百及纳米ParcanNano单离子注入系统SII

产品简介

公司中德技术团队家研发了一款基于新型扫描探针精 准定位的离子注入 系统，能有效控制注入半导体器件的杂质种类、数量和位置，实现多种离 子（如 H、N、O、Si、P、B、As、Te、Ar 等）的精 准定位定量掺杂注入。该 系统可以满足量子比特阵列,金刚石中的氮空位中心（NV 色心）以及单原子 器件的工艺精度要求，研制的设备可用于探索纳米结构器件、量子比特系 统和量子信息处理器电路的开发。 公司的一项革命性发明专 利，解决了注入离子由于晶格散射带来的位置 不确定性问题，颠覆性地将注入离子在晶体中位置的误差缩减到 10nm 以 下，实现纳米级精确定位注入掺杂离子。

技术特点：

•   精 准确定位定量离子注入

•   针尖悬臂上的小孔小于50nm

•   锥形电场稀释和准直离子束

•   横向电场形成离子闸门

应用领域：

•   功能材料定位掺杂

•   纳米尺度功能器件制备

•   固态量子信息技术

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