PMMA & Copolymer (MMA (8.5) MAA) - E-Beam 光刻胶

PMMA & Copolymer（MMA（8.5）MAA）- E-Beam光刻胶

PMMA（Polymethacrylate）是一种非常适合许多成像和非成像微电子应用程序的聚合物材料。用于电子束工艺曝光，如T-gate制造，临时芯片接合工艺如晶圆减薄，用作保护层和临时粘合剂。PMMA光刻胶是PMMA聚合物溶解在特定的溶剂中形成特定分子量的材料，如苯甲醚（安全溶剂）然后过滤。使用传统曝光，直写式曝光或X-射线曝光使聚合物断链，从而在光刻胶的曝光和未曝光区域间产生溶解度差异，实现非常高分辨率的图形。

•非常适合于电子束光刻和X射线曝光

•高分辨率：< 0.1μm

•广范围分子量和粘度选择

•显影剂：MIBK:IPA

•溶剂：苯甲醚（A）和氯苯（C）

•应用包括电子束光刻，多层T-Gate剥离，晶圆减薄等。

Copolymer光刻胶是MMA和8.5%甲基丙烯酸的混合物。Copolymer（8.5）MAA并PMMA光刻胶堆叠，是常用在双层剥离工艺实现独立CD控制。被配置在乳酸乙酯的标准Copolymer光刻胶，可提供宽范围的粘度（薄膜厚度）。所有PMMA和Copolymer光刻胶的包装：从500毫升到20升。

PMGI与LOR-双层Lift-off光刻胶

•高分辨率（< 0.25微米）Lift-off工艺

•适用厚（> 3μm）的金属沉积

•对Si，GaAs，GaN等常见基底有良好的粘附力

•高耐热性（<300°C）

•易于剥离，即使通过高热制程也不影响剥离性

•常应用于三五族金属制程，microLED等应用

LOR C系列TV FiL -孔洞暂时填补光刻胶

•可完整填补高深宽比（> 1:5）之孔洞/沟渠且无气泡问题

•可藉由高热reflow来达到表面平坦效果

•对Si，GaAs，GaN等常见基底有良好的粘附力

•高耐热性（<300°C）

•易于剥离，即使通过高热制程也不影响剥离性

PermiNex™ - 晶圆键合粘合剂

PermiNex™ 1000 - Solvent basePermiNex™ 2000 - Aqueous base

PermiNex™ 1000和2000系列光刻胶是一种可用UV光图形化之永 久性黏合材料，可用于制作腔体结构。例如需要精密对准与低温制程的BAW/SAW/CIS之封装与微流道应用。

材料特性：

•非气密型永 久晶圆黏着剂

•负型光刻胶

•低金属腐蚀

•可用水性或溶剂型显影剂显影

•深宽比达3:1

•低温制程（< 200°C）

•高品质，无孔洞的粘着

•与玻璃，Si都有绝 佳的附着力

•可与后续制程良好搭配（切割，焊接等）和高可靠性（HAST，TST）

KMRD - 01 5 A -低温固化PA材料用于晶圆级封装的线路重布层

材料特性：

•水性显影剂，负型聚合物光刻胶

•低温单阶固化：1小时@ 185℃

•制程中的低收缩与低薄膜损失特性

•良好的化学与热稳定性

•出色的可加工性与曝光宽容度

•低模数和高强度

•线路重布层具有良好的电性质和机械性质

•可低温固化

•优异的HAST和TCT表现

KMSFTM 1000 -低应力介电光阻

材料特性：

•负型永 久型光阻

​•低温固化（< 175°C）

•深宽比1:1

•极低内聚力避免基材翘曲问题

•高耐化性

•高附着性

•低吸湿性（23˚C/50%RH for 24 hr，0.1%）