康帕因/CPI

该设备炉管可360度旋转，管内壁有石英挡片帮助粉料翻转有助于烧结更均匀；

1200℃开启式迷你真空管式炉炉体小巧，升温速度极快，它不仅可以抽真空,也可以通气体保护。

CVD1200C-II-SL 200D50-5Z(含预热器) 双温区滑轨式CVD系统由预热炉、双温区滑轨炉、质子流量控制系统、真空系统三部分组成。

LFT1200C 600D130III三温区开启式真空管式炉采用双层风冷结构，炉体表面温度≤60℃，炉膛采用高纯度氧化铝微晶纤维高温真空吸附成型。

LFT1600C 300D60高温真空管式炉采用双层风冷结构，炉体表面温度≤60℃，炉膛采用高纯度氧化铝微晶纤维高温真空吸附成型。

LFT-1200C 400D60单温区开启式真空管式炉采用双层风冷结构，炉体表面温度≤60℃，炉膛采用高纯度氧化铝微晶纤维高温真空吸附成型。

立式管式高温炉如图所示，集控制系统与炉膛为一体。炉衬使用真空成型高纯氧化铝聚轻材料， 采用电阻丝为加热元件。

CVD1200C-II-SL 200D50-5Z 双温区滑轨式CVD系统由双温区滑轨炉、质子流量控制系统、真空系统三部分组成。

1200℃开启式迷你真空管式炉炉体小巧，升温速度极快，它不仅可以抽真空,也可以通气体保护。

双温区滑轨炉可移动并可实现快速升降温；PLC控制5路质子流量器，能够精确控制系统的供气；真空泵可实现对管式炉快速抽真空。CVD（化学气象沉积系统）常用于表面材料生长、沉积，是一款实验室常用设备

该真空箱式炉系列用于在1100℃下半导体器件、金属材料的热处理和还原性烧结等工艺，也可用于产品的炭化试验。

LFM140C-128高温箱式炉是以硅碳棒为加热元件、采用S型热电偶和30段可编程温度控制器。

采用双层壳体结构，炉膛使用氧化铝多晶纤维材料，广泛应用于材料金属在低真空、还原性、保护性气氛下的热处理，也可用于特殊材料的热处理，如碳制品的碳化工艺。

该设备炉衬使用真空成型高纯氧化铝聚轻材料，采用电阻丝为加热元件。加热元件与炉管平行，均匀地分布在炉管外，有效的保证了温场的均匀性。

该设备炉衬使用真空成型高纯氧化铝聚轻材料，采用电阻丝为加热元件。

CVD1200C 900D60IIIR 3ZLV 是集三温区真空回转炉、三路质量流量计系统及低真空机组而成一种动态状态下的化学气相沉积系统。