FIB-SEM双束电镜应用之Xe等离子快速切割技术
- 上传人: 泰思肯贸易(上海)有限公司 |大小:578.63KB|浏览:691次|时间:2021-05-24
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Xe 等离子 FIB 能够实现微纳米,甚至毫米级的快速加工。Xe 等离子 FIB 的ZD束流为 2μA,
另外 Xe 离子的原子量更大,对纯 Si 的溅射效率比 Ga 离子约高 30%。虽然 Xe 离子的溅射效率高,但是由于 Xe 离子的直径较大,Xe 等离子束加工样品时产生的注入效应和损伤要比 Ga 离子
束小。
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