从上世纪90年代初开始,世界范围内掀起了研究高亮度LED的热潮,以它为基础的固体照明正在迅猛发展。因为高亮度LED采用双异质结构,要求材料具有良好的晶格匹配,这个要求对用于异质结LED的材料体系提出了严格的限制。 Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,拥有优良的光电性质,化学性质非常稳定,可在⾼高温、酸碱、辐射环境下使⽤用,并且禁带宽度大,因此在大功率的电子器件方面颇具吸引力,已引起了国内外众多研究者的兴趣。人们感兴趣的Ⅲ-Ⅴ族氮化物是AIN、GaN、InN及其合金,通过控制它们各自的组份,其禁带宽度可从InN的0.7eV到GaN的3.4eV直到AlN的6.2eV连续变化,覆盖了整个可见光区,并扩展到紫外范围,适合制备高亮度LED。
光谱测量设备采用的是卓立汉光公司自行组建的OmniPL组合式光致发光和电致发光测量系统。
测试原理
实验设备
实验结果
1.光致发光(PL)光谱测量分别针对材料的正极(红色)和负极(绿色)测试得到光致发光光谱曲线如下,GaN的本征发光峰365nm附近以及黄带,InGaN的发光峰475nm附近。
将材料的接到直流电源的正负极,电压加到2.5V时可以有明显的蓝光发射,测量其电致发光光谱曲线如下(红色),峰值在475nm附近。(绿色曲线为另一个样品ZnO的PL谱)!
(来源:北京卓立汉光仪器有限公司)
半导体发光就是电子空穴在复合,光致发光是用光子吸收将电子推向高能态,电致发光是电流注入的方式,同样是将电子
[报告简介]显微拉曼光谱经常用来表征包括化学、磁性、电子、对称性和二维材料的层取向在内的各种性质。材料的多种
随着光致发光(PL)研究的发展,对测量微弱的光致发光信号的高灵敏度仪器的需求日益增长。除了具有良好杂散光抑 制
要点光致发光和电致发光是有机发光二极管(OLED)视觉显示发展的重要技术。与共聚焦显微镜相结合,使用RMS1
UV-VIS是测材料的透射,反射和吸收的仪器,通过测出的透射或者吸收谱就能拟合出该材料的禁带宽度。而荧光光谱
提要:王健老师课题组致力于研究低维超导和拓扑材料的量子输运性质。凭借着日复一日的“平凡”研究,王健教授完成了
电子顺磁共振波谱技术是唯YI能直接检测和研究含有未成对电子顺磁性物质的波谱学技术。多年来,国仪量子基于在EP
背景介绍传统的荧光(Fluorescence)组织成像,是将成像组织置放于不断发射特定波长的光源照射下进行。
陆朝阳,《自然》杂志“ZG科学之星”出生于1982年 | 英国剑桥大学博士 | ZG科技大学教授(图片来源:Natu
滨松公司利用其独特的光学设计技术,采用新开发的成像模块和图像处理技术,结合光致发光(Photo Lumines