全自动ICP等离子刻蚀系统:自动上下载片,带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统,系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实现范围广泛的刻蚀工艺,包括刻蚀III-V化合物(如GaAs,InP,GaN,InSb)、II-VI化合物、介质材料、玻璃、石英、金属,以及硅和硅的化合物(如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe)等。
全自动ICP等离子刻蚀系统应用领域:
LED
MEMS
光栅
激光器
微光学
声光器件
高频器件/功率器件
量子器件
光子晶体
探测器等
An inert torch allows samples digested with hydrofluor
Accurate elemental analysis of soils is extremely impo
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