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仪器网/ 行业应用/ 解决方案/ Low-temperature plasma enhanced chemical vapour depo

Low-temperature plasma enhanced chemical vapour depo

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实验结果/结论
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Vertically aligned carbon nanotubes were selectively grown at temperatures as low as 120 8C by plasma enhanced chemical
vapour deposition.W e investigated the effects of acetylene, ethylene and methane as carbon source gases together with ammonia
as an etchant and nickel as catalyst material.The diluted acetylene plasma gave the highest nanotube growth rate and showed the
most intense C2 Swan bands in optical emission.The activation energy for the growth rate was found to be 0.23 eV, much less
than for thermal chemical vapour deposition (1.21.5 eV).This suggests growth occurs by surface diffusion of carbon on nickel.
The result allows more cost-effective nanotube production, direct growth of nanotubes onto low-temperature substrates like
plastics, and could facilitate carbon nanotube integration into sensitive nanoelectronic devices.
2003 Elsevier B.V. All rights reserved. PECVD
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