄膜的绝对厚度测量。 EM12采用了量拓科技多项专利技术。 特点： 次纳米量级的高灵敏度 国际先进的采样方法、高稳定的核心器件、高质量的制造工艺实现并保证了能够测量极薄纳米薄膜，膜厚精度可达到0.2nm。 1.6秒的快速测量 国际水准的仪器设计，在保证精度和准确度的同时，可在1.6秒内快速完成一次测量，可对纳米膜层生长过程进行测量。 简单方便的仪器操作 用户只需一个按钮即可完成复杂的材料测量和分析过程，数据一键导出。丰富的模型库、材料库方便用户进行高级测量设置。 应用： EM12适合于中端精度要求的科研和工业环境中的新品研发或质量控制。 EM12可用于测量单层或多层纳米薄膜层构样品的薄膜厚度、折射率n及消光系数k；可用于同时测量块状材料的折射率n和消光系数k；可用于实时测量快速变化的纳米薄膜的厚度、折射率n和消光系数k。 EM12可应用的纳米薄膜领域包括：微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、化学、电化学、磁质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。可应用的块状材料领域包括：固体（金属、半导体、介质等），或液体（纯净物或混合物）。 技术指标: 项目 技术指标 仪器型号 EM12 激光波长 632.8nm (He-Ne Laser) 膜厚测量重复性（1） 0.2nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) 折射率测量重复性（1） 2x10-3(对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) 单次测量时间 与测量设置相关，典型1.6s 最大的膜层范围 透明薄膜可达4000nm 吸收薄膜则与材料性质相关 光学结构 PSCA（Δ在0°或180°附近时也具有极高的准确度） 激光光束直径 1-2mm 入射角度 40°-90°可手动调节，步进5° 样品方位调整 Z轴高度调节：±6.5mm 二维俯仰调节：±4° 样品对准：光学自准直和显微对准系统 样品台尺寸 平面样品直径可达Φ170mm 最大外形尺寸 887 x 332 x 552mm (入射角为90时) 仪器重量（净重） 25Kg 选配件 水平XY轴调节平移台 真空吸附泵 软件 ETEM软件： 中英文界面可选； 多个预设项目供快捷操作使用； 单角度测量/多角度测量操作和数据拟合； 方便的数据显示、编辑和输出 丰富的模型和材料数据库支持 注：(1)测量重复性：是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量25次所计算的标准差。 性能保证: 稳定性的He-Ne激光光源、先进的采样方法，保证了高稳定性和高准确度 高精度的光学自准直系统，保证了快速、高精度的样品方位对准 稳定的结构设计、可靠的样品方位对准，结合先进的采样技术，保证了快速、稳定测量 分立式的多入射角选择，可应用于复杂样品的折射率和绝对厚度的测量 一体化集成式的仪器结构设计，使得系统操作简单、整体稳定性提高，并节省空间 一键式软件设计以及丰富的物理模型库和材料数据库，方便用户使用 可选配件： NFS-SiO2/Si二氧化硅纳米薄膜标片 NFS-Si3N4/Si氮化硅纳米薄膜标片 VP01真空吸附泵 VP02真空吸附泵 样品池

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ES0S3是针对科研和工业环境中薄膜测量领域推出的波长扫描式高精度多入射角光谱椭偏仪，此系列仪器的波长范围覆盖紫外、可见、近红外、到远红外。 ESS03采用宽光谱光源结合扫描单色仪的方式实现高光谱分辨的椭偏测量。 ESS03系列多入射角光谱椭偏仪用于测量单层和多层纳米薄膜的层构参数（如，膜层厚度、表面微粗糙度等）和光学参数（如，折射率n、消光系数k、复介电常数ε等），也可用于测量块状材料的光学参数。 ESS03系列多入射角光谱椭偏仪尤其适合科研中的新品研发。 技术特点： 极宽的光谱范围 采用宽光谱光源、宽光谱扫描德系统光学设计，保证了仪器在极宽的光谱范围下都具有高准确度，非常适合于对光谱范围要求极其严格的场合。 灵活的测量设置 仪器的多个关键参数可根据要求而设定（包括：波长范围、扫描步距、入射角度等），极大地提高了测量的灵活性，可以胜任要求苛刻的样品。 原子层量级的检测灵敏度 国际先进的采样方法、高稳定的核心器件、高质量的设计和制造工艺实现并保证了能够测量原子层量级地纳米薄膜，膜厚精度达到0.05nm。 非常经济的技术方案 采用较经济的宽光谱光源结合扫描单色仪的方式实现高光谱分辨的椭偏测量，仪器整体成本得到有效降低。 应用领域： ESS03系列多入射角光谱椭偏仪尤其适合科研中的新品研发。 ESS03适合很大范围的材料种类，包括对介质材料、聚合物、半导体、金属等的实时和非实时检测，光谱范围覆盖半导体地临界点，这对于测量和控制合成的半导体合金成分非常有用。并且适合于较大的膜厚范围（从次纳米量级到10微米左右）。 ESS03可用于测量光面基底上的单层和多层纳米薄膜的厚度、折射率n及消光系数k。应用领域包括：微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、化学、电化学、磁介质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。 薄膜相关应用涉及物理、化学、信息、环保等，典型应用如： 半导体：如：介电薄膜、金属薄膜、高分子、光刻胶、硅、PZT膜，激光二极管GaN和AlGaN、透明的电子器件等）； 平板显示：TFT、OLED、等离子显示板、柔性显示板等； 功能性涂料：增透型、自清洁型、电致变色型、镜面性光学涂层，以及高分子、油类、Al2O3表面镀层和处理等； 生物和化学工程：有机薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子层、薄膜吸附、表面改性处理、液体等。 节能环保领域：LOW-E玻璃等。 ESS03系列也可用于测量块状材料的折射率n和消光系数k。应用领域包括：固体（金属、半导体、介质等），或液体（纯净物或混合物）。典型应用包括： 玻璃新品研发和质量控制等。 技术指标： 项目 技术指标 光谱范围 ESS03VI：370-1700nm ESS03UI：245-1700nm 光谱分辨率（nm） 可设置 入射角度 40°-90°手动调节，步距5，重复性0.02 准确度 δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04° （透射模式测空气时） 膜厚测量重复性（1） 0.05nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) 折射率n测量重复性（1） 0.001(对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) 单次测量时间 典型0.6s / Wavelength / Point（取决于测量模式） 光学结构 PSCA（Δ在0°或180°附近时也具有极高的准确度） 可测量样品最大尺寸 直径200 mm 样品方位调整 高度调节范围：10mm 二维俯仰调节：±4° 样品对准 光学自准直显微和望远对准系统 软件 多语言界面切换 预设项目供快捷操作使用 安全的权限管理模式（管理员、操作员） 方便的材料数据库以及多种色散模型库 丰富的模型数据库 选配件 自动扫描样品台 聚焦透镜 注：(1)测量重复性：是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量30次所计算的标准差。 可选配件： NFS-SiO2/Si二氧化硅纳米薄膜标片 NFS-Si3N4/Si氮化硅纳米薄膜标片 VP01真空吸附泵 VP02真空吸附泵 样品池

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ES01是针对科研和工业环境中薄膜测量推出的高精度全自动光谱椭偏仪，系列仪器的波长范围覆盖紫外、可见到红外。 ES01系列光谱椭偏仪用于测量单层和多层纳米薄膜的层构参数（如，厚度）和物理参数（如，折射率n、消光系数k），也可用于测量块状材料的折射率n和消光系数k。 ES01系列光谱椭偏仪适合于对样品进行实时和非实时检测。 特点： 原子层量级的检测灵敏度 国际先进的采样方法、高稳定的核心器件、高质量的设计和制造工艺实现并保证了能够测量原子层量级的纳米薄膜，膜厚精度达到0.05nm。 秒级的快速测量 快速椭偏采样方法、高信噪比的信号探测、自动化的测量软件，在保证高精度和准确度的同时，10秒内快速完成一次全光谱椭偏测量。 一键式仪器操作 对于常规操作，只需鼠标点击一个按钮即可完成复杂的测量、建模、拟合和分析过程，丰富的模型库和材料库也同时方便了用户的高级操作需求。 应用： ES01系列尤其适合于科研和工业产品环境中的新品研发。 ES01系列多种光谱范围可满足不同应用场合。比如： ES01V适合于测量电介质材料、无定形半导体、聚合物等的实时和非实时检测。 ES01U适合于很大范围的材料种类，包括对介质材料、聚合物、半导体、金属等的实时和非实时检测，光谱范围覆盖半导体的临界点，这对于测量和控制合成的半导体合金成分非常有用。并且适合于较大的膜厚范围（从次纳米量级到10微米左右）。 ES01系列可用于测量光面基底上的单层和多层纳米薄膜的厚度、折射率n及消光系数k。应用领域包括：微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、化学、电化学、磁介质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。典型应用如： 半导体：如：介电薄膜、金属薄膜、高分子、光刻胶、硅、PZT膜，激光二极管GaN和AlGaN、透明的电子器件等）； 平板显示：TFT、OLED、等离子显示板、柔性显示板等； 功能性涂料：增透型、自清洁型、电致变色型、镜面性光学涂层，以及高分子、油类、Al2O3表面镀层和处理等； 生物和化学工程：有机薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子层、薄膜吸附、表面改性处理、液体等。 ES01系列也可用于测量块状材料的折射率n和消光系数k。应用领域包括：固体（金属、半导体、介质等），或液体（纯净物或混合物）。典型应用包括： 玻璃新品研发和质量控制等。 技术指标： 项目 技术指标 光谱范围 ES01V：370-1000nm ES01U：245-1000nm 光谱分辨率 1.5nm 单次测量时间 典型10s,取决于测量模式 准确度 δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04° （透射模式测空气时） 膜厚测量重复性（1） 0.05nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) 折射率精度（1） 1x10-3(对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) 入射角度 40°-90°自动调节，重复性0.02° 光学结构 PSCA（Δ在0°或180°附近时也具有极高的准确度） 样品台尺寸 可放置样品尺寸：直径170 mm 样品方位调整 高度调节范围：0-10mm 二维俯仰调节：±4° 样品对准 光学自准直显微和望远对准系统 软件 多语言界面切换 预设项目供快捷操作使用 安全的权限管理模式（管理员、操作员） 方便的材料数据库以及多种色散模型库 丰富的模型数据库 选配件 自动扫描样品台 聚焦透镜 注：(1)测量重复性：是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量30次所计算的标准差。 可选配件： NFS-SiO2/Si二氧化硅纳米薄膜标片 NFS-Si3N4/Si氮化硅纳米薄膜标片 VP01真空吸附泵 VP02真空吸附泵 样品池

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EMPro是针对高端研发和质量控制领域推出的极致型多入射角激光椭偏仪。 EMPro可在单入射角度或多入射角度下进行高精度、高准确性测量。可用于测量单层或多层纳米薄膜样品的膜层厚度、折射率n和消光系数k；也可用于同时测量块状材料的折射率n和消光系数k；亦可用于实时测量快速变化的纳米薄膜动态生长中膜层的厚度、折射率n和消光系数k。多入射角度设计实现了纳米薄膜的绝对厚度测量。 EMPro采用了量拓科技多项专利技术。 特点： 原子层量级的极高灵敏度 百毫秒量级的快速测量 简单方便的仪器操作 应用： EMPro适合于高精度要求的科研和工业产品环境中的新品研发或质量控制。EMPro可用于测量单层或多层纳米薄膜层构样品的薄膜厚度、折射率n及消光系数k；可用于同时测量块状材料的折射率n和消光系数k；可用于实时测量快速变化的纳米薄膜的厚度、折射率n和消光系数k。EMPro可应用的纳米薄膜领域包括：微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、化学、电化学、磁介质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。可应用的块状材料领域包括：固体（金属、半导体、介质等），或液体（纯净物或混合物）。 技术指标： 项目 技术指标 仪器型号 EMPro31 激光波长 632.8nm (He-Ne Laser) （1）膜层厚度精度 0.01nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) （1）折射率精度 1x10-4(对于Si基底上100nm的SiO2膜层) 单次测量时间 与测量设置相关，典型0.6s 结构 PSCA（Δ在0°或180°附近时也具有极高的准确度） 激光光束直径 1mm 入射角度 40°-90°可手动调节，步进5° 样品方位调整 Z轴高度调节：±6.5mm 二维俯仰调节：±4° 样品对准：光学自准直和显微对准系统 样品台尺寸 平面样品直径可达Φ170mm 最大的膜层范围 透明薄膜可达4000nm 吸收薄膜则与材料性质相关 最大外形尺寸 887 x 332 x 552mm (入射角为90时) 仪器重量（净重） 25Kg 选配件 水平XY轴调节平移台 真空吸附泵 软件 ETEM软件： 中英文界面可选； l多个预设项目供快捷操作使用； l单角度测量/多角度测量操作和数据拟合； 方便的数据显示、编辑和输出 丰富的模型和材料数据库支持 注：(1)精度：是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量25次所计算的标准差。 性能保证： 高稳定性的He-Ne激光光源、先进的采样方法以及低噪声探测技术，保证了高稳定性和高准确度 高精度的光学自准直系统，保证了快速、高精度的样品方位对准 稳定的结构设计、可靠的样品方位对准，结合先进的采样技术，保证了快速、稳定测量 分立式的多入射角选择，可应用于复杂样品的折射率和绝对厚度的测量 一体化集成式的仪器结构设计，使得系统操作简单、整体稳定性提高，并节省空间 一键式软件设计以及丰富的物理模型库和材料数据库，方便用户使用

供应商：孚光精仪（香港）有限公司

这款薄膜厚度测量系统平台是一种模块化设计的薄膜厚度测量仪，可灵活扩展成精密的薄膜测量仪器，可在此基础上衍生出多种基于白光反射光谱技术的薄膜厚度测试仪，比如标准吸收/透过率，反射率的测量，薄膜的测量，薄膜温度和厚度的测量。这个薄膜厚度测量系统由如下5个模块组成：核心模块----光谱仪；外壳模块----各种精密精美的仪器外壳；工作面积模块----测量工作区域；光纤模块----根据不同测量任务配备各种光纤附件；测量室-/环境罩---给测量带去超净工作区域。薄膜厚度测量仪核心模块---光谱仪我们提供多种光谱仪类型，不同光谱范围和光源，薄膜厚度测量仪满足各种测量应用

供应商：上海巨纳科技有限公司

UVISEL2是一款完全革新的全自动光谱型椭偏仪。继承并发展了经典机型UVISEL的高准确性、高灵敏度和高稳定性等技术特点的同时，配备革新的可视系统，多达8个尺寸微光斑选项，最小达35×85μm2，适用于所有薄膜材料研究领域。是目前市场上独一无二的机型。产品特点：完全自动化设计，自动对焦、校正全新光路、电路设计，测量精度更高，速度更快50KHz高频PEM相调制技术，测量光路中无运动部件双光栅光谱仪系统，杂散光抑制水平高8个尺寸微光斑，专利可视技术自动平台样品扫描成像技术参数：光谱范围：190-2100 nm8种光斑尺寸: 最小35 X 85 um探测器：3个独立探测器，分别优化紫外，可见和近红外自动样品台尺寸：200mm X 200mm；XYZ方向自动调节; Z轴高度>35mm样品水平度自动调整自动量角器：变角范围35°- 90°，全自动调整，最小步长0.01°SWNT单壁碳管厚度为3.1?的Graphene/c-Si与单晶硅基底自然氧化层测试图谱对比

供应商：上海巨纳科技有限公司

新型的全自动薄膜测量分析工具，工业化设计，操作简单，可在几秒钟内完成全自动测量和分析，并输出分析报告。是用于快速薄膜测量和器件质量控制理想的解决方案。产品特点：完全自动化设计，一键式操作，直接报告输出液晶调制技术，测量光路中无运动部件CCD探测系统，快速全谱输出多个微光斑尺寸选择，专利可视技术封闭式样品仓技术参数：光谱范围：450-1000 nm多种微光斑自动选择专利光斑可视技术，可观测任何样品表面CCD探测器自动样品台尺寸：200mmX200mmXYZ方向自动调节; Z轴高度>35mm70度角入射

供应商：北京国嘉恒业科学仪器有限公司

UVISEL2是一款完全革新的全自动光谱型椭偏仪。继承并发展了经典机型UVISEL的高准确性、高灵敏度和高稳定性等技术特点的同时，配备革新的可视系统，多达8个尺寸微光斑选项，最小达35×85μm2，适用于所有薄膜材料研究领域。是目前市场上独一无二的机型。技术参数：光谱范围：190-2100 nm8种光斑尺寸: 最小35 X 85 um探测器：3个独立探测器，分别优化紫外，可见和近红外自动样品台尺寸：200mm X 200mm；XYZ方向自动调节; Z轴高度>35mm样品水平度自动调整自动量角器：变角范围35°- 90°，全自动调整，最小步长0.01°主要特点：完全自动化设计，自动对焦、校正全新光路、电路设计，测量精度更高，速度更快50KHz高频PEM相调制技术，测量光路中无运动部件双光栅光谱仪系统，杂散光抑制水平高8个尺寸微光斑，专利可视技术自动平台样品扫描成像

供应商：北京国嘉恒业科学仪器有限公司

仪器介绍：在镀膜或刻蚀的过程中，实时监测样品膜的膜厚以及光学常数（n,k）变化。技术参数：可实现快速、实时在线监测样品膜层变化主要特点：将激发和探测头引入生产设备，可实现: 动态模式:实时监测膜厚变化 光谱模式：监测薄膜的界面和组分

供应商：北京国嘉恒业科学仪器有限公司

新型的全自动薄膜测量分析工具，工业化设计，操作简单，可在几秒钟内完成全自动测量和分析，并输出分析报告。是用于快速薄膜测量和器件质量控制理想的解决方案。技术参数：光谱范围：450-1000 nm多种微光斑自动选择专利光斑可视技术，可观测任何样品表面CCD探测器自动样品台尺寸：200mmX200mm；XYZ方向自动调节; Z轴高度>35mm70度角入射主要特点：完全自动化设计，一键式操作，直接报告输出液晶调制技术，测量光路中无运动部件CCD探测系统，快速全谱输出多个微光斑尺寸选择，专利可视技术封闭式样品仓

供应商：天津东方科捷科技有限公司

创新点◎独一无二的光斑可视系统（专利技术):AutoSE集成了独一无二的MyAutoView光斑可视系统（专利技术），该系统配备在标准椭圆偏振光谱仪中,允许操作者全程观测样品光斑，以确保各种类型的样品都能在完全正确的位置，以合适的光斑尺寸进行测量。解决了现有测量技术中的“盲测”难题。◎一键式操作，大大提高工作效率。◎共焦微光斑技术：提供8种不同光斑尺寸的自动选择。◎全自动智能诊断及故障处理：大大减轻了设备的维护负担。 仪器简介：新型的全自动薄膜测量分析工具，工业化设计，操作简单，可在几秒钟内完成全自动测量和分析，并输出分析报告。是用于快速薄膜测量和器件质量控制理想的解决方案。技术参数：光谱范围：450-1000nm多种微光斑自动选择专利光斑可视技术，可观测任何样品表面CCD探测器自动样品台尺寸：200mmX200mm；XYZ方向自动调节;Z轴高度>35mm70度角入射主要特点：完全自动化设计，一键式操作，直接报告输出液晶调制技术，测量光路中无运动部件CCD探测系统，快速全谱输出多个微光斑尺寸选择，专利可视技术封闭式样品仓

供应商：天津东方科捷科技有限公司

仪器简介： 20多年技术积累和发展的结晶,是一款高准确性、高灵敏度、高稳定性的经典椭偏机型。即使在透明的基底上也能对超薄膜进行最精确的测量。采用PEM相位调制技术，与机械旋转部件技术相比,能提供更好的稳定性和信噪比。技术参数：可选光谱范围： * UVISEL Extended Range(190nm -2100 nm) * UVISEL NIR (250 nm -2100 nm ) * UVISEL VIS (210 nm -880 nm ) * UVISEL FUV(190 nm -880 nm ) * UVISEL VUV(142 nm -880 nm ) *多种实用微光斑尺寸选项 *探测器：分别针对紫外，可见和近红外提供优化的PMT和IGA探测器 *自动样品台尺寸：多种样品台可选 *自动量角器：变角范围35° - 90°，全自动调整，最小步长0.01°主要特点： *50KHz 高频PEM 相调制技术，测量光路中无运动部件 *具备超薄膜所需的测量精度，超厚膜所需的高光谱分辨率 *具有毫秒级超快动态采集模式，可用于在线实时监测 *自动平台样品扫描成像、变温台、电化学反应池、液体池、密封池等多种附件 *配置灵活