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立式自动系统，带有水冷或者加热（可加热到700度）功能，可达6“旋转平台，支持到4个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过...

立式自动系统，带有水冷或者加热（Z高可加热到700度）功能，Z大到6“旋转平台，Z大可支持到4个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr...

NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l...

RIE刻蚀机概述：RIE系统，配套有淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口：一个带有2"的视窗,另一个空置用...

全自动上下载片，带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统，带8“ ICP源。系统配套500L/S抽速的涡轮分子泵，可以使得工艺压力达到几mTorr的水平。在低温刻蚀的技术下，系统可以达到硅片的高深宽...

1、提供NTS系列的系统(NTS-3000, NTS-3500，NTS-4000)，具有溅射和蒸发两种能力。通过计算机控制系统，我们可以在同一套系统上提供溅射和蒸发能力，这样可以充分利用溅射和蒸发技术...

NEE-4000电子束蒸发系统为双腔配置，样品台位于主腔体，二级腔体则用于安置电子束源。两腔体之间的门阀作为预真空锁，使得电子束源腔体保持真空的情况下，通过主腔放入基片到样平台（或夹具）上或从中取出。...

ALD原子层沉积可以满足准确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统...

ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统...

Nano-Master兆声单晶圆及掩模版清洗机提供高可重复性、高均匀性及的兆声清洗、兆声辅助下光刻胶剥离，以及湿法刻蚀。该系统配套机械手，也可以升级为多系统的集成架构。它可以在一个工艺步骤中包含了的无...

SWC-4000兆声晶圆（掩模版）清洗机：Nano-Master兆声单晶圆及掩模版清洗机提供高可重复性、高均匀性及的兆声清洗、兆声辅助下光刻胶剥离，以及湿法刻蚀。它可以在一个工艺步骤中包含了的无损兆声...

Nano-Master兆声大基片湿法刻蚀系统提供高可重复性、高均匀性及的兆声清洗、兆声辅助下光刻胶剥离。它是集成式的一体化系统，可以在一个工艺步骤中包含了的无损兆声清洗、化学试剂清洗、刷子清洗以及干燥...

如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过...

NSC-3500全自动磁控溅射镀膜机概述：带有水冷或者加热(可加热到700度)功能，可达到6"旋转平台，支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟...

NSC-3500全自动磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(可加热到700度)功能，可达到6"旋转平台，支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内...

NIE-3500（A）全自动离子束清洗系统：是一款自动放片/取片，并且工艺过程为全自动计算机控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统，可以用于表面清洗、表面处理、离子铣。