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滨松硅光电二极管 S2386-5K
品牌:日本滨松
型号:S2386-5K
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滨松硅光电二极管 S1337-33BQ
品牌:日本滨松
型号:S1337-33BQ
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滨松光电传感器放大器 C8366-01
品牌:日本滨松
型号:C8366-01
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SID4-NIR 近红外 波前传感器 / 波前分析仪
品牌:法国Phasics
型号:SID4-NIR
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SICK 3D线激光轮廓传感器
品牌:上海昊量
型号:SICK
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滨松带放大器的光电二极管阵列 S11866-64-02
- 品牌:日本滨松
- 型号: S11866-64-02
- 产地:日本
结合了信号处理IC的光电二极管阵列 S11865/S11866系列是由硅光二极管阵列与信号处理IC芯片组合而成。与之前的产品(S8865/S8866系列)相比,x射线的耐受性得到了提高。信号处理IC芯片由CMOS工艺构成,包括定时发生器、移位寄存器、电荷放大器阵列、箝位电路和保持电路,使外部电路由多组阵列排成一行配置。对于x射线检测应用,也可以在光敏区贴上磷片。作为专用驱动电路,提供C9118系列(单独销售)。
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滨松带放大器的光电二极管阵列 S11866-64G-02
- 品牌:日本滨松
- 型号: S11866-64G-02
- 产地:日本
X射线探测用光电二极管阵列(带信号处理IC) 这种光电二极管阵列带放大器,且在感光面上粘贴了磷片,用于X射线探测。与之前的产品(S8865/S8866系列)相比,X射线耐受性有所提高。信号处理电路的芯片由CMOS工艺制造,集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路,使外部电路由多组阵列排成一行配置。还提供专用驱动电路C9118系列(单独出售)。
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滨松带放大器的光电二极管阵列 S11865-256
- 品牌:日本滨松
- 型号: S11865-256
- 产地:日本
结合了信号处理IC的光电二极管阵列 S11865/S11866系列是带信号处理IC芯片的硅光电二极管阵列。与之前的产品(S8865/S8866系列)相比,X射线耐受性有所提高。此芯片由CMOS工艺制造,集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路,通过将多个阵列排列起来,可配置出外部电路。 对于X射线检测应用,也可以在光敏区域粘贴磷片
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滨松带放大器的光电二极管阵列 S11865-256G
- 品牌:日本滨松
- 型号: S11865-256G
- 产地:日本
X射线探测用光电二极管阵列(带信号处理IC) 这种光电二极管阵列带放大器,且在感光面上粘贴了磷片,用于X射线探测。与之前的产品(S8865/S8866系列)相比,X射线耐受性有所提高。该信号处理电路芯片由CMOS工艺构成,包括定时发生器、移位寄存器、电荷放大器阵列、箝位电路和保持电路,使外部电路由多组阵列排成一行配置。
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滨松带放大器的光电二极管阵列 S13885-128G
- 品牌:日本滨松
- 型号: S13885-128G
- 产地:日本
X射线探测用光电二极管阵列(带信号处理IC) S13885系列是具有放大器的光电二极管阵列,其光敏区上附着用于x射线检测的荧光粉片。改进后的信号处理IC芯片与之前的S11865系列产品相比,具有更高的灵敏度。该信号处理芯片由CMOS工艺构成,包括定时发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、箝位电路和保持电路,使外部电路的混合更加简单。一个长而窄的图像传感器可以通过在一行中排列多个阵列来实现。
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滨松带放大器的光电二极管阵列 S13885-256G
- 品牌:日本滨松
- 型号: S13885-256G
- 产地:日本
X射线探测用光电二极管阵列(带信号处理IC) S13885系列是具有放大器的光电二极管阵列,其光敏区上附着用于x射线检测的磷片。改进后的信号处理IC芯片与之前的S11865系列产品相比,具有更高的灵敏度。该信号处理芯片由CMOS工艺构成,包括定时发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、箝位电路和保持电路,使外部电路的配置更加简单。一个长而窄的图像传感器可以通过在一行中排列多个阵列来实现。
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滨松带放大器的光电二极管阵列 S13886-128G
- 品牌:日本滨松
- 型号: S13886-128G
- 产地:日本
带信号处理IC的光电二极管阵列,用于X射线检测 S13886-128G是带有放大器的光电二极管阵列系列,放大器具有附着到光敏区域的荧光片以进行X射线检测。 与以前的产品S11865系列相比,信号处理IC芯片的改进大幅度地提高了产品的灵敏度。 信号处理IC芯片由CMOS工艺构成,内含定时发生器,移位寄存器,电荷放大器阵列,钳位电路和保持电路等复杂设置,所以在连接外部电路时十分简单方便。 该产品还可以通过在一行中排列多个阵列来配置长而窄的图像传感器。
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滨松带放大器的光电二极管阵列 S11865-64
- 品牌:日本滨松
- 型号: S11865-64
- 产地:日本
结合了信号处理IC的光电二极管阵列 这一硅光电二极管结合了信号处理IC芯片。此芯片由CMOS工艺制造,集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路,因此可简化外部电路配置。通过将多个阵列排列起来,可配置出长窄型传感器。滨松还未X射线探测应用提供感光面上粘贴了磷片的传感器。C9118是其专用驱动电路。
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滨松带放大器的光电二极管阵列 S13885-128
- 品牌:日本滨松
- 型号: S13885-128
- 产地:日本
结合了信号处理IC的光电二极管阵列 这是一个集成了信号处理芯片的硅光电二极管阵列。改进后的信号处理IC芯片与之前的产品(S11865/S11866系列)相比,具有更高的灵敏度。信号处理芯片由CMOS工艺构成,包括定时发生器、移位寄存器、电荷放大器阵列、箝位电路和保持电路,使外部电路配置简单。一个长而窄的图像传感器可以通过在一行中排列多个阵列来配置。对于x射线检测应用,也可以在光敏区贴上磷片。
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滨松带放大器的光电二极管阵列 S13885-256
- 品牌:日本滨松
- 型号: S13885-256
- 产地:日本
结合了信号处理IC的光电二极管阵列 这是一个集成了信号处理芯片的硅光电二极管阵列。改进后的信号处理IC芯片与之前的产品(S11865/S11866系列)相比,具有更高的灵敏度。信号处理芯片由CMOS工艺构成,包括定时发生器、移位寄存器、电荷放大器阵列、箝位电路和保持电路,使外部电路配置简单。一个长而窄的图像传感器可以通过在一行中排列多个阵列来配置。对于x射线检测应用,也可以在光敏区贴上磷片。
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滨松带放大器的光电二极管阵列 S13886-128
- 品牌:日本滨松
- 型号: S13886-128
- 产地:日本
结合了信号处理IC的光电二极管阵列 这是一个集成了信号处理芯片的硅光电二极管阵列。改进后的信号处理IC芯片与之前的产品(S11865/S11866系列)相比,具有更高的灵敏度。信号处理芯片由CMOS工艺构成,包括定时发生器、移位寄存器、电荷放大器阵列、箝位电路和保持电路,使外部电路配置简单。一个长而窄的图像传感器可以通过在一行中排列多个阵列来配置。对于x射线检测应用,也可以在光敏区贴上磷片。
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滨松硅PIN光电二极管 S4111-16Q
- 品牌:日本滨松
- 型号: S4111-16Q
- 产地:日本
适用于紫外到近红外的16象元硅光电二极管阵列 S4111-16Q是一款DIP陶瓷封装的线阵硅光电二极管。该光电二极管阵列主要用于分光光度法等微光检测,涵盖了从紫外光到近红外光的广泛光谱范围。由于所有象元都可以用反向偏压进行存储电荷读出,该产品具有高灵敏度低光量探测的能力。像元之间的串扰减小,保持了信号的纯度。而且可以用特制的滤波片作为该产品的入射窗 (自定义订单产品)。 产品特性 ● 大感光面积 ● 低串扰 ● 低暗电流 ● 红外灵敏度增强
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滨松硅PIN光电二极管 S4111-35Q
- 品牌:日本滨松
- 型号: S4111-35Q
- 产地:日本
适用于紫外到红外的35象元硅光电二极管阵列 S4111-35Q是一款DIP陶瓷封装线阵硅光电二极管。该光电二极管阵列主要用于分光光度法等微光检测,涵盖了从紫外光到近红外光的广泛光谱范围。由于所有象元都可以用反向偏压进行存储电荷读出,该产品具有高灵敏度低光量探测的能力。像元之间的串扰减小,保持了信号的纯度。而且可以用特制的滤波片作为该产品的入射窗 (自定义订单产品)。 产品特性 ● 大感光面积 ● 低串扰 ● 低暗电流 ● 红外灵敏度增强
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滨松硅PIN光电二极管 S4111-46Q
- 品牌:日本滨松
- 型号: S4111-46Q
- 产地:日本
适用于紫外到近红外的46象元硅光电二极管阵列 S4111-46Q是一款DIP陶瓷封装线阵硅光电二极管。该光电二极管阵列主要用于分光光度法等微光检测,涵盖了从紫外光到近红外光的广泛光谱范围。由于所有象元都可以用反向偏压进行存储电荷读出,该产品具有高灵敏度低光量探测的能力。像元之间的串扰减小,保持了信号的纯度。而且可以用特制的滤波片作为该产品的入射窗 (自定义订单产品)。 产品特性 ● 大感光面积 ● 低串扰 ● 低暗电流 ● 红外灵敏度增强
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滨松硅PIN光电二极管 S4114-35Q
- 品牌:日本滨松
- 型号: S4114-35Q
- 产地:日本
适用于紫外到近红外的35象元硅光电二极管阵列 S4114-35Q 是一款DIP陶瓷封装线阵硅光电二极管。该光电二极管阵列主要用于分光光度法等微光检测,涵盖了从紫外光到近红外光的广泛光谱范围。由于所有象元都可以用反向偏压进行存储电荷读出,该产品具有高灵敏度低光量探测的能力。像元之间的串扰减小,保持了信号的纯度。而且可以用特制的滤波片作为该产品的入射窗 (自定义订单产品)。 产品特性 ● 大感光面积 ● 低串扰 ● 低暗电流 ● 红外灵敏度增强
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滨松硅PIN光电二极管 S4114-46Q
- 品牌:日本滨松
- 型号: S4114-46Q
- 产地:日本
适用于紫外到近红外的46象元硅光电二极管阵列 S4114-46Q是一款DIP陶瓷封装线阵硅光电二极管。该光电二极管阵列主要用于分光光度法等微光检测,涵盖了从紫外光到近红外光的广泛光谱范围。由于所有象元都可以用反向偏压进行存储电荷读出,该产品具有高灵敏度低光量探测的能力。像元之间的串扰减小,保持了信号的纯度。而且可以用特制的滤波片作为该产品的入射窗 (自定义订单产品)。 产品特性 ● 大感光面积 ● 低串扰 ● 低暗电流 ● 红外灵敏度增强
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滨松16象元硅光电二极管阵列 S11212-021
- 品牌:日本滨松
- 型号: S11212-021
- 产地:日本
用于X射线无损检测的背照式光电二极管阵列 S11212-021 是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。它比我们之前的S5668系列相比,具有更高的灵敏度均匀性和更小的象元变化。背照型光电二极管阵列操作简单,更便于和闪烁体耦合,由于其背部没有光敏面,也没有焊接线,因此不需要担心对导线的损坏。由于它们的封装尺寸和管脚连接都相同,它可以替代S5668系列。 产品特性 ● 板上尺寸:25.4 (W) ×20.0 (H) mm ● 单元尺寸: 1.175 (W) × 2.0 (H) mm/one element ● 象元间距:1.575mm ( × 16 pixels) ● 多阵列,长而窄的设计版式 ● 支持双能量成像(上下两层结合使用时) ● 光频响应范围 :340 to 1100 nm
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滨松硅PIN光电二极管 S3096-02
- 品牌:日本滨松
- 型号: S3096-02
- 产地:日本
双象元、塑料封装光电二极管 S3096-02是一款双象元、塑料封装硅PIN光电二极管。该光电二极管具有灵敏度高、噪声小、元件间串扰小等优点。我们还提供客户定制的产品(定制象元形状、象元数、特性和封装),以满足特殊需求,如有需要请联系我们销售商。 产品特性 ● 高灵敏度 ● 象元灵敏度一致性 ● 低串扰 ● 低噪声
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滨松硅PIN光电二极管 S4204
- 品牌:日本滨松
- 型号: S4204
- 产地:日本
双象元、塑料封装光电二极管 S4204是一款双象元、塑料封装硅PIN光电二极管。该光电二极管具有灵敏度高、噪声小、元件间串扰小等优点。我们还提供客户定制的产品(定制象元形状、象元数、特性和封装),以满足特殊需求,如有需要请联系我们的经销商。 产品特性 ● 高灵敏度 ● 象元灵敏度一致性 ● 低串扰 ● 低噪声
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滨松硅PIN光电二极管 S4349
- 品牌:日本滨松
- 型号: S4349
- 产地:日本
四象元硅PIN光电二极管 S4349是一款四象元硅PIN光电二极管,在紫外到近红外光谱范围内具有高灵敏度。四象元模式允许位置传感,例如用于激光束轴对准。 产品特性 ● 四(2 × 2)象元模式 ● 低串扰:2% max. ● 宽光谱响应:190 to 1000 nm ● 高速响应:fc=20 MHz ● TO-5 金属封装
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滨松硅PIN光电二极管 S5870
- 品牌:日本滨松
- 型号: S5870
- 产地:日本
适用于表面贴装的多象元光电二极管 产品特性 ● 大光敏面积:10 × 10 mm ● 适于表面贴装的芯片座封装 ● 薄封装:1.26 mmt ● 光敏性: 0.72 A/W (λ=960 nm)
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滨松硅PIN光电二极管 S5980
- 品牌:日本滨松
- 型号: S5980
- 产地:日本
适用于表面贴装的多象元光电二极管 产品特性 ● 大光敏面积:5 × 5 mm ● 适于表面贴装的芯片座封装 ● 薄封装:1.26 mmt ● 光敏性: 0.72 A/W (λ=960 nm)
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滨松硅PIN光电二极管 S5981
- 品牌:日本滨松
- 型号: S5981
- 产地:日本
适用于表面贴装的多象元光电二极管 产品特性 ● 大光敏面积:10 × 10 mm ● 适于表面贴装的芯片座封装 ● 薄封装:1.26 mmt ● 光敏性: 0.72 A/W (λ=960 nm)
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滨松硅PIN光电二极管 S9345
- 品牌:日本滨松
- 型号: S9345
- 产地:日本
运用zuixin开发的小型薄封装的双象元光电二极管 S9345是一款运用zuixin开发的小型薄封装的双象元光电二极管。与传统封装相比,体积减小到了五分之一。当用作反射型光开关时,为了拓展探测面积,其1.5mm宽、5.6mm长的的整个感光面积被不对称分割成了1.5mm和4.1mm的两个纵剖面。 产品特性 ● 小型薄封装: 3.4 × 7.0 × 0.95 t mm ● 表面贴装类型 ● 非对称双象元硅PIN光电二极管 ● 高灵敏度 ● 光敏面积:二极管A:A: 1.5 x 1.5 mm,二极管B:1.5 x 4.1 mm
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滨松硅光电二极管阵列驱动电路 C9004
- 品牌:日本滨松
- 型号: C9004
- 产地:日本
16象元光电二极管阵列驱动电路 产品特性 ● 16通道同时读出,可实现高精度高速测量 ● 安装有脉冲发生器(晶振频率8级可调) ● 增益选择(阻抗转换): 1 × 106或1 × 107(V/A) ● 滨松S4111-16系列以及S5668系列可直接安装在电路板上 ● 单电压供电:+12V
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滨松16象元硅光电二极管阵列 S12363-321
- 品牌:日本滨松
- 型号: S12363-321
- 产地:日本
用于X射线无损检查的背照式光电二极管阵列 S12362-321是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。该背照式二极管易于使用,便于和闪烁体耦合,由于它在背部没有光敏面,也没有焊接线,因此不需要担心对线路的损坏。 产品特性 ● 象元尺寸:2.2(W) × 2.7 (H) mm / 单象元 ● 象元间距:2.5 mm (× 16 pixels) ● 板上尺寸:40.4 (W) × 20.0 (H) mm ● 多阵列,长而窄的设计版式 ● 支持双能成像(上下两层结合使用时)
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滨松硅PIN象限探测器 S8558
- 品牌:日本滨松
- 型号: S8558
- 产地:日本
适合表面贴装的16象元光电二极管阵列 S8558是一款陶瓷封装的16象元硅PIN光电二极管阵列,适用于回流焊表面贴装。S8558可用于诸如分光光度计和位置检测等各种领域。 产品特性 ● 打光敏面积:10 × 10 mm(× 16象元) ● 适于表面贴装的陶瓷芯片座封装 ● 适用于回流焊技术 ● 高灵敏度
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滨松16象元硅光电二极管阵列 S12859-324
- 品牌:日本滨松
- 型号: S12859-324
- 产地:日本
用于X射线无损检查的背照式光电二极管阵列(象元间距:1.17 mm) S12858-324是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。该产品原有产品(S11212系列:1.575 mm间距)的改良版。其象元间距改为1.17 mm。该背照式二极管阵列易于使用,便于和闪烁体耦合,由于它在背部没有光敏面,也没有焊接线,因此无需担心对线路的损坏。 产品特性 ● 光谱响应范围: 340 to 1100 nm ● 象元尺寸:0.77 (W) × 2.5 (H) mm/象元 ● 象元间距:1.17 mm (× 16 pixels) ● 板上尺寸:19.0 (W) × 10.2 (H) mm ● 多阵列,长而窄的设计版式 ● 支持双能成像(上下两层结合使用时)
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滨松16象元硅光电二极管阵列 S12363-021
- 品牌:日本滨松
- 型号: S12363-021
- 产地:日本
用于X射线无损检查的背照式光电二极管阵列(象元间距:2.5 mm) S12363-021是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。该背照式二极管易于使用,便于和闪烁体耦合,由于它在背部没有光敏面,也没有焊接线,因此不需要担心对线路的损坏。 产品特性 ● 特殊响应范围:340 – 1100 nm ● 象元尺寸:2.2(W) × 2.7 (H) mm / 单象元 ● 象元间距:2.5 mm (× 16 pixels) ● 板上尺寸:40.4 (W) × 20.0 (H) mm ● 多阵列,长而窄的设计版式 ● 支持双能成像(上下两层结合使用时)
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滨松16象元硅光电二极管阵列 S12362-421
- 品牌:日本滨松
- 型号: S12362-421
- 产地:日本
用于X射线无损检查的背照式光电二极管阵列(象元间距:2.5 mm) S12362-421是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。该背照式二极管易于使用,便于和闪烁体耦合,由于它在背部没有光敏面,也没有焊接线,因此不需要担心对线路的损坏。 产品特性 ● 象元尺寸:2.2(W) × 2.7 (H) mm / 单象元 ● 象元间距:2.5 mm (× 16 pixels) ● 板上尺寸:40.4 (W) × 10.2 (H) mm ● 多阵列,长而窄的设计版式 ● 支持双能量成像(上下两层结合使用时)
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滨松16象元硅光电二极管阵列 S12362-321
- 品牌:日本滨松
- 型号: S12362-321
- 产地:日本
用于X射线无损检查的背照式光电二极管阵列 S12362-321是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。该背照式二极管易于使用,便于和闪烁体耦合,由于它在背部没有光敏面,也没有焊接线,因此不需要担心对线路的损坏。 产品特性 ● 象元尺寸:2.2(W) × 2.7 (H) mm / 单象元 ● 象元间距:2.5 mm (× 16 pixels) ● 板上尺寸:40.4 (W) × 10.2 (H) mm ● 多阵列,长而窄的设计版式 ● 支持双能成像(上下两层结合使用时)
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滨松16象元硅光电二极管阵列 S12362-121
- 品牌:日本滨松
- 型号: S12362-121
- 产地:日本
用于X射线无损检查的背照式光电二极管阵列(象元间距:2.5 mm) S12362-121是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。该背照式二极管易于使用,便于和闪烁体耦合,由于它在背部没有光敏面,也没有焊接线,因此不需要担心对线路的损坏。 产品特性 ● 象元尺寸:2.2(W) × 2.7 (H) mm / 单象元 ● 象元间距:2.5 mm (× 16 pixels) ● 板上尺寸:40.4 (W) × 10.2 (H) mm ● 多阵列,长而窄的设计版式 ● 支持双能成像(上下两层结合使用时)
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滨松16象元硅光电二极管阵列 S11299-121
- 品牌:日本滨松
- 型号: S11299-121
- 产地:日本
用于X射线无损检测的背照式光电二极管阵列 细长板类型 S11299-121是一款背照式16元光电二极管阵列,专为X射线无损检测设计。与S5668系列相比,它具有更高的灵敏度、均匀性和光电二极管元件稳定性。背照式光电二极管阵列具有便捷操作的特点,而且易于耦合到闪烁体,因为其背面没有接合线和光敏区域,不用担心损坏电路。S11299系列兼容双能量成像,因为它可与S11212系列[尺寸:25.4(宽)×20.0(高)mm]结合使用,配置上下两层结构,同时检测高、低X射线。 产品特性 ● 象元尺寸:1.175 (W) × 2.0 (H) mm / 单象元 ● 象元间距:1.575 mm (× 16 pixels) ● 板上尺寸:25.4 (W) × 10.2 (H) mm ● 多阵列,长而窄的设计版式 ● 支持双能量成像(上下两层结合使用时)
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滨松16象元硅光电二极管阵列 S11299-021
- 品牌:日本滨松
- 型号: S11299-021
- 产地:日本
背照型光电二极管阵列,用于x射线无损检测,细长板型 S11299-021是一款背照式16元光电二极管阵列,专为X射线无损检测设计。与S5668系列相比,它具有更高的灵敏度、均匀性和光电二极管元件稳定性。背照式光电二极管阵列具有便捷操作的特点,而且易于耦合到闪烁体,因为其背面没有接合线和光敏区域,不用担心损坏电路。S11299系列兼容双能量成像,因为它可与S11212系列[尺寸:25.4(宽)×20.0(高)mm]结合使用,配置上下两层结构,同时检测高、低X射线。 产品特征 ● 光谱响应范围:340至1100nm ● 元件尺寸:1.175(宽)×2.0(高)mm /单个元件 ● 元件间距:1.575毫米(×16像素) ● 安装在板上尺寸:25.4(宽)×10.2(高)mm ● 多种组合形式,宽窄均能适用 ● 支持双能量成像(用于上下两层结构)
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滨松16象元硅光电二极管阵列 S11299-421
- 品牌:日本滨松
- 型号: S11299-421
- 产地:日本
用于X射线无损检测的背照式光电二极管阵列 细长板类型 S11299-021 是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。它比我们之前的S5668系列相比,具有更高的灵敏度一致性和更小的象元变化。该背照式二极管更加易于使用,更便于和闪烁体耦合,由于它在背部没有光敏面,也没有焊接线,因此不需要担心对线的损坏。 S11299 系列支持双能成像,因此可以与S11212系列结合使用(板上尺寸:25.4 (W) ×20.0 (H) mm),组成上两层的双层结构,同步检测高、低X射线。 产品特性 ● 象元尺寸:1.175 (W) × 2.0 (H) mm / 单象元 ● 象元间距:1.575 mm (× 16 pixels) ● 板上尺寸:25.4 (W) × 10.2 (H) mm ● 多阵列,长而窄的设计版式 ● 支持双能成像(上下两层结合使用时)
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滨松16象元硅光电二极管阵列 S11212-421
- 品牌:日本滨松
- 型号: S11212-421
- 产地:日本
用于X射线无损检测的背照式光电二极管阵列 S11212-421是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。它比我们之前的S5668系列相比,具有更高的灵敏度均匀性和更小的象元变化。背照型光电二极管阵列操作简单,更便于和闪烁体耦合,由于其背部没有光敏面,也没有焊接线,因此不需要担心对导线的损坏。由于它们的封装尺寸和管脚连接都相同,它可以替代S5668系列。 产品特性 ● 象元尺寸:1.175 (W) × 2.0 (H) mm / 单象元 ● 象元间距:1.575 mm (× 16 pixels) ● 板上尺寸:25.4 (W) ×20.0 (H) mm ● 多阵列,长而窄的设计版式 ● 支持双能量成像(上下两层结合使用时)
- 光电传感器
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