ND-PV-TPT局部放电测试仪参数

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【导读】 ND-PV-TPT局部放电测试仪局部放电试验用于晶体硅组件TPT背膜检测。IEC61730-2标准规定的是起弧电压(Inception Voltage)和灭弧电压(Extincti

ND-PV-TPT 局部放电测试仪

局部放电测SY于检测晶体硅组件的TPT背膜。

IEC61730-2标准规定了起始电压和消光电压。由于这两个电压的确定需要基于无法直接测量的部分放电电荷量，因此IEC61730-2标准引入了IEC60644-1标准中的视在电荷（q）的定义以及相应的间接电压测量方法中，表观电荷由公式q =CbΔ（Vc）表示，单位为PC（皮库仑）。

性能介绍

适用的交流电压：AC0.01kV？5kVrms（电压变化：自动/手动）

电压自动变化模式：3种基本模式

电荷测量：0.1pC〜1000pC

产品参考标准：IEC 61730：2-2004

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2007-04-24 08:19:45

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