晶体管特性图示仪：优秀的性能（0.1%精度&uΩ内阻&pA漏电）轻松表征uA/uV至kA/kV级高速开关频率器件
晶体管特性图示仪： Si / SiC / GaN 材料的Diode、LED、BJT、Mosfet、IGBT、HEMT、OC/光耦、电容......
IV信号源输出2kV（支持3.5kV）1kA（支持扩展4kA）
晶体管特性图示仪：静态特性测试，IV曲线+单点表征
CR测量单元，CV-Curve、Rg、Ciss、Coss、Crss
-50℃~﹢150℃(最高200℃)专用精密在线高低温箱
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陕西天士立科技有限公司晶体管特性图示仪STD2000E
一、产品介绍@晶体管特性图示仪
晶体管特性图示仪是由西安天光测控技术有限公司于2021年隆重推出的全新一代“大功率高精度静态特性测试系统”，基于全新三代半SiC, GaN 器件和模块以及车规级模块的新兴要求而进行的一次高标准产品开发。设备软件及硬件均由团队全自主完成，这就决定了这款产品的功能性和可靠性能够得到持续优化和不断的提升，替代同类进口设备优势明显。
脉冲信号源输出方面，高压源标配 2000V（选配3.5KV），高流源标配1KA（选配4KA多模块并联），栅极电压30V。采用多量程设计架构，各量程下均可保证0.1%精度，具有 uΩ级精确测量，pA 级漏电流测量能力。全自动程控软件，图型化上位机操作界面。内置开关切换矩阵保证测试效率。模块化结构设计预留升级扩展潜能。采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。
可测 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, LED, MOSFETs, BJTs, HEMTs, 电容，光耦，产品为小型柜式结构，由测试主机、程控计算机、测试接口三大部分组成。测试接口可外挂各类夹具和适配器，还能够通过专用接口连接各种Handler。如分选机、机械手、探针台、编带机等等。建立工作站，实现快速批量化测试。通过软件设置可依照被测器件的参数等级进行自动分类存放。能够极好的应对“来料检验”“失效分析”“选型配对”“量产测试”等不同场景。
四、人机界面@晶体管特性图示仪
五、技术指标@晶体管特性图示仪
可测参数 | 测试范围FORCE | SENSE | 精度 |
二极管,LED | |||
反向击穿电压VR | 低压：电流量程：10nA~10A | 电压量程：300mV~300V | 0.10% |
高压：电流量程：1uA~100mA | 电压量程：100V~3500V | 0.10% | |
反漏电流IR | 低压：电压量程：300mV~300V | 电流量程：10nA~10A | 0.10% |
高压：电压量程：100V~3500V | 电流量程：1uA~100mA | 0.10% | |
正向电压VF | 低压：电流量程：10nA~10A | 电压量程：300mV~300V | 0.10% |
高流：电流量程：10-1000A | 电压量程：300mV~12V | 0.10% | |
正向电流IF | 低压：电压量程：300mV~300V | 电流量程：10nA~10A | 0.10% |
高流：电流量程：10-1000A | 电压量程：300mV~12V | 0.10% | |
电容值Cd | 频率：10Hz~1MHz | 容值：0.01pF~9.9999F | 0.50% |
I-V特性曲线， | 选配 | ||
C-V特性曲线 | 选配 | ||
三极管 | |||
集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO | 低压：电流量程：10nA~10A | 电压量程：300mV~300V | 0.10% |
高压：电流量程：1uA~100mA | 电压量程：100V~3500V | 0.10% | |
集电极-基极击穿电压V(BR)CBO | 低压：电流量程：10nA~10A | 电压量程：300mV~300V | 0.10% |
发射极-基极击穿电压V(BR)EBO | 低压：电流量程：10nA~10A | 电压量程：300mV~300V | 0.10% |
集电极-基极截止电流ICBO | 低压：电压量程：300mV~300V | 电流量程：10nA~10A | 0.10% |
发射极-基极截止电流IEBO | 低压：电压量程：300mV~300V | 电流量程：10nA~10A | 0.10% |
集电极-发射极饱和电压VCESAT | 低压：电流量程：10nA~10A | 电压量程：300mV~300V | 0.10% |
高压：电流量程：1uA~100mA | 电压量程：100V~3500V | 0.10% | |
基极-发射极饱和电压VBESAT | 低压：电流量程：10nA~10A | 电压量程：300mV~300V | 0.10% |
集电极电流IC | 低压：电压量程：300mV~300V | 电流量程：10nA~10A | 0.10% |
高流：电流量程：10-1000A | 电压量程：300mV~12V | 0.10% | |
基极电流IB | 低压：电压量程：300mV~300V | 电流量程：10nA~10A | 0.10% |
集电极-基极电容Ccb， | 频率：10Hz~1MHz | 容值：0.01pF~9.9999F | 0.50% |
发射极-基极电容Ceb | |||
I-V特性曲线 | 选配 | ||
C-V特性曲线 | 选配 | ||
硅基，碳化硅MOSFET | |||
栅极-源极击穿电压 V(BR)DSS | 低压：电流量程：10nA~10A | 电压量程：300mV~300V | 0.10% |
高压：电流量程：1uA~100mA | 电压量程：100V~3500V | 0.10% | |
栅极阈值电压VGS(th) | 低压：电流量程：10nA~10A | 电压量程：300mV~300V | 0.10% |
源极漏电流IDSS | 低压：电压量程：300mV~300V | 电流量程：10nA~10A | 0.10% |
高压：电压量程：100V~3500V | 电流量程：1uA~100mA | 0.10% | |
栅极漏电流IGSS | 低压：电压量程：300mV~300V | 电流量程：10nA~10A | 0.10% |
源极-漏极导通电阻RDS(on) | 低压：电压量程：300mV~300V | 电流量程：10nA~10A | 0.10% |
高流：电流量程：10-1000A | 电压量程：300mV~12V | 0.10% | |
体二极管导通电压VSD | 低压：电流量程：10nA~10A | 电压量程：300mV~300V | 0.10% |
高流：电流量程：10-1000A | 电压量程：300mV~12V | 0.10% | |
体二极管导通电流ISD | 低压：电压量程：300mV~300V | 电流量程：10nA~10A | 0.10% |
高流：电流量程：10-1000A | 电压量程：300mV~12V | 0.10% | |
栅极内阻RG | 频率：10Hz~1MHz | 容值：0.01pF~9.9999F | 0.50% |
输入电容Ciss | |||
输出电容Coss | |||
反向传输电容Crss | |||
I-V特性曲线 | 选配 | ||
C-V特性曲线 | 选配 | ||
IGBT | |||
集电极-发射极电压 VCES | 低压：电流量程：10nA~10A | 电压量程：300mV~300V | 0.10% |
高压：电流量程：1uA~100mA | 电压量程：100V~3500V | 0.10% | |
集电极-发射极击穿电压V(BR)CES | 低压：电流量程：10nA~10A | 电压量程：300mV~300V | 0.10% |
高压：电流量程：1uA~100mA | 电压量程：100V~3500V | 0.10% | |
集电极-发射极饱和电压VCEsat | 低压：电流量程：10nA~10A | 电压量程：300mV~300V | 0.10% |
高流：电流量程：10-1000A | 电压量程：300mV~12V | 0.10% | |
集电极电流IC | 低压：电压量程：300mV~300V | 电流量程：10nA~10A | 0.10% |
高流：电流量程：10-1000A | 电压量程：300mV~12V | 0.10% | |
集电极截止电流ICES | 低压：电压量程：300mV~300V | 电流量程：10nA~10A | 0.10% |
高压：电压量程：100V~3500V | 电流量程：1uA~100mA | 0.10% | |
栅极-发射极电压VGES | 低压：电流量程：10nA~10A | 电压量程：300mV~300V | 0.10% |
栅极-发射极阈值电压VGE（th） | 低压：电流量程：10nA~10A | 电压量程：300mV~300V | 0.10% |
栅极漏电流IGES | 低压：电压量程：300mV~300V | 电流量程：10nA~10A | 0.10% |
栅极内阻RG | 频率：10Hz~1MHz | 容值：0.01pF~9.9999F | 0.50% |
输入电容Ciss | |||
输出电容Coss | |||
反向传输电容Crss | |||
I-V特性曲线 | 选配 | ||
C-V特性曲线 | 选配 | ||
GaN HEMT | |||
栅极-源极击穿电压 V(BR)DSS | 低压：电流量程：10nA~10A | 电压量程：300mV~300V | 0.10% |
高压：电流量程：1uA~100mA | 电压量程：100V~3500V | 0.10% | |
栅极阈值电压VGS(th) | 低压：电流量程：10nA~10A | 电压量程：300mV~300V | 0.10% |
源极漏电流IDSS | 低压：电压量程：300mV~300V | 电流量程：10nA~10A | 0.10% |
高压：电压量程：100V~3500V | 电流量程：1uA~100mA | 0.10% | |
栅极漏电流IGSS | 低压：电压量程：300mV~300V | 电流量程：10nA~10A | 0.10% |
源极-漏极导通电阻 RDS(on) | 低压：电压量程：300mV~300V | 电流量程：10nA~10A | 0.10% |
高流：电流量程：10-1000A | 电压量程：300mV~12V | 0.10% | |
体二极管导通电压VSD | 低压：电流量程：10nA~10A | 电压量程：300mV~300V | 0.10% |
高流：电流量程：10-1000A | 电压量程：300mV~12V | 0.10% | |
体二极管导通电流ISD | 低压：电压量程：300mV~300V | 电流量程：10nA~10A | 0.10% |
高流：电流量程：10-1000A | 电压量程：300mV~12V | 0.10% | |
栅极内阻RG | 频率：10Hz~1MHz | 容值：0.01pF~9.9999F | 0.50% |
输入电容Ciss | |||
输出电容Coss | |||
反向传输电容Crss | |||
I-V特性曲线 | 选配 | ||
C-V特性曲线 | 选配 | ||
电容 | |||
绝缘电阻I.R | 低压：电流量程：10nA~10A | 电压量程：300mV~300V | 0.10% |
高压：电流量程：1uA~100mA | 电压量程：100V~3500V | 0.10% | |
电容值C | 频率：10Hz~1MHz | 容值：0.01pF~9.9999F | 0.50% |
光耦 | |||
正向电流IF | 低压：电压量程：300mV~300V | 电流量程：10nA~10A | 0.10% |
正向电压VF | 低压：电流量程：10nA~10A | 电压量程：300mV~300V | 0.10% |
反向击穿电压 V（BR）CEO | 低压：电流量程：10nA~10A | 电压量程：300mV~300V | 0.10% |
输出饱和压降 VCE（sat） | 低压：电流量程：10nA~10A | 电压量程：300mV~300V | 0.10% |
反向截止电流ICEO | 低压：电压量程：300mV~300V | 电流量程：10nA~10A | 0.10% |
绝缘电阻I.R | 高压：电压量程：100V~3500V | 电流量程：1uA~100mA | 0.10% |
输入电容 | 频率：10Hz~1MHz | 容值：0.01pF~9.9999F | 0.50% |
输出电容 | |||
入出间隔离电容CIO | |||
I-V特性曲线 | 选配 | ||
晶体管特性图示仪可测试 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, MOSFETs 静态直流参数 输出源 5000V,1600A（提供10KV/2KA扩展）栅极VGE高达±100V 集大功率和高精度于一体。软件操控，可以连接探针台做wafer / chip 测试，也可以连接Handle，夹具，工装， 以应对不同封装外观的器件和模块 支持 I-V 曲线扫描和曲线对比
高流源1KA/2KA/3KA/4000A（模块并联）
精度高，多量程设计架构，各量程下均可保证0.1%精度，具有uΩ级精确测量、pA级漏电流测量
效率高，内置开关矩阵，根据测试项目自动切换电路与测量单元，提高生产测试效率
模块化，根据测试需求搭配不同规格测量单元。预留升级潜能，降低综合使用成本
图形化软件，填充式菜单，测试过程和IV / CV 曲线实时显示，分级管理等，操作简洁高效
数据保存，数据Excel保存和IV/CV曲线图片保存
高低温，选装-50℃~﹢150℃(最高200℃)专用高精度实时在线高低温箱，支持48工位和98工位。圆形旋转盘，温度均匀性优秀
静态测试，选配温控模块，也可与第三方温箱实现联动控制（需提供温箱控制协议）。
IV曲线，2K点以内的IV曲线实时扫描
CV测试，栅电阻Rg、反向传输电容 Cres、输入电容Cies、输出电容Coes、CV曲线
外接丰富，夹具、适配器、探针台、MES、ERP、Handler（分选机、编带机、工作站等）
