芯中有我｜电子级盐酸

盐酸

在前面几篇文章中，跟大家一起分享了离子色谱在电子级硝酸、氢氟酸、磷酸和硫酸杂质检测中的应用。今天我们就再一起看看半导体常用强酸中的ZH一员——盐酸。

在集成电路制作过程中，基片表面的金属杂质可能会扩散进入基片，导致器件的性能下降和成品率的降低。因此在沉积金属前，确保基片表面没有金属杂质是极为重要的。因为盐酸能和大多数金属反应形成水溶性的盐，然后被水清洗去除，所以使用高纯盐酸进行清洗可有效降低金属杂质。除此之外，在太阳能电池生产过程中，单晶硅和多晶硅也都会采用盐酸和氢氟酸的混合液进行清洗。

国内目前对于电子级盐酸尚无相应标准规范。SEMI在《SEMI C27-0301 SPECIFICATIONS AND GUIDELINES FOR HYDROCHLORIC ACID》中对半导体用盐酸中阴离子和金属杂质都做了规定。

*SEMI C27-0301中对盐酸杂质要求的部分截图

若直接进样分析盐酸中的阴离子含量，盐酸中所含的大量氯离子将严重超过阴离子分离柱的饱和柱容量，直接损坏分离柱。因此针对该基体的分析，一般采用稀释或基体中和的前处理方法，下面我们一起看几个实际案例。

溴离子的测定

方法一：电导法

先向100mL容量瓶加入50mL左右超纯水，然后准确称取一定量的浓盐酸于100mL的容量瓶，再加入一定量的超纯氢氧化钠溶液进样酸碱中和，ZH用超纯水定容至刻度，过滤后直接进样。

色谱柱：Metrosep A Supp 7-250

淋洗液：3.6mM Na₂CO₃溶液

流速：0.7mL/min

进样体积：20μL

柱温：45℃

检测器：电导检测器

方法二：安培法

浓盐酸稀释1000倍后过滤进样。

色谱柱：Metrosep Anion Dual 2

淋洗液：3.7mmol/L NaHCO₃+ 1.7mmol/L Na₂CO₃+9%丙酮

流速：0.8mL/min

进样体积：20μL

检测器：安培检测器（银电极）

氟离子和硫酸根含量的测定

将浓盐酸稀释20倍后过滤进样，使用英蓝基体中和技术对样品进行全自动预处理。

色谱柱：Metrosep A Supp 5-250

淋洗液：1.0mmol/L NaHCO₃+ 3.2mmol/L Na₂CO₃

流速：0.7mL/min

进样体积：10μL

检测器：电导检测器

碘离子含量的测定

浓盐酸稀释1000倍后过滤进样。

色谱柱：Metrosep Anion Dual 2

淋洗液：3.6mmol/L NaHCO₃+2.7mmol/L Na₂CO₃+15%丙酮

流速：0.8mL/min

进样体积：50μL

检测器：安培检测器（银电极）

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