精准定位，真实暴露
徕卡电镜制样为
半导体失效分析提供决定性起点
当你的FIB还在为寻找那个确切的失效点而耗时数小时，徕卡的制样方案已让目标界面在电镜下清晰呈现。
半导体失效分析工程师都明白一个残酷现实：制样阶段的任何偏差，都会导致后续数百万电镜分析走向错误方向。 随着芯片工艺进入3纳米时代，传统制样方法已无法满足对3D封装、异质集成结构的分析需求。
徕卡电镜制样系统通过 “光学精确定位+无应力加工” 的组合，确保您从第一微米就走在正确的分析道路上。
核心痛点：为什么你的失效分析总在第一步就输了？
1 | 定位失准：在复杂封装结构中，无法精准定位到微米级失效点，浪费时间在非目标区域 |
2 | 假象引入：机械切割带来的热损伤和应力变形，掩盖真实失效机理 |
3 | 效率低下：单个样品前处理耗时数小时甚至数天，延误问题解决周期 |
4 | 结果不可靠：制样不一致导致分析结果无法复现，影响根本原因判断 |
徕卡解决方案：专为半导体失效
分析设计的制样系统
精研一体机 (EM TXP) + 三离子束研磨仪 (EM TIC 3X) 组合方案
1 | 精准到微米的定位能力：集成高分辨率光学系统，加工同时实时观察，实现“所见即所得”的定点制样 |
2 | 零应力损伤的最终表面：三离子束抛光技术彻底去除机械损伤层，暴露材料真实结构，无热影响区 |
3 | 应对各种材料的灵活性：从硬质SiC到软质聚合物，从室温到-150°C冷冻切割，全覆盖半导体材料 |
4 | 行业验证的可靠性：全球顶尖半导体实验室选择，为3D IC、先进封装、功率器件提供可信制样基础 |
Leica EM TXP
Leica EM TIC 3X
应用场景：解决您的具体分析难题
先进封装失效分析
3D IC芯片堆叠界面分层
TSV硅通孔缺陷定位
微凸点连接失效分析
前道工艺缺陷排查
晶体管栅极结构截面
接触孔形貌表征
薄膜界面质量评估
功率电子器件分析
SiC/GaN器件界面缺陷
散热结构完整性
键合线连接可靠性
案例展示
01. 面板观察表面：逐层抛光，去除薄膜二极管或电路表面有机层（LM image）
离子抛光前
离子抛光后
02. 封装芯片（含通孔键合）的截面研磨分析（SEM）
机械研磨（EM TXP）
离子束研磨（EM TIC 3X）
03. Wire bond引线键合的EBSD分析
04. 柔性电路板——面板边缘焊点观察截面（SEM）
为什么实验室选择徕卡
1 | 速度与精度的平衡：数小时内完成从宏观样品到电镜可观察样品的制备 |
2 | 结果的可重复性：程序化存储加工参数，确保批次分析结果一致可比 |
3 | 完整的生态支持：从制样到镀膜再到传输，提供一站式解决方案，无缝对接各品牌电镜 |
4 | 全球专家网络：资深应用团队提供半导体专项支持，分享最新制样方法与技巧 |
为您的电镜分析提供无可置疑的起点
徕卡制样系统确保您的失效分析从第一步就建立在精准、真实、高效的基础上。当样品完美制备，电镜下的真相自然浮现。
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我们将根据您的具体应用需求，
安排专业技术演示与案例分享。
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