国内某大学采用双 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源分别溅射沉积铌和锡, 再经过高温退火后获得 Nb3Sn 超导薄膜. 用这种方法所获得的超导薄膜的原子组分的调整比较方便,对于 Nb3Sn 的研究较为有利. 实验测量了样品的超导参数和晶格参数.
伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:
型号 | RFICP140 |
Discharge | RFICP 射频 |
离子束流 | >600 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 14 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 5-30 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 24.6 cm |
直径 | 24.6 cm |
中和器 | LFN 2000 |
Nb3Sn 超导薄膜样品的实验研究是在 Al2O3(Sapphire) 上进行的, 采用铌溅射源和锡溅射源交替对样品进行溅射沉积,其中铌溅射源在上部, 锡溅射源在下部, 因为锡的熔点低. 退火采用电炉丝.
溅射沉积的过程是, 首先在基片上溅射沉积一层铌附着膜, 然后以固定速度旋转样品固定板,使得样品交替面对铌溅射源和锡溅射源, 形成多层膜结构, 后再溅射沉积一层铌覆盖膜.
KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.
KRI 离子源是领域公认的, 已获得许多ZL. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中.
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河北某大学实验室在研究 IGZO 薄膜的特性试验中采用伯东 KRI
河北某大学实验室在研究 IGZO 薄膜的特性试验中采用伯东 KRI
沈阳某大学课题组采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220
上海某大学实验室采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 ,
云南某实验室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 &
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GCms开机为什么离子源温度上升? 你好，可以检查一下所有离子源的线，重新接一下试试。也有可能是传感器故
沪公网安备 31011502008050号
