德国Allresist/Allresist

德国Allresist 电子束光刻胶（电子束抗蚀剂）E-beam resist 电子束正胶：PMMA 胶，PMMA/MA 聚合物， LIGA 用胶等。 电子束负胶：高分辨率电子束负胶，化学放大胶（高...

德国Allresist 正电子束光刻胶 AR-P 610系列，用于纳米光刻的 AR - P617电子束电阻，共聚物抗蚀剂系列用于生产集成电路和掩模。

德国ALLRESIST防护涂层PMMA Electra 92 (AR-PC 5090)，用于非氮基电子束电阻的导电保护涂层，用于在绝缘衬底上耗散电子束电荷的顶层。

德国Allresist 正电子束光刻胶 AR-P 6200 (CSAR 62)，高分辨率，用于生产集成电路和掩模的高对比度电子束电阻。电子束;层thickn。0,05-1,6 evm (6000-1...

刻胶（resist） 概 述 光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。广泛应...

特点：• 紫外负胶（厚胶），适用于 LIGA 及 MEMS应用• 涂胶厚度 10μm@1000rpm， 可提供更高厚度（200μm）• SX AR-N 4600-10 : 结构稳定性好、重复性好，厚...

特点：• 用于消除电子束曝光、SEM成像、FIB等工艺中的荷电效应• 通过旋涂的方式涂胶，操作简单• 涂胶厚度：40nm @ 4000rpm• 电子束曝光后可溶于水，非常容易去除，且不损伤衬底材料•...

特点：• 用于耐刻蚀工艺、电镀、LIGA、MEMS等• 感光波段：Broadband UV、i-line(365nm) g-line(436nm)、 e-beam、X-ray、synchrotron...

特点：• 用于高灵敏度电子束曝光、混合曝光等• 感光波段：e-beam、deep UV(248 nm)• 紫外曝光波段： 负胶：248nm~265nm & 290nm~330nm• 化学放大胶，高灵...

点：• 耐酸碱保护胶• 不含光敏物质，无需黄光室• 在40% KOH或50% HF酸中可长时间稳定• 通过双层工艺可实现正性(AR-P 3250) 或负性(AR-N 4400-05/10)光刻工艺 ...