MOCVD被称为有机金属化学气相沉积法,就是以金属有机物(如TMGa, TMAI, TMIn, TEGa 等)和烷类(如
AsH3, PH3, NH3等)为原料进行化学气相沉积生长单晶薄膜的一种技术,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延。金属有机化合物大多是具有高蒸气压的液体,通过氢气、氮气或者其他惰性气体作为载气,将其携带出与烷类混合,再共同入反应室高温下发生反应。
氢气在MOCVD中担当载气,将III(II)金属有机物和V(VI)族氢化物以及掺杂源携带运输到反应室内,为化学沉积反应和薄膜生长提供基础。MOCVD要求氢气纯度≥99.999%(≥5N),进口压力为4-7bar,而Proton G4800和S系列氢气发生器所产氢气可以符合这一领域的用气需求。
G4800氢气发生器 S系列氢气发生器
其中,Proton G4800输出氢气的纯度为99.9999%(6N),含水量小于1ppm,氢气纯度优于MOCVD设备的要求,有利于提高半导体薄膜品质和设备产出;同时,氢气纯度稳定不变,减少了氢气纯度波动对设备的影响。
另外,G4800和S系列氢气发生器是现场制氢,发生器内部氢气储藏量少。同时,内置可燃气体探测器,一旦氢气泄漏,发生器报警停机,将降低氢气的危险系数。
此外,该系列设备操作便捷,保障氢气供应连续不间断,用户无需担心氢气用完,也无需和高压气体钢瓶接触。发生器自动运行,无需额外人工操作;发生器自动侦测自身工作状态和错误,一旦侦测异常,发生器报警。
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