长波长型(截止波长:2.57 μm)
产品特性● 截止波长: 2.57 μm
● 一级TE制冷● 低成本● 感光面积:...
长波长型(截止波长: 2.57 μm)
产品特性● 截止波长: 2.57 μm
● 一级TE制冷● 低成本● 感光面积...
长波长型(截止波长: 2.57 μm)
产品特性● 截止波长: 2.57 μm
● 一级TE制冷● 低成本● 感光面积...
长波长型(截止波长: 2.55 μm)
产品特性● 截止波长: 2.55 μm
● 二级TE制冷● 低成本● 感光面积...
长波长型(截止波长: 2.55 μm)
外形特性● 截止波长: 2.55 μm
● 二级TE制冷● 低成本● 感光面积...
长波长型(截止波长:2.55 μm)
产品特性● 截止波长:2.55 μm
● 二级TE制冷● 低成本● 感光面积: ...
长波长型(截止波长: 2.55 μm)
产品特性● 截止波长: 2.55 μm
● 二级TE制冷● 低成本● 感光面积...
长波长型(截止波长: 2.55 μm)
产品特性● 截止波长: 2.55 μm
● 二级TE制冷● 低成本● 感光面积...
长波长型(截止波长: 2.57 μm)
产品特性● 截止波长: 2.57 μm
● 一级TE制冷● 低成本● 感光面积...
长波长型(截止波长: 2.57 μm)
产品特性● 截止波长: 2.57 μm
● 一级TE制冷● 低成本● 感光面积...
长波长型(截止波长: 2.6 μm)
产品特性● 截止波长: 2.6 μm
● 低成本● 感光面积: φ3 mm
长波长型(截止波长: 2.6 μm)
产品特性● 截止波长: 2.6 μm
● 低成本● 感光面积: φ2 mm
长波长型(截止波长: 2.6 μm)
产品特性● 截止波长: 2.6 μm
● 低成本● 感光面积: φ1 mm
长波长型(截止波长: 2.6 μm)
产品特性● 截止波长:2.6 μm
● 低成本● 感光面积:φ0.5 mm
长波长型(截止波长: 2.6 μm)
产品特性● 截止波长:2.6 μm
● 低成本● 感光面积: φ0.3 mm<...
表面贴装型COB(chip on board)封装,感光面积:1mm dia.G13176-010P是一款具有表面贴装COB封装的小尺寸近红外...
表面贴装型COB(chip on board)封装,感光面积:0.3mm dia.G13176-003P是一款具有表面贴装COB封装的小尺寸近...
长波长型(截止波长:2.55μm)特征 - 截止波长:2.55μm - 两级TE冷却- 低成本 - 光敏区:φ1mm- 低噪声- 高灵敏度- ...
带信号处理IC的光电二极管阵列S11865/S11866系列是带信号处理IC芯片的硅光电二极管阵列。与之前的产品(S8865/S8866系列)...
X射线探测用光电二极管阵列(带信号处理IC)这种光电二极管阵列带放大器,且在感光面上粘贴了磷片,用于X射线探测。信号处理电路的芯片由CMOS...
结合了信号处理IC的光电二极管阵列这些硅光电二极管结合了信号处理IC芯片。此芯片由CMOS工艺制造,集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列...
X射线探测用光电二极管阵列(带信号处理IC)这种光电二极管阵列带放大器,且在感光面上粘贴了磷片,用于X射线探测。与之前的产品(S8865/S8...
X射线探测用光电二极管阵列(带信号处理IC)这种光电二极管阵列带放大器,且在感光面上粘贴了磷片,用于X射线探测。与之前的产品(S8865/S...
结合了信号处理IC的光电二极管阵列这些硅光电二极管结合了信号处理IC芯片。此芯片由CMOS工艺制造,集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列...
X射线探测用光电二极管阵列(带信号处理IC)这种光电二极管阵列带放大器,且在感光面上粘贴了磷片,用于X射线探测。与之前的产品(S8865/S...
结合了信号处理IC的光电二极管阵列这些硅光电二极管结合了信号处理IC芯片。此芯片由CMOS工艺制造,集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列...
X射线探测用光电二极管阵列(带信号处理IC)这种光电二极管阵列带放大器,且在感光面上粘贴了磷片,用于X射线探测。与之前的产品(S8865/S...
X射线探测用光电二极管阵列(带信号处理IC) S13885系列光电二极管阵列带放大器,且在感光面上粘贴了磷片,用于X射线探测。通过改善信号处理...
X射线探测用光电二极管阵列(带信号处理IC) S13885系列光电二极管阵列带放大器,且在感光面上粘贴了磷片,用于X射线探测。通过改善信号处理...
带信号处理IC的光电二极管阵列,用于X射线检测
S13886-128G是带有放大器的光电二极管阵列系列,放大器具有附着到光敏区域的...
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