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高频光电导寿命测试仪/高频光电导少子寿命测试仪（学校用） 型号：KDKLT-1货号：ZH8202产品简介:τ:10～6000μs，ρ＞3Ω·cm ，配数字示波器;用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质的重要检测项目。设备组成1.光脉冲发生装置:重复频率>25次/s脉    宽>60μｓ光脉冲关断时间＜1μｓ红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶）脉冲电流：5A～20A如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源2.高频源:频    率：30MHz低输出阻抗输出功率>1W放大器和检波器:频率响应：2Hz～2MHz3.配用示波器：配用示波器：频带宽度不低于10MHz，Y轴增益及扫描速度均应连续可调。测量范围：可测硅单晶的电阻率范围：ρ≥0.1Ω·

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高频光电导少子寿命测试仪/高频光电导寿命测试仪（生产用） 型号：KDKLT-1B货号：ZH8203产品简介:τ:10～6000μs，ρ＞3Ω·cm ，配数字示波器用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质的重要检测项目。设备组成1.光脉冲发生装置:重复频率>25次/s脉    宽>60μｓ光脉冲关断时间＜1μｓ红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶）脉冲电流：5A～20A如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源2.高频源:频    率：30MHz低输出阻抗输出功率>1W放大器和检波器:频率响应：2Hz～2MHz3.配用示波器：配用示波器：频带宽度不低于10MHz，Y轴增益及扫描速度均应连续可调。测量范围：可测硅单晶的电阻率范围：ρ≥0.1Ω·

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高频光电导少子寿命测试仪/少子寿命测试仪 型号：DZ-LT-11、 用途

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高频光电导少子寿命测试仪/少子寿命测试仪 型号：KDK-LT-11、 用途用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。2、 设备组成2.1、光脉冲发生装置重复频率＞25次/s 脉宽＞60μｓ 光脉冲关断时间＜0.2-1μｓ红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶） 脉冲电流：～20A如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源2.2、高频源频率：30MHz 低输出阻抗 输出功率＞1W2.3、放大器和检波器频率响应：2Hz～2MHz2.4、配用示波器配用示波器：频带宽度不低于40MHz，Y轴增益及扫描速度均应连续可调。3、测量范围KDK-LT-1可测硅单晶的电阻率范围：ρ≥3Ω·㎝（欧姆·厘米

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高频光电导少子寿命测试仪/少子寿命测试仪 型号：DZ-LT-11、 用途用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。2、 设备组成2.1、光脉冲发生装置重复频率＞25次/s      脉宽＞60μｓ          光脉冲关断时间＜0.2-1μｓ红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶）   脉冲电流：～20A如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源2.2、高频源频率：30MHz       低输出阻抗      输出功率＞1W2.3、放大器和检波器频率响应：2Hz～2MHz2.4、配用示波器配用示波器：频带宽度不低于40MHz，Y轴增益及扫描速度均应连续可调。3、测量范围DZ-LT-1可测硅单晶的电阻率范围：ρ≥3Ω·㎝（欧姆·厘米）,

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数字式硅晶体少子寿命测试仪/高频光电导寿命测试仪(测单晶) 型号：KDKLT-100C货号：ZH8201 τ:1～6000μs   ρ＞0.1Ω·cm太阳能级硅片寿命 配已知寿命样片、配数字示波器 为解决太阳能单晶、多晶少子寿命测量，特按照国标GB/T1553及SEMI MF-1535用高频光电导法研制出了数字式少子寿命测试仪。 该设备是按照国家标准GB/T1553“硅单晶少数载流子寿命测定的高频光电导衰减法”设计制造。高频光电导衰减法在我国半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探测器行业已运用了三十多年，积累丰富的使用经验，经过数次全国十多个单位巡回测试的考验，证明是一种成熟可靠的测试方法，特别适合于硅块、硅棒研磨面的少子体寿命测量；也可对硅片进行测量，给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面

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高频光电导少子寿命测试仪(基本型)τ:10～6000μs ρ＞3Ω•cm 型号：GDW3-LT-1A货号：ZH4111、  用途 用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。 2、  设备组成 2.1、光脉冲发生装置 重复频率＞25次/s      脉宽＞60μｓ          光脉冲关断时间＜0.2-1μｓ 红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶）   脉冲电流：～20A 如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源 2.2、高频源 频率：

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数字式硅晶体少子寿命测试仪/高频光电寿命测试仪 τ:1～6000μs ρ＞0.1Ω•cm 型号：GDW3-LT100C货号：ZH409太阳能级 硅片寿命 配已知寿命样片、配数字示波器、喷墨打印机    我公司为解决太阳能单晶、多晶少子寿命测量，特按照国标GB/T1553及SEMI MF-1535用高频光电导法研制出了数字式少子寿命测试仪。                                                          该设备是按照国家标准GB/T1553“硅单晶少数载流子寿命测定的高频光电导衰减法”设计制造。高频光电导衰减法在我国半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探测器行业已运用了三十多年，积累了丰富的使用经验，经过数次全国十多个单位巡回测试的考验，证明是一种成熟可靠的测试方法，特别