CNI v3.0是一种非常灵活的纳米压印机。它可提供加热型纳米压印、UV紫外纳米压印以及真空纳米压印。模块化系统可根据特定需求轻松配置,体积小,容易存放,zui大可处理210mm(8英寸)圆形的任何尺寸印章和基材。该系统是手动装卸印章和模板,但所有处理器都是全自动的,专用软件用户可以完全控制压印过程。
纳米压印机特色:
• 体积小巧,容易存放,桌面型;
• 轻微复制微米和纳米级结构;
• 热压印温度高达200℃;
• 可选的高温模块,适用于250℃;
• UV纳米压印,365nm曝光;
• 可选的UV模块,适用于405nm曝光;
• 真空纳米压印(腔室可抽真空至0.1mbar);
• 纳米压印压力高达11bar;
• 温度分布均匀、读数准确;
• 笔记本电脑全自动控制,工艺配方编辑简单,完全灵活控制,自动记录数据;
• 直径最大210mm(圆形)腔室;
• 腔室高度为20mm;
• 即插即用
• 使用简单直观
• 专为研发而设计
• 提供安装和操作教程视频
在过去的五年中,基于石墨烯的气体传感器引起了极大的兴趣,显示出了单分子检测的优势。 最近的研究表明,与未构图的层相比,构图石墨烯可大大提高灵敏度.
通过标准程序生长CVD石墨烯,然后转移到Si/SiO 2模板上进行进一步处理。 如(Mackenzie,2D Materials,[http://dx.doi.org/10.1088/2053-1583/2/4/045003]中所述,使用物理阴影掩模和激光烧蚀来定义接触和器件区域。
使用软压印在CNI v2.0中进行热纳米压印光刻,将mr-I7010E压印抗蚀剂在130℃,6bar压力下压印10分钟,压力在70℃下释放。
通过反应离子蚀刻将边缘到边缘间隔为120-150nm的大面积图案的孔转移到石墨烯中,并且用丙酮除去残留的抗蚀剂。
发现器件具有大约的载流子迁移率发现器件在加工前具有约2000cm2/Vs的载流子迁移率,之后具有400cm2/Vs的载流子迁移率处理,同时保持整体低掺杂水平。
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