利用极紫外（EUV）辐射实现高分辨率成像！

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极紫外（EUV）应用亮点●●
//1｜新的台式光源使 10-100 纳米级的应用变为现实
//2｜极紫外线应用包括计量学、纳米级成像和电子光谱学
//3｜极紫外线系统通常采用反射光学系统因为折射系统的光吸收率高
//4｜表面粗糙度至关重要因为较短波长处的散射通常更高

极紫外线 (EUV) 辐射包括在 X 射线和深紫外线 (DUV) 光谱区域之间约 10nm 至 100nm 的波长带。随着极紫外线领域（包括光刻技术、纳米级成像和光谱学等）中对于许多应用的需求日趋紧迫，最 jin 均已着手开发紧凑型极紫外线光源。这一努力为几种极紫外线光源带来了商业可用性.

几乎所有材料都能够 完 quan 吸收极紫外线辐射，因此光学元件几乎都是反射，而不是透射的。由于波长很短，因此对极紫外线光学元件表面的质量要求比可见光元件的要求更高。虽然由于其苛刻的要求，生产极紫外线光学元件并非易事，但因极紫外线辐射在高分辨率成像、光谱学和材料加工等方面的优势，仍然值得为此付出努力.
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