SiC/GaN器件动态参数测试系统

SiC/GaN器件动态参数测试系统

规格环境

A.  环境温度：    25±10℃，

B． 相对湿度：   湿度不大于65%

C.  大气压力：    86Kpa～ 106Kpa

D.  工作电压：三相五线制AC 380V±10%，或者单相三线制AC 220V±10%

E． 电网频率：    50Hz±1Hz

F.  压缩空气：   0.4～0.6Mpa

G.  防护：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等空气污染的损害；功能简介

此设备具有以下测试单元。注：开关时间，二极管反向恢复，栅极电荷需要可在分装后测试，静态参数及雪崩测试需要在加电容前测试。

开关时间测试单元

开启延迟时间（Td(on)）     上升时间（Tr）

关断延迟时间（Td(off)）    下降时间（Tf）

开启损耗Eon              关断损耗Eoff

二极管反向恢复测试单元

反向恢复时间（Trr）       反向恢复电荷（Qrr）

栅极电荷测试单元

阈值电荷（Qg（th））      栅电荷（Qg）

静态全参数测试单元

RDS(ON) VGS(th) TDSS IGSS VSD R25

雪崩测试单元

雪崩电流（I），雪崩电压(V)，雪崩能量(E)

测量的MOSFET动态参数

测量的DIODE动态参数