IGBT简介:
IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是常见的功率,期间经常使用在强电流高电压的场景中,如电动汽车、变电站等。器件结构由MOSFET及BGT组合而成,兼具了高输入阻抗及低导通压降的优点,IGBT是电力电子设备的“cpu”。
IGBT测试难点:
1、由于IGBT是多端口器件,所以需要多个测量模块协同测试。
2、IGBT的漏电流越小越好,所以需要高精度的设备进行测试。
3、IGBT动态电流范围大,测试时需要量程范围广,且量程可以自动切换的模块进行测试。
4、由于IGBT工作在强电流下,自加热效应明显,脉冲测试可以减少自加热效应,所以MOSFET需要进行脉冲IV测试,用于评估期间的自加热特性。
5、MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容,且与其在高频应用有密切关系。所以IGBT的电容测试非常重要。
6、IGBT开关特性非常重要,需要进行双脉冲动态参数的测试。
测试方案:
静态测试设备:2600-PCT。可选200V/10A低压基本配置、200V/50A高流配置、3000V/10A高压配置、3000V/50A高压高流等配置。
测试载台:高功率探针台/测试夹具
动态测试设备:函数发生器+泰克示波器MSO5/6+探头
测试载:台配套电源测试板
泰克优势:
1.全面的静态动态测试方案;
2.zui高100A/3000V高压高流高精度设备;四线法配置;可进行脉冲测试;zui小脉宽100US;从fF到uf电容测试能力;
3.高性能测试夹具支持多种封装类型;
4.支持大多数探头类型,包括KHV三同轴,AHV三同轴,标准三同轴等;可适配绝大部分高功率探针台;
5.高压/高流/高压&高流灵活配置。
测试项目举例:
静态参数标准测试项目:
击穿电压;阈值电压;开态电流;漏电流;正向跨导;输入电容;输出电容;反向传输电容等;
动态参数标准测试项目:
开通时间;关断时间;关断延迟时间;下降时间,单脉冲开通能量;单脉冲关断能量。
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