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μAMOS 红外共焦激光失效分析仪
- 品牌：日本滨松
- 型号： μAMOS
- 产地：日本
- 供应商报价： 面议
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滨松光子学商贸（中国）有限公司
更新时间：2024-02-04 13:42:48 -
企业性质生产商
入驻年限第9年
营业执照已审核
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联系方式：滨松客服400-074-6866
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- 详细介绍
红外-光致阻值改变（IR-OBIRCH）分析系统“μAMOS”是一款半导体失效分析仪，使用IR-OBIRCH方式来定位漏电流路径和LSI器件中的异常阻抗接触部件。在特定频率下，使用lock-in单元来探测OBIRCH信号可大大提高信噪比。而且，通过使用大电流探针头，也可以对大电流高电压工作的器件进行分析。
特性
图像空间分辨率高
背面观测（λ=1.3 μm）
可观测高掺杂基底（Epi-sub）
使用红外激光（λ=1.3 μm）意味着在半导体视场内不会产生OBIC信号，因此可探测到缺陷引发的OBIRCH信号
可以测量4象限电压/电流
可升级到微光显微镜（选配）
应用
漏电流路径定位
IDDQ失效分析
金属缺陷探测
金属线缺陷探测（空，硅节）
触控（过孔）异常阻抗部件探测
金属化过程监控
*:IDDQ (Quiescent power supply current，静态供电电流)：IDDQ为MOS管开关完成后流过的静态供电电流。
参数
产品名称 uAMOS-1000 尺寸/重量 主单元：1360 mm(W)×1410 mm(D)×2120 mm(H), Approx. 900 kg
控制台：880 mm (W)×700 mm (D)×1542 mm (H), Approx. 255 kg
选配桌：1000 mm (W)×800 mm (D)×700 mm (H), Approx. 45 kg线电压 AC220 V (50 Hz/60 Hz) 功耗 约 3000W 真空度 约80 kPa或更大 压缩空气 0.5 MPa to 0.7 MPa 可用器件
晶片* 前面 切块后的芯片到300mm晶片 背面 200/300 mm晶片（其他尺寸晶片可通过增加选配来处理） *：与选用探针的规格有关
封装后IC 前面 芯片打开到表面的IC 背面 镜面抛光到硅基底的IC 红外共焦激光显微镜
扫描速度（秒/图） 512×512 1 2 4 8 1024×1024 2 4 8 16 激光*
1.3 μm激光二极管 输出: 100 mW 1.3 μm高功率激光器（选配） 输出: 超过400 mW 1.1 μm脉冲激光器（选配） 输出: 200 mW (CW), 800 mW (pulse) *： For 1.3 μm laser, one of two laser can be integrated.
光平台移动范围*
X ±20 mm Y ±20 mm Z 75 mm *：由于探针或者样品平台的阻碍，该值肯会更小
透镜放大
一个转台可选透镜数达5个。
透镜 数值孔径 WD (mm) 视场 μAMOS-1000 1×: A7649-01 0.03 20 13×13 标配 2×: A8009 0.055 34 6.5×6.5 选配 M-PLAN-NIR-5×: A11315-01 0.14 37.5 2.6×2.6 标配 M-PLAN-NIR-20×: A11315-03 0.40 20 0.65×0.65 标配 M-PLAN-NIR-50×: A11315-04 0.42 17 0.26×0.26 选配 NIR 50×: A8756-012 0.42 18.3 0.26×0.26 选配 High NA50×: A801812 0.76 12 0.26×0.26 选配 M-PLAN-NIR-100×: A11315-05 0.50 12 0.13×0.13 标配 NIR 100×: A8756-022 0.50 13.3 0.13×0.13 选配 M-PLAN-NIR-100×HR: A11315-061 0.70 10 0.13×0.13 选配 G-PLAN-APO-NIR-100×HR: A11315-0812 0.70 6 0.13×0.13 选配 1：用1来标记的镜头有两种可选
2：用2来标记的镜头带玻璃厚度补偿功能
获取OBIRCH图像
电压固定型 电流固定型 微电流放大器 施加电压 ±10 mV to ±10 V ±10 mV to ±10 V ±10 mV to ±25 V 最大电流 100 mA 100 mA 100 μA 探测率 1 nA1 1 μV2 3 pA1 1：为输入放大器的最大可探测脉冲信号
2：计算值
外形图（单位：mm）
