TEM用纯Si薄膜窗
纯硅薄膜窗特点
纳米级厚度：薄膜厚度为5-15nm，比目前无定形碳薄膜窗口还薄，为高倍成像减少了背景干扰；
清洗：采用等离子清洗，无有机物残留，改善成像质量；
均匀性：减少了不同区域的不均匀性；
稳定性：高电子束电流和退火温度下具有很好的稳定性(600℃ for non-porous, >1000℃ for nanoporous)；
减少污染：彩色污染仅为C膜的一半；
纳米孔：为纳米尺寸材料提供稳定的成像，无背景干扰；
Si成分：溅镀沉积、纯的Si；
最小的背景信号：可对含Ni或C样品进行元素分析；
纯硅薄膜窗规格
单窗口系列
窗口类型 | 薄膜厚度 | 窗口尺寸 | 框架尺寸 | 框架厚度 |
| 5nm | 25x25μm | Φ3mm | 100μm |
| 30nm | 500x500μm 纳米孔10-60nm | Φ3mm | 100μm |
多窗口系列
窗口类型 | 薄膜厚度 | 窗口尺寸 | 框架尺寸 | 框架厚度 |
| 5nm | 2x1阵列，50X1500μm | Φ3mm | 100μm |
9nm /15nm | 2x1阵列，100X1500μm | Φ3mm | 100μm | |
5nm | 2x1阵列，100X100μm | Φ3mm | 200μm | |
9nm /15nm | 2x1阵列，100X1500μm | Φ3mm | 200μm | |
| 5nm | 3x3阵列，8个窗口50X50μm， 1个窗口50X100μm | Φ3mm | 100μm |
5nm /9nm | 3x3阵列，8个窗口100X100μm， 1个窗口100X350μm | Φ3mm | 100μm | |
9nm | 3x3阵列，8个窗口100X100μm， 1个窗口100X350μm | Φ3mm | 200μm | |
15nm | 3x3阵列，8个窗口100X100μm， 1个窗口100X350μm | Φ3mm | 100μm | |
30nm | 3x3阵列，8个窗口100X100μm，1个窗口100X350μm； 纳米孔10-60nm | Φ3mm | 100μm | |
| 15nm | 3x3阵列，窗口100X100μm | Φ3mm | 200μm |
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