分立器件测试设备 - 产品信息 - 相关知识

2025-12-16 11:48:29分立器件测试设备: 分立器件测试设备是用于检测分立器件（如二极管、晶体管、电阻器等）性能的关键设备。它能够测量器件的电气参数，如电压、电流、功率、电容等，以及评估其可靠性、稳定性和频率响应等特性。这些设备通常具有高精度、高速度和自动化测试能力，能够大幅提高测试效率和准确性。在半导体生产、电子产品研发和质量控制等领域，分立器件测试设备发挥着至关重要的作用，是确保分立器件质量和性能不可或缺的工具。

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分立器件测试设备问答

2021-05-13 11:29:10吉时利源表助力半导体分立器件I-V特性测试: 近期有很多用户在网上咨询I-V特性测试， I-V特性测试是很多研发型企业和高校研究的对象，分立器件I-V特性测试可以帮助工程师提取半导体器件的基本I-V特性参数，并在整个工艺流程结束后评估器件的优劣。I-V特性测试难点：种类多微电子器件种类繁多，引脚数量和待测参数各不相同，此外，新材料和新器件对测试设备提出了更高的要求，要求测试设备具备更高的低电流测试能力，且能够支持各种功率范围的器件。尺寸小随着器件几何尺寸的减小，半导体器件特性测试对测试系统的要求越来越高。通常这些器件的接触电极尺寸只有微米量级，这些对低噪声源表，探针台和显微镜性能都提出了更高的要求。I-V特性测试方案：针对I-V 特性测试难点，安泰测试建议可采用keithley高精度源测量单元（SMU）为核心测试设备，配备使用简便灵活、功能丰富的 CycleStar 测试软件，及稳定的探针台。图：系统配置连接示意图测试功能：这是一个简单易用的I-V特性测试方案，无论对于双端口或三端口器件，如二极管、晶体管、场效应管都很适用。• 二极管特性的测量与分析• 双极型晶体管 BJT 特性的测量与分析• MOSFET 场效应晶体管特性的测量与分析• MOS器件的参数提取吉时利源表简介及热门型号推荐：吉时利源表将数字万用表 (DMM)、电源、实际电流源、电子负载和脉冲发生器的功能集成在一台仪器中。通过吉时利源表进行分立器件 I-V 特性测试时，支持同时操作两台吉时利源表，轻松完成三端口器件测试。此外，因为吉时利源表兼顾高精度和通用性，广泛适用于教育、科研、产业等众多行业。安泰测试作为泰克吉时利长期合作伙伴，为多家院校，研究所提供了I-V特性测试方案，并提供了吉时利源表现场演示，如果您也有相关应用，欢迎关注安泰测试网。

2023-02-01 14:56:12蔡司激光共聚焦显微镜-微纳器件的表征分析: 对微纳器件进行表征时，常关注的便是器件的表面形貌和三维尺寸信息，比如粗糙度、深度、体积等，这些都是评价微纳加工工艺的重要指标。然而，在进行表面三维的分析工作中，我们可能常遇到这样的苦恼：　　光学明场无法直接定位到亚微米级缺陷结构!　　样品结构太复杂，微弱信号无法捕获，难以准确测量尺度信息!　　三维接触式测量经常会损伤柔软样品，导致测试结果不准确!　　今天，友硕小编将从下面几个角度来看看蔡司激光共聚焦显微镜如何帮助你更好地解决这些问题。　　失效分析：多尺度多维度原位分析!　　器件表面往往存在一些特殊的结构或缺陷，比如亚微米尺度的划痕，这些特征难以在光学明场下被直接观察到。C-DIC(圆微分干涉)观察模式可以让样品表面亚微米尺度的微小起伏都可以呈现出浮雕效果，帮助我们快速定位并开展下一步的分析工作。　　▲ 不同观察方式下晶圆表面缺陷　　在定位到感兴趣区域后，可以直接切换到共聚焦模式，进行表面三维形貌扫描，并进行尺寸测量及分析，无需转移样品即可完成样品多尺度多维度的表征。　　▲共聚焦三维图像及深度测量　　对于某些样品，暗场和荧光模式也是一种很好定位方法，表面起伏的结构在暗场下尤其明显，如蓝宝石这类能发荧光的晶圆，利用荧光成像也能帮助我们快速地定位到失效结构。甚至，共聚焦还可以和电镜或者双束电镜(FIB)(点击查看)实现原位关联，在共聚焦显微镜下进行定位后转移样品到电镜下进行更高分辨的表征分析。　　深硅刻蚀：结构深，信号弱，蔡司激光共聚焦显微镜有办法!　　深硅刻蚀的样品通常为窄而深的沟壑结构。接触式测量(如台阶仪)无法接触到沟壑底部测得信息，而由于结构特殊造成了反射光信号损失，常规白光干涉或者显微明场无法捕获底面的微弱信号。因此，不得不对样品进行裂片分析，这不仅破坏了样品，而且还使分析流程复杂化。　　西湖大学张先锋老师用蔡司激光共聚焦显微镜对深163.905 μm，宽3.734μm的刻蚀坑进行成像，高灵敏探测器、大功率激光及Z Brightness Correction技术可以帮助成功检测到底部的微弱信号，完成大深宽比(近50：1)样品的三维形貌表征与测量，轻松实现无损检测分析。

2021-09-08 17:19:14PET瓶饮料瓶垂直载压测试设备介绍: PET瓶顶压强度差主要是由于瓶体的结构稳定性差、瓶体内部形成强负压环境等原因造成，PET瓶顶压强度不合格常见的表现形式有瓶体凹陷和变形，码堆强度差、容易倒塌。实验室中，PET瓶顶压强度检测用PET瓶垂直载压测试仪，也称为顶压仪。这是是一款专业用于测试PET瓶垂直载压的检测设备，同时，还适用于饮料瓶、易拉罐的垂直载压强度、顶压变形、瓶体耐压、侧压强度等性能测试。赛成自主研发的ZPY-G电子轴偏差测量仪适用于安瓿瓶圆跳动、西林瓶垂直轴偏差检测。依据标准 YBB00332002-2015《低硼硅玻璃安瓿》等国家药监局标准设计制造，是制药企业、药检机构、食品行业不可或缺的仪器。产品特征7寸触控彩色液晶屏，微电脑控制，自动分组统计较大值、较小值、平均值支持垂直度轴偏差和圆跳动两种模式切换，一机两用360°全角度补偿测量偏差，确保测量数值更准确系统自带微型打印机，上位机数据无限储存专业电脑测控软件，曲线图显示，数据保存，EXCEL统计软件用户分级权限管理，数据统计及审计功能，满足医药行业GMP要求测试原理将瓶底加持固定在水平板的旋转盘上，使瓶口与千分表接触，旋转360°读取较大值和较小值，两者之差的1/2即为垂直轴偏差数值。仪器巧妙利用了四爪自定心卡盘同心度高的特点，配合一套可以自由调节高度和方位的高自由度的支架，可以满足各类玻璃瓶检测。测试标准该仪器符合多项国家标准：GB/T 8452-2008、GB/T 2639、QB/T 2357、QB/T 1868、YBB00332002-2015、YBB00332003-2015、YBB00032004-2015技术指标仪器量程 0 ~ 12.7 mm/0.5″分度值 0.001 mm/0.00005″样品直径 5 mm ~ 190 mm可测高度 5 mm ~ 400 mm电动卡盘转速 2 r/min测头升降 300 mm/min（电动）环境要求环境温度：15 ~ 50 ℃环境湿度：10 ~ 90%，无结露电　　源 AC 220 V 50 Hz外形尺寸 600mm(L) × 480mm(B) × 800mm(H)净　　重 58 kg济南赛成仪器一直致力于为大部分国家客户提供高性价比的整体解决方案，公司的核心宗旨就是持续创新，打造高精尖检测仪器，满足行业内不同客户的品控需求，期待与行业内的企事业单位增进交流和合作。赛成仪器，赛出品质，成就未来！

2022-12-05 13:11:13TOF-SIMS在光电器件研究中的应用系列之三: 一、引言光伏发电新能源技术对于实现碳中和目标具有重要意义。近年来，基于有机-无机杂化钙钛矿的光电太阳能电池器件取得了飞速的发展，目前报道的最高光电转化效率已接近26%。卤化物钙钛矿材料具有无限的组分调整空间，因此表现出优异的可调控的光电性质。然而，由于多组分的引入，钙钛矿材料生长过程中会出现多相竞争问题，导致薄膜初始组分分布不均一，这严重降低了器件效率和寿命。图1. 钙钛矿晶体结构二、TOF-SIMS应用成果由于目前用于高性能太阳能电池的混合卤化物过氧化物中的阳离子和阴离子的混合物经常发生元素和相分离，这限制了器件的寿命。对此，北京理工大学材料学院陈棋教授等人研究了二元（阳离子）系统钙钛矿薄膜(FA1-xCsxPbI3，FA：甲酰胺)，揭示了钙钛矿薄膜材料初始均一性对薄膜及器件稳定性的影响。研究发现，薄膜在纳米尺度的不均一位点会在外界刺激下快速发展，导致更为严重的组分分布差异化（如图2所示），最终形成热力学稳定的物相分离，并贯穿整个钙钛矿薄膜，造成材料退化和器件失活。该研究成果以题为“Initializing Film Homogeneity to Retard Phase Segregation for Stable Perovskite Solar Cells”发表在Science期刊。[1]图2. 二元 FAC 钙钛矿的降解机制。（A-H）钙钛矿薄膜的组分初始分布和在外界刺激下的演变行为。（I-N）热力学驱动下，钙钛矿薄膜的物相分离现象的TOF-SIMS表征TOF-SIMS作为重要的表面分析方法，具有高检测灵敏度（ppm-ppb）、高质量分辨率(M/DM>16000)和高空间分辨率(16000)和高空间分辨率(

2022-12-05 13:08:46TOF-SIMS在光电器件研究中的应用系列之二: PART 01 引言有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode，OLED）是基于多层有机薄膜结构的电致发光的器件，用作平面显示器时具有轻薄、柔性、响应快、高对比度和低能耗等优点，有望成为新一代主流显示技术。然而，高效率和长寿命依然是阻碍OLED发展的重要因素，因为有机材料易降解和器件界面结构不稳定从而导致OLED器件失效。在此背景下，迫切需要了解器件的退化机制，从而在合理设计和改进材料组合以及器件结构的基础上，找到提高器件寿命的有效策略。图1. 基于OLED柔性显示器件 PART 02 TOF-SIMS表面分析方法研究有机/无机混合OLED器件的界面效应是提高其性能和运行稳定性的关键步骤。在众多分析方法中，飞行时间二次离子质谱仪（Time of Flight-Secondary Ion Mass Spectrometer，TOF-SIMS）是表征有机层及其内部缺陷的有效分析工具。TOF-SIMS是由一次脉冲离子束轰击样品表面所产生的二次离子，经飞行时间质量分析器分析二次离子到达探测器的时间，从而得知样品表面成份的分析技术，具有以下检测优势：（1）兼具高检测灵敏度（ppmm-ppb）、高质量分辨率(M/DM>16000)和高空间分辨率(