目前市面上的硅片表面有机物监测系统(Wafer Outgassing Monitoring System,WOMS)也主要是离线监测方案,采用苏玛罐或者热脱附管的采样方式,自动化程度不高,需要人工离线采集或者富集样品后再上机检测,且硅片表面的有机沉降物多为高沸点的化合物,采集过程中容易出现损失。
本文介绍了一种自动化WOMS方案,添加完硅片样品之后,全程可以自动化进行样品前处理、样品富集、样品检测及出具结果,整个过程无需人工干预。
设备
使用珀金埃尔默的TurboMatrix 300型热脱附仪以及GCMS 2400气相色谱-质谱联用仪进行分析,设备如图1所示,前处理系统和自动化控制软件由锐谱科技提供,整套WOMS方案集成在箱体中,如图2所示。
图1.TurboMatrix热脱附仪以及GCMS 2400气相色谱-质谱联用仪
图2.WOMS设备示意图
硅片加热系统的结构示意图如图3所示,整套系统为石英材质,采用红外辐射加热的方式进行加热,升温速率快,温度控制精准。样品舱经过特殊设计,可以对硅片两面的有机物或者单面的有机物进行分析,且适配各种不同尺寸的晶圆。样品舱到热脱附仪的管路全程加热,防止高沸点有机物的残留。
图3.硅片加热系统示意图(点击查看大图)
在线热脱附仪的阀图如图4所示,可选择是否加装在线除水装置(Naflon Dries),如果样品中含水率较高,可除去样品中的水分,可防止样品中水分过高导致冷阱结冰,堵塞冷阱的现象。
图4.在线热脱附阀示意图(点击查看大图)
珀金埃尔默热脱附的冷阱为独家的三段式半导体冷阱设计,冷阱最低温度可达-40℃,对低沸点化合物有最好的捕集效果,冷阱示意图见图5,可以有效捕集C2~C3的化合物,例如乙烷、乙炔、丙烷等,见图6。
珀金埃尔默热脱附配置耐高温的金属阀,最高加热温度可达300℃,传输线的最高温度也可达300℃,可有效防止目标物在传输过程中冷凝损失,金属阀见图7。
(左)图5.冷阱示意图;(中)图6.低沸点化合物结果;(右)图7.金属阀示意图(点击查看大图)
分析条件如下表1所示
表1.仪器条件
C16标准样品结果:
在硅片加热前处理系统中添加1μL 200μg/mL的C16标液,加标量为200ng,连续6次的结果如下图所示:
图8.200ng C16连续6次进样标准图谱(点击查看大图)
连续六次加标的重复性结果:
表2.200ng C16重复性(点击查看大图)
定量限
在硅片加热前处理系统中添加1μL 1μg/mL的C16标液,加标量为1ng,响应强度如下图所示,信噪比为29.58。根据10倍的信噪比计算定量限为0.34ng。
换算到硅片样品中的定量限为 0.233pg/cm2 (12英寸晶圆,双面检测)
图9.1ng C16信噪比(点击查看大图)
线性
配置10 μg/mL、20 μg/mL、50 μg/mL、100 μg/mL、200 μg/mL和500 μg/mL的C16标液,分别在硅片加热前处理系统中添加1 μL ,加标量分别为10ng、20ng、50ng、100ng、200ng和500ng,校准曲线如下图所示,r2>0.999。
图10.标准曲线(点击查看大图)
实际样品
某公司提供的硅片的检测结果如下所示,主要的高沸点化合物有己内酰胺、烷烃、邻苯二甲酸酯类化合物。
图11.实际样品检测结果(点击查看大图)
参考标准
[1] GB/T 24577-2009 热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物
[2] SEMI MF1982 :2017 TEST METHOD FOR ANALYZING ORGANIC CONTAMINANTS ON SILICON WAFER SURFACES BY THERMAL DESORPTION GAS CHROMATOGRAPHY
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