射线检测仪

供应商：赛默飞化学分析仪器

EPD-N2型电子个人剂量计，采用多级探测器，有出色的能量响应，适用于γ/中子混合场的测量。 技术特点： 出色的能量响应，25 KeV-10 MeV（光子），热中子-15 MeV（中子）γ/中子混合场中性能优异多级探测器直接显示中子与光子的深层剂量Hp(10)多探头技术

供应商：赛默飞化学分析仪器

EPD Mk2型电子个人剂量计，主要探测X、γ和β辐射，可以给出直读剂量当量Hp(10)(深层/全身）和Hp（0.07）（浅层/皮肤）的剂量数值。EPD结合了强大的辐射测量性能和先进的软硬件，符合IEC 1283, IEC 1526, ANSI 13.11, 13.27和42.20等标准。适合于单独作为剂量计使用或者作为综合剂量管理系统的组成部分使用。EPD Mk2+是唯一通过2007年IAEA所有测试项目的电子个人剂量计。 仪器简介： 仪器简介：多级探测器，出色的X、γ和β辐射响应可设置剂量和剂量率警报，并可设置声音警报高速红外通讯接口存储剂量记录、警报记录等，无电池数据可保持10年，剂量存储区带密码保护电源：AA 1.5V碱电池（可连续适用8周）或者3.6V锂电池（可连续适用5个月）

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仪器特点:& bull; 能自动读取高达50个剂量元件• 线性升温曲线• 加热曲线包括预热和读出后退火周期• 热气式加热，温度可达600 ℃• 光电倍增管冷却器，可降低光电倍增管的噪声，提高稳定性• 测量质量保证• 自动本底扣除• 易于操作，维护和保养• 建立校正软件技术规格:性能：每次装50个剂量元件周期：用标准TTP30秒/片发光探测系统：动态范围：7个数量级预热时间：30分钟线性：偏差小于1%暗电流：相对小于50 mGy (Cs-137)剂量元件加热系统：方法：气体加热线性升温 (TTP)高压：范围从500 V-1 200 V稳定性：±0.005%单位：nC, gU, mrad, mrem, mGy, Gy, μSv, mSv, Sv可靠性：平均无故障运行时间 (MTBF)>10,000小时内置自测和诊断功能操作温度范围：0-40 ℃贮存温度范围：-10-60 ℃

供应商：赛默飞化学分析仪器

Harshaw TLD 6600 型热释光读出器，适用于人员剂量、环境剂量的测量，具有节省人力、节约资金等特点。技术特点:& bull; 一体化设计，可用于测量：• 全身剂量• β、光子、中子剂量• 端剂量• 环境剂量• 自动刻度，节约时间• 满足IEC、ISO、ANSI等国际标准• 自动执行质控检测程序• 故障间隔长• 没有OSL技术的缺点，如对光敏感

供应商：赛默飞化学分析仪器

热释光剂量元件• 符合ANSI N545-1993，满足即将发布的N13.37• LiF：Mg, Cu, P材料• 测量：  ■ Hp (10)-深层剂量  ■ Hp (3)-眼晶体剂量  ■ Hp (0.07)-浅层剂量  ■ 中子剂量  ■ H* (10)-周围剂量当量  ■ H′(0.07)-定向剂量当量• 佩带方式可选肢端剂量元件肢端剂量元件用于人员肢端皮肤剂量的精确测量。技术特点• 通过ANSI N13.32-1995、DOELAP、NVLAP测试。• 适合佩带• 测量光子、β剂量• 可在读出器上读出• 42 mg/cm2窗用于光子测量  ■ TLD-100 100 mg/cm2  ■ TLD尺寸3 mm×0.4 mm中子剂量测量使用Thermo Scientific中子测量徽章后可测量热中子、快中子剂量。• 6Li/7Li剂量元件  ■ 热中子  ■ 快中子• LiF：Mg, Ti材料环境剂量监测使用Thermo Scientific环境测量徽章后可测量环境剂量。• 满足ANSI N545• LiF：Mg, Cu, P• 测量：  ■ H* (10)-周围剂量当量  ■ H′(0.07)-定向剂量当量设计巧妙，佩带方便，照射角度影响很小• 3.3 mg/cm2窗用于β测量  ■ TLD-100 H/700 H 7 mg/cm2  ■ TLD 粉末• 指环有4种颜色可选• 剂量计算软件• 满足ANSI N545• LiF：Mg, Cu, P• 测量：  ■ H* (10)-周围剂量当量  ■ H′(0.07)-定向剂量当量• 过滤膜通过100%涡流测试• 密封封装，防止污染• 条形码编号窗口透明，方便保管• 剂量元件可选择不同颜色，方便管理• 剂量计算软件• 中子测量  ■ 6Li/7Li剂量元件  ■ 热中子  ■ 快中子  ■ LiF：Mg, Ti材料

供应商：赛默飞化学分析仪器

EPD-G 电子个人γ剂量计由EPD MK2电子个人剂量计改进而来，具有同样的设计。适用于无需测量β辐射的场合。Thermo Scientific EPD电子个人剂量计已经在国内外得到广泛的应用。 仪器特点： 多级探测器技术，出色的X、γ响应报警阙值（剂量、剂量率），音量均可以调节电源：AA 1.5V碱电池（可连续适用8周）或者3.6V锂电池（可连续适用5个月）无电池情况下数据可以保存10年ADS剂量管理，存储峰值剂量率与相应的时间，相应的数据存储区域设置了密码数据时间间隔可以设定，存储量最小间隔1s 技术规格：测量类型：X，γ能量响应：15keV-10000keV测量范围：剂量当量：1/64μSv->16Sv剂量率：1/64μSv/h->16Sv/h精确度：±10%（Cs-137）测量单位：Sv，Gγ，rem（带合适前缀）

供应商：成都一科仪器设备有限公司

◎质量很轻。 ◎测量范围宽。 ◎可记录剂量率的趋势，红外线通信。 ◎可使用商用AC电源，也可使用市贩一次电池、二次电池。 ◎有USB接口，可与计算机通讯显示测量结果。

供应商：成都一科仪器设备有限公司

仪器介绍：BG9512H高量程x、γ环境级巡检仪，用于环境水平x、γ剂量率测量，也可对辐射场所辐射防护水平进行检测，应急场合查找隐藏的放射源。BG9512H是环保、卫生、出入境以及其他涉及到电离辐安全监测企事业单位理想产品。产品特点:ADF(自适应滤波)计算方法，确保仪器对辐射水平变化做出快速响应，低剂量率水平保证测量精度。 100ms的峰值检测时间，方便对曝光剂量进行测量。 超过1500cps/μGy/h的探测效率 智能化探头，RS485/蓝牙(可选)数据接口，即可作巡检仪用，也可做区域监测产品使用 智能化主机，多种探测器可选 主机内置GM管γ(X)探测器，可当个人剂量仪使用 数值图表同时指示测量值 64KB数据存储，可手动/自动选择保存瞬时剂量率 具有USB接口，方便上位机对仪器测量数据进行管理或维护 大容量锂离子电池供电技术参数：测量器主机：内置进口GM计数管；探头：0.3L闪烁体探测器（有线/标配）测量射线种类γ（X）射线灵敏度≥1500cps（Cs-137，1μGy/h）能量范围内置探测器：48keV～1.5MeV，外接探测器：25keV～6MeV能量响应吸收剂量：≤15%，剂量当量：≤30%有效测量范围内置探测器：剂量率：0.01μSv/h～30mSv/h，累积剂量：0～999mSv外置探测器：剂量当量率范围：本底～100μSv/h吸收剂量率范围：本底～200μGy/h峰值检测时间100ms相对基本误差不超过±15%重复性≤±10%显示单位μGy/h，μSv/h，CPS数字存储64k字节EEPROM通讯接口电脑接口：USB 2.0，主机和探测器：RS485/蓝牙（可选）报警类别阈值、过载、故障、电池欠压报警阈值测量范围内连续可调报警方式声音工作温度范围-10℃～40℃相对湿度范围≤90%RH（40℃）供电电源3.7V锂离子电池功耗整机耗电≤200mW（不含显示器背光耗电）防护等级IP54我公司是一家专业化的提供第三方检测仪器设备的仪器供应商，从2009年开始为几十家第三方检测公司在实验室方案设计、产品选型、设备供应、安装培训方面提供了专业化的服务,并协助客户顺利拿到相关证书。其中第三方检测所涉及的项目有：1、第三检测中职业卫生技术服务甲级资质申购所需仪器全套设备2、第三检测中职业卫生技术服务乙级资质申购所需仪器全套设备3、第三检测中气相色谱仪、原子吸收分光光度计、原子荧光光谱仪、离子色谱仪及耗材4、第三检测中常规设备中称量、冷冻保存、培养、干燥、加热、离心、搅拌、混匀、净化、消毒等配套设备5、第三检测中环境水质中各指标检测部分成套仪器设备6、第三检测中环境空气中各指标检测部分成套仪器设备7、第三检测中食品饲料中各指标检测部分成套仪器设备8、第三检测中辐射类部分成套仪器设备9、体检中心成套仪器设备--------------------------------------------------------------------------------------第三方检测公司、大学科研院校、食品饲料厂、生物制药公司、自来水污水处理厂、环境保护监督单位成套仪器设备供应商。

供应商：北京众乐仪达科技有限公司

便携高灵敏度，带软件可将测量数据下载保存。

供应商：北京众乐仪达科技有限公司

便携外置传感探头的辐射监测仪，可通过软件连接电脑进行监测，数据可保存在电脑里。

供应商：北京众乐仪达科技有限公司

该仪器便携经济高灵敏度是其最大卖点。

供应商：北京盛田嘉源科技有限公司

Geiger-Mueller Tubes 盖格管计数器 Thin Wall Beta-Gamma Gamma Detectors Energy Compensated GM Detectors QPL Qualified GM Detectors Cross Reference Chart to Other Mfg. Products Tube Types by Increasing Gamma Sensitivity Thin Window Alpha-Beta-Gamma Detectors Pancake Style Mica Window Tubes End Window Tubes Ionization Chambers 电离室探测器 End Window Beta-Gamma Ionization Chambers Gamma Ionization Chambers Neutron Sensitive Ionization Chamber X-Ray Proportional Counters X射线正比计数器 Cylindrical End Window Proportional Counters Cylindrical Side Window Proportional Counters Quadrilateral Side Window Proportional Counters Large Area Beta-Gamma Proportional Counters Pancake Style Proportional Counters Flow Proportional Counters Position Sensitive Proportional Counters Neutron Detectors 中子束探测器 BF3 Detectors 三氟化硼中子束探测器 Neutron Beam Monitors Cylindrical BF3 Neutron Detectors Quadrilateral BF3 Neutron Detectors Spherical BF3 Neutron Detectors He3 Detectors 氦三中子束探测器 Cylindrical He3 Neutron Detectors Quadrilateral He3 Neutron Detectors Spherical He3 Neutron Detectors Position Sensitive He3 Neutron Detectors Fission Chambers 裂变室中子束探测器 Cylindrical Neutron Counters Neutron Beam Monitors Boron Lined Detectors 硼内衬中子束探测器 B10 Lined Neutron Ion Chambers B10 Lined Neutron Proportional Counters B10 Lined Gamma Compensated Neutron Ion Chambers Proton Recoil Counters反冲质子和中子束计数器 Cylindrical Proton Recoil Detectors Spherical Proton Recoil Detectors Special Products Gas Sampling Counters 气体采样计数器 Anti-coincidence Detector反符合中子束探测器 Please don't hesitate to contact us if you have any question. 如有什么问题，请你及时联系我们，所有的产品都按照出厂价销售和供货，质量保证其为12个月。

供应商：阿美特克电子仪器集团

XR-100CR型X射线硅漂移探测器 145eV的能量分辨率！ 全固态设计！ 热电致冷技术无需液氮！ XR-100CR型硅PIN探测器及配套电源PX5 XR-100在火星探测器上的应用 XR-100探头组件示意图 XR-100CR系列产品由高性能X射线探头，前置放大器（前放）和致冷系统组成，首次采用热电致冷技术保持硅PIN光电二极管的低温工作环境，另外在两级热电致冷器上还安装了输入场效应管(FET)和新型温度反馈控制电路，这样探头组件的温度可保持在约零下55摄氏度左右，并可通过组件内置的温度传感器显示实时温度。探头采用TO-8封装，并利用不透光和不透气（真空封装适用）的薄铍(Be)窗以实现封装后的软X射线探测。 XR-100CR系列产品无需采用昂贵的低温制冷系统即可获得非常优越的性能，它标志着X射线探测器生产技术上的一个突破。 产品特性： 1.硅PIN光电二极管探头； 2.两级热电致冷器； 3.探头温度实时显示； 4.铍（Be）窗； 5.多层准直器； 6.密封封装（TO-8）； 7.检测范围宽，适于多种应用； 8.操作简单，易上手。 应用范围： 1. X射线荧光分析； 2. RoHS/WEE标准检测； 3.便携式设备； 4. OEM应用； 5.核医疗学； 6.高校和科研院所教学研究； 7.艺术和考古学； 8.生产过程监控； 9.穆斯堡尔谱仪； 10.航空及宇航应用； 11.核电站辐射监控； 12.有毒物垃圾场检测； 13.粒子诱发X射线荧光分析（PIXE）。 配件： 1. MP1型X射线荧光分析系统装配平台 2.真空应用相关配件； 3.准直套装（高通量应用）； 4.实验室XRF开发套装； XRF设备由此开始 ... ... 图1. 6mm2/500μm尺寸硅PIN探测器测得的55Fe能谱 利用硅PIN探测器测量55Fe（5.9keV的峰）能谱时的能量分辨率为145eV到230eV不等（半高全宽，FWHM），具体分辨率和探测器类型以及成形时间（shaping time）常数有关，详情可参见选购指南。 简要理论说明 入射的X射线会和硅原子相互作用，X射线能量每损失3.62eV就会在硅晶体产生一个电子-空穴对。随着入射能量的不同，能量损失或以光电效应为主，或以康普顿散射(Compton scattering)为主。而探测器吸收X射线能量并产生电子-空穴对的几率（即探测效率）随着硅的厚度增大而变大。 为提高电子-空穴队收集效率，需要在硅晶体上加约100到200伏的电压，而具体大小则取决于硅的厚度。在室温下工作时，该偏压对半导体而言过高，很可能漏电甚至击穿硅晶体。但在XR-100CR型探测器中首次应用了热电制冷技术，保证探头在低温下工作，这样漏电流大大减少，从而可以实现在高偏压下的正常工作。另外高偏压还能降低探测器的电容，进而降低系统噪声。 热电制冷器同时对硅探测器以及场效应晶体管（为电荷敏感前置放大器提供输入）进行冷却。对场效应管的冷却能减少它的漏电流，同时能增加跨导（transconductance），二者都能减少系统的电子学噪声。 实际上光电二极管探测器无法直接光学自复位，因此XR-100CR系列产品应用一种新颖的反馈控制方法来实现电荷敏感前置放大器的自复位。没有继续采用传统产品中的复位晶体管，而是通过发射一个精确的电荷脉冲到场效应管中来实现自复位，其中利用了到探测器的高压连接和探测器电容。该方法避免了自复位晶体管的噪声问题，系统的能量分辨率进一步提高。 利用热电制冷的探测器内部元件的温度会随着室温的变化而改变，故为即时监控这些元件的温度，在硅基底上还安装了一个用于温度监控的二极管芯片。低于-20oC的情况下，XR-100CR的性能在几摄氏度的范围内都不会有明显变化，故在通常室温条件下使用时无需采用闭合环路的温度反馈控制电路，但在OEM手持式X射线荧光谱仪设备应用中则强烈推荐使用温度反馈控制电路。主动温度控制（ATC）模块在PX2CR中是可选的，而在PX5中是默认标配的。 产品参数 常规参数 探头类型 硅PIN探测器(Si-PIN) 硅基底尺寸 6-25mm2 硅基底厚度 300或500μm 准直器 多层准直器 能量分辨率(@55Fe, 5.9keV峰) 145-230eV FWHM (取决于探测器类型和成形时间常数) 本底计数 <3x10-3/s,（对应2-150keV峰值,7mm2/300μm探测器） 铍(Be)窗厚度 1mil (25μm)或0.5mil (12.5μm) 电荷敏感型前置放大器 Amptek定制设计（通过高压连接复位） 增益稳定性（温飘） <20ppm/oC (一般情况下) 外壳尺寸 3 x 1.75 x 1.13 inch, 7.6 x 4.4 x 2.9 cm 重量 4.9 ounces (139g) 总功率 <1W 保修期 一年 产品寿命 五到十年，因具体应用而异 环境温度 0~+40oC 仓储和物流要求 长时间仓储：干燥条件下存放十年以上 一般仓储/物流：-20到+50oC，10%到90%湿度（无冷凝器） TUV Certification Certificate #: CU 72072412 01 Tested to: UL 61010-1: 2004 R7 .05 CAN/CSA-C22.2 61010-1: 2004 输入参数 前置放大器电源 电压正负8到9V，电流15mA，噪声峰峰值小于50mV 探头电源 电压100到200V，电流1μA（因探头种类而异）； 输入需要非常稳定：<0.1%的波动。 制冷器电源 最大电压4V，噪声峰峰值小于100mV，最大电流350mA 注意：XR-100CR探测器自身包含温度控制器 输出参数 复位输出波形 XR100CR的输出在+5和-5V之间； 复位周期会随探测器类型和计数率不同而变化。 前置放大器灵敏度 一般为1mV/keV（不同探测器可能略有不同） 前置放大器极性 负脉冲信号输出（最大负载为1k欧姆） 前端放大器反馈 经过探测器电容复位 温度显示灵敏度 PX2CR中770mV相当于-50oC； 利用PX5可通过软件直接读取温度（单位：开尔文）。 XR-100CR 连接器接口 前置放大器输出 同轴电缆BNC接头 功率和信号 六针雷莫（LEMO）接头（Part# ERA.1S.306.CLL） 互连电缆 单独使用XR100CR：六针雷莫接头（Part# FFA.1S.306.CLAC57）到九针D型接口；配套使用PX5：六针雷莫到六针雷莫接头；长均五英尺。 六针LEMO接头针脚输出 针脚1 温度监控二极管 针脚2 探测器正偏压（高压），最大为+100~200V 针脚3 前置放大器-9V电源 针脚4 前置放大器+9V电源 针脚5 致冷器电源返回 针脚6 致冷器电源输入（电压范围：0~+4V，电流350mA） 外壳 接地和屏蔽 选配组件 1. 其他厚度的Be窗可特别订购（0.3mil到7.5um）； 2. 高通量应用时候的准直器套件； 3. 真空应用相关配件； 4. OEM应用； 5. X-123配置。 图2a. X-123配置，包含探测器，前置放大器，数字处理器及电源的一体化设计。 图2b. 探测器，前置放大器及封装。 图3. XR100CR探测器加长选项 XR100CR的数字脉冲处理器和电源模块 XR-100CR系列产品的电源由PX5(数字脉冲处理器和电源模块组合)提供，而PX5自身的直流输入来源于交流电适配器。PX5提供了数字脉冲处理放大器（0.2~100us峰化时间），多道分析功能以及探测器所需的所有电源。 XR-100CR/PX5的组合系统能确保开机1分钟后稳定工作。 图4. 采用XR100CR和PX5搭建的典型系统的框图。 AMPTEK公司能提供不同的探测器和前置放大器配置以满足不同需要，其对应的针脚输出和电压类型不一样。 图5. 硅PIN和硅漂移探测器的分辨率和峰化/成形时间关系曲线 图6. 不同峰化时间下探测器能量分辨率和输入计数率（ICR）关系，对应XR100CR和PX5情况 图7. 不同峰化时间下的PX5输出能力 准直器的使用 为提高能谱测量的质量，绝大部分Amptek生产的探测器都带有内部准直器。 探测器有效面元(active volume)边缘部分和X射线的相互作用会因不完全电荷收集产生一些小脉冲信号，进而影响测得的能谱数据。而且这些信号可能正处在用户所关心的元素所在的能量范围，降低了信噪比。而内部准直器则可以限制X射线只能打到有效面元内，这就避免了噪声信号的产生。 不同类型的探测器中准直器的应用各有优点：提高峰本比（P/B）；消除边界效应；消除假尖峰信号。 真空环境中的应用 XR-100CR型产品可以工作在10-8托的真空环境到大气压下工作，而真空环境应用有如下两种方案： 1) XR-100CR的探头和前放均置于真空室内部： a. 为保证XR-100CR的正常工作，需避免器件过热，并做好输入的1W功率的良好导热；即利用XR-100CR封装上的四个安装孔，根据具体真空室位形设计散热，将器件热量传导到真空室壁上； b. 在CF（Conflat Flange）刀口法兰上利用可选的真空馈通端子（如9DVF型，九接口）连接XR-100CR和真空室外的PX5电源。 2) XR-100CR全部置于真空室外：需利用可选的真空探测器延长组件（如EXV9型，长9英寸）和标准CF刀口法兰窗口（通过O型金属环密封）配套。 效率曲线 图8（线性坐标）. XR-100CR型探测器的对应完全能量沉积的内禀探测效率。 该效率对应X射线能进入该探测器前端并通过光电效应沉积所有能量到探测器上的概率。 图9（对数坐标）. 考虑各种效应后的收集效率，其中也包含了光电效应的概率影响。 光电效应在低能段主导，而该效应对应了能量的完全沉积，但在超过40keV后，康普顿（Compton）散射效应逐渐显著，不是所有能量均沉积在探测器上。 上面两图同时考虑了铍窗（包括保护层）对X射线透过率的影响以及光子与硅探测器之间的相互作用。曲线的低能部分由铍窗的厚度决定，而高能部分则取决于硅探测器的有效探测厚度。选用特定的铍窗，可使90%的能量为2到3keV的入射光子到达探测器；选用特定的探测器，可接收到90%的9到12keV 的光子。 传输效率文件：包含传输效率方面系数和常见问题解答的.zip格式文件，仅提供基本信息，不能作为定量分析依据。 XR-100在探路者（PathFinder）计划中在火星着陆！！！ 得益于该系列产品的独特设计和可靠性，XR-100在探路者计划中被选中，用于岩石和土壤成分分析。 来自火星的第一个岩石元素成分能谱 图10. 承蒙芝加哥大学提供。 完整的XRF系统 图11. 完整的X射线荧光谱仪系统 图12. XR100CR和Mini-X安装在MP1平台上示意图 完整的X射线荧光谱仪系统包括： 1. XR-100CR型X射线探测器； 2. PX5型数字脉冲处理器，多道分析模块和电源； 3. Mini-X型USB控制X射线管； 4. XRF-FP定量分析软件； 5. MP1型XRF系统装配平台。 更多信息请关注AMPTEK英文官方网站：www.amptek.com。

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XR-100SDD型X射线硅漂移探测器125eV的能量分辨率！ 采用电冷技术;无需液氮！图1. XR-100型硅漂移探测器及配套电源PX5 图2. 硅漂移探头元件示意图 XR-100SDD系列产品由新型高性能X射线硅漂移探头，前置放大器（前放）和致冷系统组成。采用热电致冷技术保持硅漂移探头(SDD)的低温工作环境，而在两级热电致冷器上亦安装了输入场效应管(FET)和新型温度反馈控制电路，这样探头组件的温度保持在约零下55摄氏度左右，并通过组件上的温度传感器显示实时温度。探头采用TO-8封装，并利用不透光和不透气（真空封装适用）的薄铍(Be)窗以实现封装后的软X射线探测。 XR-100SDD系列产品无需采用昂贵的低温制冷系统即可获得非常优越的性能，它标志着X射线探测器生产技术上的一个突破。产品特性：1. 高计数率：500,000 CPS(每秒计数, counts per second)；2. 能量分辨率：125eV（半高全宽，FWHM，对应峰值为5.9keV的情况）；3. 高峰本比：20，000:1“(ratio of counts from 5.9 keV to 1 keV) (typical)” ；4. 面积25mm2，厚度500m；5. 内置多层准直器；6. 不需要液氮制冷。应用范围：1. X射线荧光分析；2. 用于RoHS/WEEE标准检测的X射线荧光谱仪；3. OEM和其他专业应用；4. 生产工艺流程反馈控制；5. 高校和科研院所实验室研究；产品参数：本产品可以适应于用户不同应用时的参数需求。I. 高能量分辨应用： 1. 超高能量分辨率：125eV（对应峰值为5.9keV的情况）； 2. 峰化时间(Peaking time)：11.2s； 3. 计数率：100,000 CPS； 4. 峰本比：,20，000:1；II. 快速峰化应用： 1.能量分辨率：155eV（对应峰值为5.9keV的情况）； 2. 峰化时间(Peaking time)：0.8s； 3. 计数率：500,000 CPS；III. 手持设备应用： 1.能量分辨率：150eV（对应峰值为5.9keV的情况）； 2. 峰化时间(Peaking time)：3.2s； 3. 探测器探头温度保持在250K（-24oC） 4. 计数率：200,000 CPS；XRF设备由此开始 ... ...图3. Amptek硅漂移探测器(SDD)测得的55Fe能谱 产品说明 XR-100SDD型硅漂移探测器（SDD）是Amptek公司出品的一款新型X射线探测器，它标志着X射线探测器生产工艺的变革。XR-100SDD因其体积小，性能优越且价格便宜等特点，是OEM手持式和台式X射线荧光谱仪设备的理想选择；而且它在保证优异的能量分辨的同时还能达到相当高的计数率，可以满足各种参数需求；另外封装采用和Amptek出品的其他探测器一样的T0-8型外壳，方便用户升级现有系统以及和其他Amptek产品配套。 硅漂移探测器工作原理和硅PIN(Si-PIN)光电二极管类似，但它利用单电极结构大大提升了性能。Amptek公司专门为X射线能谱测量应用优化了其所有硅漂移探测器产品。 同样的探头面积下，硅漂移探测器电容比传统硅PIN探测器电容低很多，则所需成型时间变短，电子学噪声也会大大降低。因此硅漂移探测器可以相同（较高）的计数率下得到比传统探测器好的能量分辨率。另外为引导电子移动到相当小的低电容阳极上，探测器中的电极结构是特制的。 产品参数常规参数探头类型硅漂移探测器(SDD)探头尺寸25mm2硅晶体厚度500μm准直器内置多层准直器(ML)能量分辨率(@55Fe, 5.9keV峰)125-140eV FWHM (11.2μs峰化时间)峰本比(Peak to Background)20，000:1 (5.9keV,1keV计数比)典型的铍(Be)窗厚度0.5mil (12.5μm)电荷敏感型前置放大器Amptek定制可复位放大器增益稳定性（温飘）<20ppm/ oC (一般情况下)外壳尺寸3 x 1.75 x 1.13 inch, 7.6 x 4.4 x 2.9 cm重量4.4 ounces (125g)总功率<1W保修期一年产品寿命五到十年，因具体应用而异环境温度0~+50oC仓储和物流要求长时间仓储：干燥条件下存放十年以上 仓储/物流需求：-20到+50 oC，10%到90%湿度（无冷凝器）TUV Certification Certificate #: CU 72072412 02 Tested to: UL 61010-1: 2004 R7 .05 CAN/CSA-C22.2 61010-1: 2004输出参数前置放大器电源电压正负8到9V，电流15mA，噪声峰峰值小于50mV探头电源电压-90到-150V，电流25μA； 输入需要非常稳定：<0.1%的波动。制冷器电源最大电压3.5V，最大电流350mA，噪声峰峰值小于100mV； 注意：XR-100SDD探测器自身包含温度控制器输出参数前置放大器灵敏度一般为1mV/keV（不同探测器可能略有不同）前置放大器极性正脉冲信号输出（最大负载为1k欧姆）前端放大器反馈复位温度显示灵敏度利用PX5/X-123等直接读取温度（单位：开尔文）可选配置或配件X-123SDD 硅漂移探测器（SDD）也有对应的X-123SDD谱仪配置。该集成化配置包含了X射线探头，前置放大器，DP5数字脉冲处理和多道分析模块，以及PC5电源模块。而用户仅需提供+5V的直流输入和到您的电脑的USB/RS232/以太网连接。 包含硅漂移探测器的X-123SDD谱仪产品真空配件和所有Amptek真空配件兼容OEM和所有Amptek OEM配件兼容注意事项：1. 硅漂移探测器需要负高压，而前放输出为正脉冲。这和标准Si-PIN探测器所要求的正高压，而前方输出为负脉冲正好相反；2. PX5电源模块可以输出正或负的高压。若您为XR100SDD配套订购了PX5模块，则PX5必须设置为负高压输出。在使用XR-100CR探测器时，因错误设定PX5为负高压输出导致的探测器损坏不在保修范围之内。而使用XR-100SDD探测器时，因设定PX5为正高压输出导致的探测器损坏亦不在保修范围之内。准直器的使用 为提高能谱测量的质量，绝大部分Amptek生产的探测器都带有内部准直器。 探测器有效面元(active volume)边缘部分和X射线的相互作用会因不完全电荷收集产生一些小脉冲信号，进而影响测得的能谱数据。而且这些信号可能正处在用户所关心的元素所在的能量范围，降低了信噪比。而内部准直器则可以限制X射线只能打到有效面元内，这就避免了噪声信号的产生。 不同类型的探测器中准直器的应用各有优点：提高峰本比（P/B）；消除边界效应；消除假尖峰信号。真空环境中的应用 XR-100SDD型产品可以工作在10-8托的真空环境到大气压下工作，而真空环境应用有如下两种方案： 1) XR-100SDD的探头和前放均置于真空室内部： a. 为保证XR-100SDD的正常工作，需避免器件过热，并做好输入的1W功率的良好导热；即利用XR-100SDD封装上的四个安装孔，根据具体真空室位形设计散热，将器件热量传导到真空室壁上； b. 在CF（Conflat Flange）刀口法兰上利用可选的真空馈通端子（如9DVF型，九接口）连接XR-100SDD和真空室外的PX5电源。 2) XR-100SDD全部置于真空室外：需利用可选的真空探测器延长组件（如EXV9型加长管，长9英寸）和标准CF刀口法兰窗口（通过O圈密封）配套。图4. 真空条件使用中可选的延长组件图5.高采样率X射线束线系统中Amptek高性能SDD的应用（定制法兰，4个SDD探测器）其他系统说明及性能曲线 图6.SDD的能量分辨率和峰化时间曲线 图7. Si-PIN和SDD探测器的分辨率-峰化/成形时间曲线对比 图8. 对应不同峰化时间的能量分辨率和输入计数率曲线（SDD配套DP5使用） 该图也表示了最大输出计数率曲线（黑色虚线）。而系统工作参数在该曲线右边区域时，尽管输入计数率很高，但输出计数率仍会小于最大值，具体情况见下图9。 图9. 不同峰化时间下SDD的输入计数率和输出计数率曲线（输出效率） 由于SDD探测器具有更小的电容，在成型放大器中较短的成形时间即可保证较好的能量分辨率。通常使用9.6μs或更小的成形时间，这极大提高了系统的输出效率。 图10. 使用SDD得到的55Fe能谱 图11. 不同峰化时间下SDD探测器的能量分辨率和对应能量峰值曲线 图12. 综合考虑铍窗（及保护膜）的传输效率及和Si晶体的相互作用效率后不同能量的传输率曲线。 曲线的低能量部分由铍窗厚度决定（0.3mil/8μm或0.5mil/12.5μm），而高能量部分则由Si晶体有效厚度决定：500μm。传输效率文件：包含传输效率方面系数和常见问题解答的.zip格式文件，仅提供基本信息，不能作为定量分析依据。SDD应用中的各种能谱图利用高性能硅漂移探测器（Super SDD）和Mini-X型X射线管测得的不同样品的荧光能谱: 图13. SS316型不锈钢 图14. PVC样品（RoHS/WEEE标准） 图15. CaCl2溶液（800ppm Ca, 1200 ppm Cl） 图16. 含有少量KCl的原油（1100ppm）中的S元素 图17. 汽车催化剂 图18. 铂金(Pt)戒指 完整的X射线荧光谱仪（XRF）系统图19. 安装于MP1型平板上的XR100SDD探测器和Mini-X发生器 完整的XRF系统包括： 1. XR-100SDD型硅漂移探测器； 2. PX5型数字脉冲处理器，多道分析器及电源； 3. Mini-X型USB控制X射线管； 4. XRF-FP定量分析软件； 5. MP1型XRF系统安装平台。 更多信息请关注AMPTEK英文官方网站：www.amptek.com。

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MONOBLOCK，一体化X射线源技术特点出射线角度范围。非准直X射线光束形成Ω角度的锥形。阳极层的厚度为150微米，Ω的典型值是125°。辐射光谱。射线源的原发射光谱主要取决于阳极材料和电压值。它包含强烈的典型线条和连续的轫致辐射。光谱的软射线部分能量低于5KV，也取决于阳极层的厚度和X射线光束输出角度。典型的发射光谱与钼阳极，通过半导体硅光谱仪获得展示如下图所示。阳极类型-透射式阳极层材料：金刚石，铍阳极材料：铜，钼，银，钨焦点尺寸：阳极30微米运行电压10-40kV功率：5W（金刚石涂层时12W）重量：400g尺寸：120*40*70mm射线源的重量和尺寸取决于不同的型号。图片为距离射线源0.5米距离的原射线光谱。附件附件包括-辐射过滤片-准直仪-单色仪辐射过滤片是铝箔或者是元素周期表中中间组的金属用来分别吸收软硬射线。根据预先决定好的辐射角度，限束仪提供了一个狭窄方向的锥形光束或者扇形光束。

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这是全球范围内最具性价比的成像X射线显微镜，它可以在客户现有的光学显微镜的基础上直接升级，以超低成本实现X射线显微成像系统和成像X射线显微镜功能,也可以配置整套系统，真正意义上的非侵入性内部成像。这款成像X射线显微镜帮助客户观察样品的自然状态，而不需要任何样品制备工作。它可以与世界上任何商用的倒置显微镜匹配，轻松升级到X射线显微成像系统。该X射线显微成像系统配备具有美国专利的单晶闪烁体技术，以超低价格提供超低分辨率。成像X射线显微镜参数：10-50KVp X射线源3微米分辨率样品尺寸科大 60x60x60mm无限的有效视场瞬时视场（FOV）高达10mm（取决于物镜）X射线单元重量:<10kgX射线单元尺寸：350x150x200mmX射线显微成像系统主要应用：微小动物研究组织样品研究SEM样品准备纳米科学材料科学刑侦分析失效分析印刷电路板检测集成电路分析制药研究

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系统必配硬件组成：- γ探测组件：塑料闪烁体4块+低噪声光电倍增管8套- 支撑结构：立柱及防水箱4套- 探测器准直：5面环铅铅盒4套- γ自标定装置：低活度天然放射性矿物盒（非放射源）1枚- 报警装置：现场及控制中心声光报警各1套- 中心管理控制系统：电脑、硬盘、数据库及分析软件1套- 传输组件：TCP/IP传输组件1套- 稳压续航装置：UPS不间断电源1套- 设备安装基础：钢筋水泥砼体、钢制平台1套- 报告输出：激光彩色打印机1台，打印纸2包

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iDefender是一款一体式数字化多功能辐射巡测仪，它可以满足10个量程级别，对X、γ、中子三种射线的进行精测量，对γ射线进行能谱分析，同时防水、防尘可以在恶劣环境下工作。iDefender有着广泛的用途，如环保监测、放射卫生监测、国土安全监测、公共安全监测、核电站、实验室以及核技术应用等场合，同时也适用于再生资源行业废旧金属的放射性检测。

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RJ39型表面污染测量仪适用于α、β辐射表面污染检测。仪器采用双闪探测器，具有较高的探测效率；能同时测量α、β、γ，并自动区分α、β/γ检测结果，是环境试验室、核医学、分子生物学、放射化学、核原材料运输、存储和商检等领域进行α、β表面污染检测的理想仪器。主要用于对放射监测有较高要求的场合，如环保监测、放射卫生监测、国土安全监测、公共安全监测、核电站、实验室以及核技术应用等场合。

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下一代硅漂移探测器 (Next Generation SDD)超快型硅漂移探测器 (Super Fast SDD) 10倍通量 & 不损失任何分辨率 能量分辨率（FWHM,[eV]）峰化时间（微秒）125813511450.2图1. 能量分辨率和峰化时间曲线 图2. 不同峰化时间条件下超快型硅漂移探测器的输出计数率和输入计数率的关系 图3. 不同峰化时间条件下超快型硅漂移探测器的能量分辨率和输入计数率的关系 图4. 一秒钟采集结果的定量分析1（样品为316型不锈钢-NIST 3155） 而以下表格则显示了图4中数据的定量分析结果。 元素合格浓度Super SDD仅需1秒V0.050.16±0.28Cr18.4518.32±0.80Mn1.630.0±0.55Fe64.5165.89±1.64Co0.10.00±0.40Ni12.1812.56±0.47Cu0.170.19±0.02Mo2.382.34±0.08 图5. 1.2Mcps输入计数率（ICR）情况下测量锰（Mn）样品 图6. 一秒钟采集结果的定量分析2（样品为焊锡）更多信息请关注AMPTEK英文官方网站：www.amptek.com。

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主要特色:180 kV/ 15 Wnanfocus CT系统，拥有长久耐用的开放式X射线管，只需要少量的维护即可。高精度-空气轴承旋转装置提供了高精准的CT扫描影像通过菱形或窗口（可选择）以同样的高分辨率影像水平进行快达2倍的资料采集基於花岗岩的操作和可选择性的热安定性，提供最高的精密度及高稳定性可於1小时之内自动生成第一件检测记录提供从亚um到高强度应用模式的4种操作模组使用极佳的软体模组以确保最高的CT影像质量且易於使用，例如:▲使用datos / x 2.0点选并直接测量CT来进行高精度度并可重现的3D测量: CT扫描、重组及分析过程的全自动化执行。▲通过VELO / CT在几秒钟或几分钟内（取决於样品体积大小）完成更快速的3D-CT重组影像极为精简的扫描系统，非常适用於小型实验室使用。nanoCT可以将图层面板逐层显示玻璃纤维复合材料的nano-CT ∶纤维毡（蓝色）的纤维方向和基质树脂（橙色）会清楚显示出来利用3D检视焊接接点内部的空隙间隙分布清晰可见对气缸盖3个装置的CAD差异分析和测量玻璃纤维增强塑料样品的nano-CT ∶ 玻璃纤维和矿物填料（紫色）的凝聚体的排列和分布都清晰可见。纤维大约有10um宽高分辨率电脑断层扫描(micro-ct 与nano-ct)广泛用於检测地质样品格最大管180 kV最大功率15 W能力高200nm (0.2m)最小焦物距0.4um最大3D像素分辨率< 500nm (0.5m)何放大倍率(3D)1.5 倍到100 倍最大目尺寸(高x 直)150mm x 240mm/ 5.9" x 6.4"最大品重量2 kg/ 4.4 lb像500素平板位器列2D X射成像不可3D描可以先的表面提取可以（可）CAD 比+ 尺寸量可以（可）系尺寸(1640 x 1430 x 750 mm), (64.6” x 56.3” x 29.5”)系重量1300kg/ 2866 lb射安全- 全防射安全，依德ROV和美性能21 CFR 1020.40 (X-Ray系)。- 射漏率：台壁的10cm量 <1.0Sv/h。地/生物科 高分辨率描(micro-ct nano-ct)泛用於地品，例如:新源的探索。高分辨率CT-系以微高解析提供岩石品、粘合、合和空洞的3D像，助分辨特定的品特徵，如含油岩石中空洞的大小和位置。塑料工程 在塑料工程中，高分辨率的X射技用於通探孔、水泡、焊接和裂分析缺陷化造和程。 X射算描(micro ct nano ct)提供具有以下物特的3D像：如晶粒流模式和填料分，以及低比度缺陷。玻璃增塑料品的nano-CT ： 玻璃和物填料（紫色）的凝聚的排列和分都清晰可。大有10um。量 用X射行的3D量是唯一的可物部行量的技。通式坐量技的比，一物行描的同可得所有的曲: 包括所有法使用其他量方法害入的蔽形，如底切。 v/tome/xs 有一特殊的3D量包，其中包含空量所需的所有工具，校器到表面提取模，具有可能的最大精度，可再且具和力. 除了2D壁厚量外，CT可以快速方便地CAD行比，例如，分析完成元件，以保其符合所有的定尺寸。缸3置的CAD差分析和量。感器和工程 在感器和子件的中，高分辨率X射技主要用於和估接、接、箱子、子和配情。甚至可以半元件和子（焊），而需拆卸。Nano-CT 示CSP件的焊接接。焊接接的3D形，直400um，空隙隙分清晰可。焊接接部，不同的共晶焊料相是可的。材料科 高分辨率描(micro-ct nano-ct)用於材料、合材料、材料和陶瓷，但也可用於地或生物品行分析。材料分配、空隙率和裂在微上是3D可的。玻璃合材料的nano-CT ：（色）的方向和基脂（橙色）清楚示出。片右: 脂的空洞以暗出。左： 脂已淡出，以更好地使可化。的跟是可的。3D描 工X射3D描(micro-ct nano-ct) 的用是金和塑料件的及3D量。phoenix| X射的高分辨率X射技了在多域的新用，如感器技、子、材料科以及多其他自然科。SMD感器的nanoCT, 尺寸0805 (2.0 mmx 1.2 mm). 三X射像示了後後的部圈。在任何常的X光片中，面板都是重的，但nanoCT 成功地象逐示。

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产品特色∶1.主要功能∶满足最高检测要求，如半导体和SMT的高精密封装产品。高功率nm焦点管(4合1)，实现从nm分辨到高功率多种应用。可配高清晰分辨的数位影像系统，400万画素即时数位图像。180 kV/ 15W的高功率微聚焦管具有高达200nm的细部检测能力。经由优秀的即时双视野图像增强器技术（数位图像链和自动恒温的数位检测器，可达每秒30帧）。先进的射线能量稳定技术。高放大倍率，下倾斜视角达70度。自动检测BGA、CSP、QFP、PTH等焊点与空隙分析，弯曲度计算。维修率低，寿命长，开放式nanofocus光管。人体工学设计，操作更简便。高度的可再现性。可升级到nanoCT系统可选配∶基於高分辨率自动化X射线检测(μAXI)，xact软体模组可方便快速的CAD以达到极高的缺陷覆盖率，并具有高放大倍率和高度可再现性。高动态恒温GE DXR数位检测器可侦测30 FPS（每秒30帧）的清晰即时影像。10秒内的3D CT扫描功能(选配)。高达2倍的速度在相同的高影像品质等级的钻石|视窗作为一个新的标准的资料撷取2.客户利益∶可结合2D/3D的CT操作模式透过优秀的即时图像双检测器技术（数位图像链和自动恒温的数位检测器，可达每秒30帧）检测步骤的自动化是有可能的杰出的操作便利性2D焊及焊查2D裂格最大管180 kV最大功率15 W部能力高0.2 μm最小焦物距0.3 mm最大3D像素的分辨率(取於象的大小)< 1 m何倍率(2D)高1970倍何放大倍率(3D)300倍最大目尺寸(高 x 直径)680 mm x 635 mm / 27" x 25"最大目重量10 Kg / 22 磅像200像素的位像操作5的品方向移操作(X、Y、Z、R、T)2D X射成像可以3D CT描可以(配)系统尺寸1860 mm x 2020 mm x 1920 mm (73.2” x 79.5” x 75.6”)系统重量2600 Kg / 5070 磅射安全- 全防射安全，依德ROV和美性能21 CFR 1020.40 (X-Ray系)。-射漏率：台壁的10cm量 <1.0Sv/h。用域：SMTICBGA 基板精密零件子零件PCBA 半封

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1.次微米高解析度2.光管是Open tube解析度好, 定度高, 成本低, 有命限制的光管, 需更, 而且客可以自行更3.160KV/20W 高功率4.高分辨率4”野像增器5.影像清晰快速6.品5同步7.可充CT 功能 2D Micro BGA 黏著 散片的泡 3D CT 零件 3D BGA 影像 格 何放大倍率2100x 放大倍率>23000x 分辨率 小於1微米(<1mm)X射管 次微米等(<1mm) 最大管160KV 最大管功率20W 影像增 高分辨率4”野像增器 器2M像素高分辨率CCD 最大410mm×410mm 最大工件尺寸/重量410mm×410mm/5kg 斜角ovhm 旋可角70°，n×360° 操控模式 操控操控或鼠(手模式) 控程控制(自模式) 速(X-Y-Z)10μm/s到80mm/s 像理件 phoenix x|act base 全面的X射像分析件 包含像比增和波功能、量功能、控程功能bga|module BGA焊自功能 系尺寸 尺寸(W x H x D) 1800mm×1900mm×1815mm（不包括控制台） 高度可控制面板400mm 最大重量2050kg 射安全防 全方位防防玻璃窗的安全屏蔽室射漏量率<1μSv/h，符合 旋步件(配) 最大工件重量2kg 助定位置(配) 雷射定位瞄 助定位置(配) 旋台用PCB板支架置 最大板尺寸310mm×310mm (12"×12")用域：SMTICBGA 基板精密零件子零件PCBA 半封

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主要功能用於二维X射线成像，无需维护式的100千伏X微焦点射线管自动微焦点X射线检测，如BGAs等焊点，空隙分析细节分辨率小於2um高品质数位化影像系统精密设计，设备体积小人体工学设计，操作简便在一个50 °探测器角斜位的通孔电镀。所有的8个图层连接清晰可辨。IC检测继电器2D分析2D陶瓷基板检测设备规格最大管电压100 kV最大功率10 W细节检测能力高达3um最小焦物距4.5mm几何放大倍率（2D）高达75倍最大目标尺寸(高x直径)28”x 22”(710 mmx 560 mm)最大物体重量5 kg / 11 lb图像链672 x 568操作3轴的样品操作2维X射线成像可以系统尺寸1.270 mmx 1.510 mmx 1.550 mm/ 50” x 59.4” x 61”系统重量1300 kg / 2866 lb辐射安全- 全防辐射安全机柜，依据德国ROV和美国性能标准21 CFR 1020.40 (机柜X-Ray系统)。- 辐射泄漏率：从机台壁的10厘米处测量 <1.0μSv/h。应用领域：SMT厂IC厂BGA 基板电子零件PCBA 组装半导体组装

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设备特点 360°旋转移动检测平台 320KV微焦点X射线管 数位二极管阵列探测器 独立的重建电脑工作站 CT软体datos|x 320KV辐射防护样品室 强化的滤波反投影重建算法（Feldkamp） X射线非破坏性检测用於检测铸件和焊缝缺陷 19股线进入，但只有17股线退出压接区，由於缺乏材料，压接区内形成了小空洞设备规格CT系统类型锥束最大3D像素分辨率65 um最大几何放大倍率(3D)1.3倍X射线管类型密闭式，金属陶瓷馆冷却方式油冷却最大管电压320kV最大功率800W(小焦点)、1800(大焦点)光束尺寸0.4mm(800W) 或 1mm(1800W)分辨率0.2mm(800W) 或 0.5mm(1800W)靶材阳极W靶，可旋转靶材多次使用灯丝阴极W丝，即插式结构，更换简单快捷数位二极管阵列471mm画素数量5565画素画素分辨率85 um图像撷取速度≤50FPS样品载台样品室WxHxD 600x2120x1115 mm(不含操作平台和其他外部部件)样品室重量约5000Kg电力控制间独立空间，包含冷却系统总重量6500Kg安全辐射防护室铅钢防护，铅玻璃，辐射　露剂量率<1uSv/hCT数据采集和图像重建软件datos|x，phoenix|x-rays提供的软体以实现快速精确的CT功能采集时间10秒到几分钟重建时间每层12秒到几分钟算法强化的滤波反射投影重建算法辐射安全- 全防辐射安全机柜，依据德国ROV和美国性能标准21 CFR 1020.40 (机柜X-Ray系统)。- 辐射　漏率∶从机台壁的10cm处测量 <1.0μSv/h。选购配件∶CT扩展软体选择ROI|scan∶CT成像是检查区域放大倍率的强化功能agc|module∶自动几何校正bhc|module∶射束硬化校正surface|extraction∶自动辨?并撷取3D立体数据标明点位visualisation software∶Volume Graphics VGStudio MAX重建加速∶可升级的3D加速运行datos|x探测大小∶400um有效宽度∶470mm画素大小∶1525画素灰度范围∶65536（16位）控制∶集成的Phoenix|x-ray操控软体旋转轴∶ n×360°可检测工件最大直径∶ 350 mm可检测工件最大高度∶ 590 mm可检测工件最大重量∶ 50kg

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设备特点适用於大型零件的精确检测分析高精度的6轴样品测试平台系统可检测重达100Kg的样品高功率微焦点X射线管，225kV/320WCNC可编列程序，实现自动检测可配高品质的全数位化影像系扩充性-可扩充便利装卸的零件装夹平台升级性-可升级微焦点CT系统(3D系统)人性化的操作平台设计 X射线非破坏性检测用於检测铸件和焊缝缺陷 19股线进入，但只有17股线退出压接区，由於缺乏材料，压接区内形成了小空洞设备规格几何放大倍率1.7~150倍总放大倍率900?W分辨率2?m密度分辨率0.5%光管开放式 真空系统坚固耐用的无油式涡轮真空泵靶材W靶最大管电压225 kV 可自行选择最大功率320WX光束尺寸2?m最小焦距4.5mm样品平台X轴±325 mmY轴900 mmZR轴550 mm（X射线管在C型臂上）ZD轴300 mm（探测器在C型臂上）倾斜轴0到±30o旋转轴nx 360o样品可移动到样品室外，很方便地装卸待测样品样品最大重量100公斤控制操纵杆（手动模式）或编程控制（自动模式）轴运动速度10 μm/s到50 mm/s(XYZ,D)操控辅助系统X射线进行扫描，点击移动功能，点击放大功能，自动保持视野中心功能幅射防护自动门安全样品室铅钢防护，铅玻璃，双联锁，辐射　漏率∶小於1μSv/s设备尺寸2380mm x 2850mm x 1950mm（W x H x D）（不包括操作电脑）高压产生气435mm x 570mm x 900mm（W x H x D）(放置在样品室之外)重量6000Kg微焦点CT系统(选配)CT配置高对比度探测器 精密转台 结构重建软体辐射安全- 全防辐射安全机柜，依据德国ROV和美国性能标准21 CFR 1020.40 (机柜X-Ray系统)。- 辐射　漏率∶从机台壁的10cm处测量 <1.0μSv/h。附件∶控制器使用控制器控制系统的硬碟体元件，配备了双/四核心的最新处理技术重建/视觉化工作模式根据目前Intel Xeon处理器技术（多CPU和多核心设计）的高端工作站选购配件立式控制台，带两个同步监视器，显示实际图像和强化图像便利装卸的零件装夹平台 应用领域3D电脑断层扫描应用：针对金属和塑胶铸件的检测和3D测量.例如:涡轮叶片高分辨率电脑断层扫描 ：可以做材料分配、空隙率和裂缝在微观分辨率上是3D可视

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主要功能160kV/ 320W高功率开放nm焦点管具有高达1um的细节探测能力应用广泛，适用於各种中等尺寸物件的分析检测浅显易懂的操作可检测物件重达10kg通用5轴或6轴机械平台系统高功率nm射管，最大管可240kv可高功率nm射线管，最大管电压可达200nm(0.2um)可选高功率nm射线管，细节分辨能力可达200nm(0.2um) 可选高图像质量的数字影像系统可配置功能卓越的CT系设备规格最大管电压160 kV最大功率320 W细节检测能力高达1um最小焦物距4.5 mm几何放大倍率（2D）高达170倍最大目标尺寸(高x 直径)400mmx 300mm/ 16" x 12"最大物体重量10 kg/ 22 lb图像链200万像素的数字图像链操作5轴的样品操作2D X射线成像可以系统尺寸1500 mmx 2330 mmx 1686 mm/ 59” x 91.7” x 66.4”系统重量2800kg/ 6172.9 lb辐射安全- 全防辐射安全机柜，依据德国ROV和美国性能标准21 CFR 1020.40 (机柜X-Ray系统)。- 辐射　漏率∶从机台壁的10cm处测量 <1.0μSv/h。选购配件∶通过高动态温度稳定的GE DXR数字探测器与主动冷却（可选）获取的30 FPS（帧每秒）的清晰的影像240kV/ 320W高功率开放nm焦点管180kV/ 15W高功率nm焦点管具有高达0.2um的细节探测能力质量检查 :可人工检查自动程序运行结果的维修站软件，如bga模块，qfp模块或vc模块。转换器∶软件包转换结果文件，由质量保证制作成其他格式，是第三方软件要求的。质量分析:用於分析和人工观察检查结果的软件，由自动程序收集，并由质量检查分析软件来检查。应用领域塑料工程：在塑料工程中，高分辨率的X射线技术用於通过探测缩孔、水泡、焊接线和裂缝并分析缺陷来优化铸造和喷涂过程。 X射线计算机断层扫描(micro ct 与nano ct)提供具有以下物体特点的3D图像∶如晶粒流模式和填料分布，以及低对比度缺陷。玻璃纤维增强塑料样品的nano-CT ∶ 玻璃纤维和矿物填料（紫色）的凝聚体的排列和分布都清晰可见。纤维大约有10um宽。感应器学和电气工程：在感应器和电子组件的检测中，高分辨率X射线技术主要用於检测和评估接触点、接头、箱子、绝缘子和装配情况。甚至可以检测半导体元件和电子设备（焊点），而无需拆卸设备。Nano-CT显示CSP组件的焊接接点。焊接接点的3D形状，约直径400um，空隙间隙分布清晰可见。焊接接点内部，不同的共晶焊料相是可见的。铸件与焊接相关：射线无损检测用於检测铸件和焊缝缺陷。

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主要功能：灵活通用的CT系统，适於一般工作的2D和3D检测独特的开放式双X射线源可选择，240kV为焦点射线管与180kV高功率nm焦点X射线管高精密CNC控制机械平台，可承受样品重量达10kg高对比度平板检测器可用两倍大视野扫描，检查大型工具并获得更大的放大倍率和分辨率可实现批量2D/3D自动检测增加约10倍灯丝寿命，更长的使用寿命灯丝（可选配）确保了长期稳定性和最佳系统效率通过菱形|视窗（可选）以同样的高图像品质水准进行快达2倍的资料截取通过高动态温度稳定的GE DXR数位探测器获取的30 FPS（帧每秒）（可选配）的快速CT采集和清晰的活动影像效益特点：3D测量软体用於空间测量，具有极高精度、再现性和简易上手在少於1小时之内自动生成首件检测记录是可能的使用极佳的软体模组以确保最高的CT品质且便於使用，例如1.通过点击并测量|CT 用 datos|x 2.0进行高精度可重现的3D测量: 全自动化执行的CT扫描，重建和分析过程2.通过 VELO | CT在几秒钟或几分钟内（取决於体积大小）完成更快的三维CT重建 齿轮结构分析图 生物甲烷石灰样品的nanoCT 透过3D检测可以显示整体的内部状况 玻璃纤维和矿物填料（紫色）的凝聚体的方位和分布都清晰可见。 纤维宽度大约为 10 m 对气缸盖3个装置的CAD 差异 分析和测量 19股线进入，但只有17股线退出压接区，由於缺乏材料，压接区内形成了小空洞 对气缸盖的三维测量 铝铸件的3D微焦点电脑断层扫描(micro ct)含有一些空隙率附件∶控制器使用控制器控制系统的硬碟体元件，配备了双/四核心的最新处理技术重建/视觉化工作模式根据目前Intel Xeon处理器技术（多CPU和多核心设计）的高端工作站设备规格最大管电压240 kV最大功率320 W细节检测能力高达1μm最小焦物距4.5 mm最大3D像素分辨率（取决於物体大小）<2 μm(3D), nanoCT 结构对立体像素分辨率达 <1μm (3D)几何倍率（2D）1.46 倍到180 倍几何放大倍率 (3D)1.46 倍到100 倍最大目标尺寸 (高 x 直径)420 mm x135 mm / 16.5" x 5.3"最大样品重量10kg/ 22 磅操作带精密转台的稳定灵活5轴操作器2D X射线成像可以3D电脑断层扫描可以先进的表面选取可以（可选配）CAD 比较+ 尺寸测量可以（可选配）系统尺寸2330 mm x 1690 mm x 1480 mm / 91.7” x 66.5” x 58”系统重量大约2900 kg/6393.4磅辐射安全- 全防辐射安全机柜，依据德国ROV和美国性能标准21 CFR 1020.40 (机柜X-Ray系统)。- 辐射　漏率∶从机台壁的10cm处测量 <1.0μSv/h。应用领域感测器相关电子元件(焊点)铸件与焊接相关汽车制造(气缸盖)真空帮浦相关(涡轮叶片)精密零组件(金属、塑胶件)地质情况与探测塑胶工程

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主要功能： X射源( 450kV常焦射管和240kV焦射管) 化用於CT - 以金/陶瓷材料，用於大型和高吸收的品之CT描 器(平板器和列器) 高比度平板器，2048x2048像素 高精密10械控制平台 台，快速工具3D2D成像的切 高10倍的增加的命，通命的（可配）保久定性和最佳系效率 通高度定的GE DXR位探器取的30 FPS（每秒）（可配）的快速CT集和清晰的活影像 可行超高精度的3D量 效益特： 量用於空量，具有高精度、再性，而且操作 使用佳的模以保最高的CT品且便於使用，例如1. 通量|CT使用datos|x 2.0行高度可重的3D量： 全自化行的CT描，重建和分析程 2. 通 VELO | CT在秒或分（取於大小）完成更快的3D CT重建 的片件可利用3D精地分析故障部位 玻璃和物填料（紫色）的凝聚的方位和分都清晰可。 度大 10 m 19股入，但只有17股退出接，由於缺乏材料，接形成了小空洞 缸的三量 件的3D微焦描(micro ct)含有一些空隙率 格 最大管 450 kV (可配 2 X-ray射源(240 kV微焦和450 kV微焦的X射管)) 最大功率 1500 W 能力 高1m 最小焦物距 4.5 mm 最大3D像素分辨率（取於物大小） < 1.3 m 何倍率（2D） 1.25 倍到 555 倍 何放大倍率 (3D) 1.25 倍到 333 倍 最大目尺寸(高 x 直) 1000 mm x 800 mm / 39" x 31.5" 最大品重量 100kg/ 220.5lb 操作 提供且定高精密的花岩基底的7操作器 2D X-ray射成像 可以 3D描 可以（可易2D和3D描模式） 的表面取 可以（可） CAD 比+ 尺寸量 可以（可） 系尺寸 6500 mm x 3400 mm x 3300 mm / 256” x 134” x 130” 系重量 22 t / 143300 lb 射安全 - 全防射安全，依德ROV和美性能 21 CFR 1020.40 (X-Ray系)。 - 射漏率：台壁的10cm量 <1.0Sv/h。 附件：控制器 使用控制器控制系的硬碟元件，配了/四核心的最新理技重建/化工作模式 根目前Intel Xeon理器技（多CPU和多核心）的高端工作站用域：感器相子元件(焊)半元件件焊接相汽造(缸)真空浦相(片)精密零件(金、塑件)

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主要功能 300kV的射管（在焦和品大小之有5mm的距）,高的放大倍率可用於高吸收率的品之定量、非破式 可配180kV/15Wnm焦射源 高比度平板探器，2048x2048像素 基於花岩基座的高精度，高定度械系 高精度3D量，不可行何量，具有高精度、高再性，而且使用方便 零件和大型件可行缺陷辨和可再的3D量 2D X射和3D描(micro CT and nano CT) 模式之可，部分辨率可1m 效益特： 泛用於不同品而需改X射管 通高度定的GE DXR位探器取的30 FPS和菱形窗口（可配）的快速CT集和清晰的影像 通 VELO | CT在秒或分（取於大小）完成更快的3DCT重建 用&量|CT行高精度且可重的3D量，使用datos | X 2.0 - 在少於1小之自生成首件是可能的 高10倍的增加的命，通命的|（可）保了期定性和最佳系效率 的片件可利用3D精地分析故障部位 玻璃和物填料（紫色）的凝聚的方位和分都清晰可。 度大 10 m 透3D可以示整的部 缸的3D量 件的3D微焦描(micro ct)含有一些空隙率 格 最大管 350 kV 最大功率 500 W 能力 高1m 最小焦物距 4.5 mm(CT5mm) 最大3D像素分辨率（取於物大小） <2 m(300kV光管), 1m(180kV光管) 何倍率（2D） 1.25 倍到333 倍 何放大倍率 (3D) 1.25 倍到200 倍 最大目尺寸(高 x 直) 500 mm x 500 mm / 23.6" x 19.7" 最大品重量 50kg/ 110.23lb 操作 提供且定高精密的花岩基底的7操作器 2D X-ray射成像 是 3D描 是 的表面取 可以（可） CAD 比+ 尺寸量 可以（可） 系尺寸 4100 mm x 2600 mm x 2960 mm / 161.4” x 102” x 116.5” 系重量 大 22 t /48501 lb 射安全 - 全防射安全，依德ROV和美性能 21 CFR 1020.40 (X-Ray系)。 - 射漏率：台壁的10cm量 <1.0Sv/h。 附件：控制器 使用控制器控制系的硬碟元件，配了/四核心的最新理技重建/化工作模式 根目前Intel Xeon理器技（多CPU和多核心）的高端工作站2倍重建集群-velo|CT-2x 使用基於高瑞形理器技的理元行工作站的加速重建用域：感器相子元件(焊)半元件件焊接相汽造(缸)真空浦相(片)精密零件(金、塑件)

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主要功能240 kV / 320 W开放式微焦点X射线管单极240kV射线管，细部分辨率可达1um可选配高功率180kVnm焦点射线源高达10倍的增加的灯丝寿命，通过长寿命的灯丝（可选配）确保了长期稳定性和最佳系统效率通过菱形|视窗（可选配）以同样的高图像品质水准进行快达2倍的资料获取通过高动态温度稳定的GE DXR数位探测器获取的30 FPS（帧每秒）（可选配）的快速CT采集和清晰的影像基於花岗岩基座的6轴高精度、高稳定度机械系统可选8轴运动检测平台高对比平板探测器，1024x1024像素可针对较大型工具进行缺陷识别和可再现的3D量测2D检测与3D CT模式方便切换效益特点∶3D测量工具软体不仅可进行几何测量，具有极高精度，再现性和亲和力，而且使用上简单方便在少於1小时之内自动生成首件检测记录是可能的使用极佳的软体模组以确保最高的CT品质且便於使用，例如1.通过点击并测量|CT用datos|x 2.0进行高精度可重现的3D测量:全自动化执行的CT扫描，重建和分析过程2.通过VELO | CT在几秒钟或几分钟内（取决於体积大小）完成更快的3D CT重建 的片件可利用3D精地分析故障部位玻璃和物填料（紫色）的凝聚的方位和分都清晰可。 度大 10 m缸3置CAD 差 分析和量活塞的CT像 格 最大管 240 kV 最大功率 320 W 能力 高1m 最小焦物距 4.5 mm 最大3D像素分辨率（取於物大小） <2 m 何倍率（2D） 1.25 倍到333 倍 何放大倍率 (3D) 1.25 倍到200 倍 最大目尺寸 (高 x 直) 600 mm x 500 mm / 23.6" x 19.7" 最大品重量 50kg/ 110.23lb 操作 提供且定高精密的花岩基底的7操作器 2D X-ray射成像 可以 三描 可以 先的表面取 可以（可） CAD 比+ 尺寸量 可以（可） 系尺寸 3900 mm x 2400 mm x 2700 mm / 154” x 94.5” x 106” 系重量 大16.5 /36376磅 射安全 - 全防射安全，依德ROV和美性能 21 CFR 1020.40 (X-Ray系)。 - 射漏率：台壁的10cm量 <1.0Sv/h。 附件：控制器 使用控制器控制系的硬碟元件，配了/四核心的最新理技重建/化工作模式 根目前Intel Xeon理器技（多CPU和多核心）的高端工作站2倍重建集群-velo|CT-2x 使用基於高瑞形理器技的理元行工作站的用域：子元件(焊)半元件件焊接相汽造(缸)真空浦相(片)精密零件(金、塑件)

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设备特点●采用独特温控系统的GEDXR数位检测器(3072 x 2400 画素)，动态范围>10000:1●最新的开放式180kV/15W高功率nm焦点X射线管●最小分辨率可达200nm，稳定性高●金刚石窗口，同样图像品质下检测速度提高2倍●采用的是花岗岩基座设备非常稳定，可达到高精度、高稳定度的机械系统●最大检测范围可达直径240mm x H 250mm●最小体积分辨率可达0.3um●3D量测系统，包括恒温样品室和高精度检测系统●1小时以内即可生成检测报告 利用3D检视焊接接点内部的空隙间隙分布清晰可见 碳酸盐中的分段气孔(? 2 mm) 玻璃纤维和矿物填料（紫色）的凝聚体的方位和分布都清晰可见。 纤维宽度大约为 10 μm 基本规格设备规格最大管电压180 kV最大功率15 W细节检测能力高达200nm (0.2μm)最小焦物距150mm 到600mm最大3D像素分辨率< 300nm (0.3μm)几何放大倍率(3D)1.5 倍到300 倍最大目标尺寸(高x 直径)250mmx 240mm/ 9.84" x 9.45"最大样品重量3 kg/ 6.6 lb图像链7兆画素平板数位检测器阵列2D X射线成像不可3D电脑断层扫描可以先进的表面提取可以（可选）CAD 比较+ 尺寸测量可以（可选）系统尺寸(1980 x 1600 x 900 mm), (78” x 63” x 35.4”)系统重量1900kg/ 4189 lb辐射安全- 全防辐射安全机柜，依据德国ROV和美国性能标准21 CFR 1020.40 (机柜X-Ray系统)。- 辐射　漏率∶从机台壁的10cm处测量 <1.0μSv/h。应用领域地质/生物科学高分辨率电脑断层扫描(micro-ct 与nano-ct)广泛用於检测地质样品，例如:新资源的探索。高分辨率CT-系统以微观高解析提供岩石样品、粘合剂、胶合剂和空洞的3D图像，并帮助分辨特定的样品特徵，如含油岩石中空洞的大小和位置。塑料工程在塑料工程中，高分辨率的X射线技术用於通过探测缩孔、水泡、焊接线和裂缝并分析缺陷来优化铸造和喷涂过程。 X射线计算机断层扫描(micro ct 与nano ct)提供具有以下物体特点的3D图像∶如晶粒流模式和填料分布，以及低对比度缺陷。玻璃纤维增强塑料样品的nano-CT ?∶ 玻璃纤维和矿物填料（紫色）的凝聚体的排列和分布都清晰可见。纤维大约有10um宽。测量用X射线进行的3D测量是唯一的可对复杂物体内部进行无损测量的技术。通过与传统式触觉坐标测量技术的比较，对一个物体进行电脑断层扫描的同时可获得所有的曲点: 包括所有无法使用其他测量方法无损害进入的隐蔽形体，如底切。 v/tome/xs 有一个特殊的3D测量包，其中包含空间测量所需的所有工具，从校准仪器到表面提取模组，具有可能的最大精度，可再现且具亲和力. 除了2D壁厚测量外，CT数据可以快速方便地与CAD数据进行比较，例如，分析完成元件，以确保其符合所有的规定尺寸。对气缸盖3个装置的CAD差异分析和测量。感应器学和电气工程在感应器和电子组件的检测中，高分辨率X射线技术主要用於检测和评估接触点、接头、箱子、绝缘子和装配情况。甚至可以检测半导体元件和电子设备（焊点），而无需拆卸设备。Nano-CT ?显示CSP组件的焊接接点。焊接接点的3D形状，约直径400um，空隙间隙分布清晰可见。焊接接点内部，不同的共晶焊料相是可见的。材料科学高分辨率电脑断层扫描(micro-ct 与nano-ct)用於检测材料、复合材料、烧结材料和陶瓷，但也可应用於地质或生物样品进行分析。材料分配、空隙率和裂缝在微观上是3D可视的。玻璃纤维复合材料的nano-CT ?∶纤维毡（蓝色）的纤维方向和基质树脂（橙色）会清楚显示出来。图片右边: 树脂内的空洞会以暗体出现。左边∶ 树脂已淡出，以更好地使纤维毡可视化。毡内的单跟纤维是可见的。3D电脑断层扫描工业X射线3D电脑断层扫描(micro-ct 与nano-ct) 的标准应用是对金属和塑料铸件的检测及3D测量。phoenix| X射线的高分辨率X射线技术开辟了在众多领域的新应用，如传感器技术、电子、材料科学以及许多其他自然科学。SMD感应器的nanoCT?, 尺寸0805 (2.0 mmx 1.2 mm). 三维X射线图像显示了後盖後的内部线圈。在任何常规的X光片中，图层面板都是重叠的，但nanoCT ?成功地将对象逐层显示。

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产品特色∶1.主要功能∶维修率低，寿命长，开放式180 kV/ 20W的高功率um聚焦管。高达0.5um的细部分辨率。高动态恒温GE DXR数位检测器可侦测30 FPS（每秒30帧）的清晰即时影像。基於高分辨率自动化X射线检测(μAXI)，xact软体模组可方便快速的CAD以达到极高的缺陷覆盖率，并具有高放大倍率和高度可再现性。高放大倍率，下倾斜视角达70度。自动检测BGA、CSP、QFP、PTH等焊点与空隙分析，弯曲度计算。精确的操作。高度的可再现性。10秒内的3D CT扫描功能(选配)。2.客户利益∶极高的缺陷覆盖率和高再现性杰出的操作便利性高达2倍的速度在相同的高影像品质等级的钻石|视窗作为一个新的标准的资料撷取可结合2D/3D的CT操作模式 2D检测画面 微焦点X射线图像的BGA焊点在极高分辨率的上视图 高倍率的微焦点X射线图像可清晰检测直径为25um的铜键合线 格 最大管 180 kV 最大功率 20 W 部能力 高0.5 μm 最小焦物距 0.3 mm 何放大倍率（2D） 高1970倍 最大目尺寸(高 x 直径) 680 mm x 635 mm / 27" x 25" 最大目重量 10 Kg / 22 磅 操作 5的品方向移操作(X、Y、Z、R、T) 器 GE DXR250RT，的全片幅尺寸下每秒30 2D X射成像 可以 3D CT描 可以(配) 系统尺寸 1860 mm x 2020 mm x 1920 mm (73.2” x 79.5” x 75.6”) 系统重量 2600 kg / 5070 lb 射安全 - 全防射安全，依德ROV和美性能21 CFR 1020.40 (X-Ray系)。 - 射漏率：台壁的10cm量 <1.0Sv/h。用域：SMTICBGA 基板精密零件子零件PCBA 半封

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产品特色∶1.主要功能∶维修率低，寿命长，开放式180 kV/ 20W的高功率um聚焦管。高达0.5um的细部分辨率。基於高分辨率自动化X射线检测(μAXI)，xact软体模组可方便快速的CAD以达到极高的缺陷覆盖率，并具有高放大倍率和高度可再现性。高放大倍率，下倾斜视角达70度。自动检测BGA、CSP、QFP、PTH等焊点与空隙分析，弯曲度计算。精确的操作。高度的可再现性。选配∶高动态恒温GE DXR数位检测器可侦测30 FPS（每秒30帧）的清晰即时影像。10秒内的3D CT扫描功能(选配)。高达2倍的速度在相同的高影像品质等级的钻石|视窗作为一个新的标准的资料撷取2.客户利益∶可结合2D/3D的CT操作模式极高的缺陷覆盖率和高再现性。符合人体工学设计，操作更简便。 2D陶瓷基板检测 高倍率微焦点X射线图像的使用直径为25um的铜焊线 微焦点X射线图像THT焊点即时CAD的覆盖 格 最大管 180 kV 最大功率 20 W 部能力 高0.5 μm 最小焦物距 0.3 mm 最大3D像素的分辨率(取於象的大小) < 2 m 何倍率(2D) 高1970倍 何放大倍率(3D) 100倍 最大目尺寸(高 x 直径) 680 mm x 635 mm / 27" x 25" 最大目重量 10 Kg / 22 磅 像 200像素的位像 操作 5的品方向移操作(X、Y、Z、R、T) 2D X射成像 可以 3D CT描 可以(配) 系统尺寸 1860 mm x 2020 mm x 1920 mm (73.2” x 79.5” x 75.6”) 系统重量 2600 Kg / 5070 磅 射安全 - 全防射安全，依德ROV和美性能21 CFR 1020.40 (X-Ray系)。 - 射漏率：台壁的10cm量 <1.0Sv/h。用域：SMTICBGA 基板精密零件子零件PCBA 半封

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主要功能 用域：SMTICBGA 基板子零件PCBA 半封 用於二X射成像，需式的100千伏X微焦射管 自微焦X射，如BGAs等焊，空隙分析 分辨率小於2um 高品位化影像系 精密，小 人工，操作便 在一50 °探器角斜位的通孔。所有的8接清晰可辨。 IC 器2D分析 2D陶瓷基板 格 最大管 100 kV 最大功率 10 W 能力 高3um 最小焦物距 4.5mm 何放大倍率（2D） 高75倍 最大目尺寸(高x 直) 28”x 22”(710 mmx 560 mm) 最大物重量 5 kg / 11 lb 像 672 x 568 操作 3的品操作 2X射成像 可以 系尺寸 1.270 mmx 1.510 mmx 1.550 mm/ 50” x 59.4” x 61” 系重量 1300 kg / 2866 lb 射安全 - 全防射安全，依德ROV和美性能21 CFR 1020.40 (X-Ray系)。 - 射漏率：台壁的10cm量 <1.0Sv/h。