ALD原子层沉积技术应用

ALD设备：ALD原子层沉积可以满足膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。

ALD设备应用：

• Oxides氧化物: Al₂O₃, HfO₂, La₂O₃, SiO₂, TiO ZnO, In₂O₃，etc

• Nitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..

• Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS应用.

• Nano laminates纳米复合材料

• 高K介质

• 疏水性涂覆

• 钝化层

• 高深宽比扩散阻挡层的铜连接

• 微流控应用的保形性涂覆

• 燃料电池中诸如催化层的单金属涂覆