红外-光致阻值改变（IR-OBIRCH）分析系统“μAMOS”是一款半导体失效分析仪，使用IR-OBIRCH方式来定位漏电流路径和LSI器件中的异常阻抗接触部件。在特定频率下，使用lock-in单元来探测OBIRCH信号可大大提高信噪比。而且，通过使用大电流探针头，也可以对大电流高电压工作的器件进行分析。
特性
图像空间分辨率高
背面观测（λ=1.3 μm）
可观测高掺杂基底（Epi-sub）
使用红外激光（λ=1.3 μm）意味着在半导体视场内不会产生OBIC信号，因此可探测到缺陷引发的OBIRCH信号
可以测量4象限电压/电流
可升级到微光显微镜（选配）
应用
漏电流路径定位
IDDQ失效分析
金属缺陷探测
金属线缺陷探测（空，硅节）
触控（过孔）异常阻抗部件探测
金属化过程监控
*:IDDQ (Quiescent power supply current，静态供电电流)：IDDQ为MOS管开关完成后流过的静态供电电流。
参数
| 产品名称 | uAMOS-1000 |
|---|---|
| 尺寸/重量 | 主单元：1360 mm(W)×1410 mm(D)×2120 mm(H), Approx. 900 kg 控制台：880 mm (W)×700 mm (D)×1542 mm (H), Approx. 255 kg 选配桌：1000 mm (W)×800 mm (D)×700 mm (H), Approx. 45 kg |
| 线电压 | AC220 V (50 Hz/60 Hz) |
| 功耗 | 约 3000W |
| 真空度 | 约80 kPa或更大 |
| 压缩空气 | 0.5 MPa to 0.7 MPa |
可用器件
| 晶片* | 前面 | 切块后的芯片到300mm晶片 |
| 背面 | 200/300 mm晶片（其他尺寸晶片可通过增加选配来处理） |
*：与选用探针的规格有关
| 封装后IC | 前面 | 芯片打开到表面的IC |
| 背面 | 镜面抛光到硅基底的IC |
红外共焦激光显微镜
| 扫描速度（秒/图） | ||||
| 512×512 | 1 | 2 | 4 | 8 |
| 1024×1024 | 2 | 4 | 8 | 16 |
激光*
| 1.3 μm激光二极管 | 输出: 100 mW |
| 1.3 μm高功率激光器（选配） | 输出: 超过400 mW |
| 1.1 μm脉冲激光器（选配） | 输出: 200 mW (CW), 800 mW (pulse) |
*： For 1.3 μm laser, one of two laser can be integrated.
光平台移动范围*
| X | ±20 mm |
| Y | ±20 mm |
| Z | 75 mm |
*：由于探针或者样品平台的阻碍，该值肯会更小
透镜放大
一个转台可选透镜数达5个。
| 透镜 | 数值孔径 | WD (mm) | 视场 | μAMOS-1000 |
| 1×: A7649-01 | 0.03 | 20 | 13×13 | 标配 |
| 2×: A8009 | 0.055 | 34 | 6.5×6.5 | 选配 |
| M-PLAN-NIR-5×: A11315-01 | 0.14 | 37.5 | 2.6×2.6 | 标配 |
| M-PLAN-NIR-20×: A11315-03 | 0.40 | 20 | 0.65×0.65 | 标配 |
| M-PLAN-NIR-50×: A11315-04 | 0.42 | 17 | 0.26×0.26 | 选配 |
| NIR 50×: A8756-012 | 0.42 | 18.3 | 0.26×0.26 | 选配 |
| High NA50×: A801812 | 0.76 | 12 | 0.26×0.26 | 选配 |
| M-PLAN-NIR-100×: A11315-05 | 0.50 | 12 | 0.13×0.13 | 标配 |
| NIR 100×: A8756-022 | 0.50 | 13.3 | 0.13×0.13 | 选配 |
| M-PLAN-NIR-100×HR: A11315-061 | 0.70 | 10 | 0.13×0.13 | 选配 |
| G-PLAN-APO-NIR-100×HR: A11315-0812 | 0.70 | 6 | 0.13×0.13 | 选配 |
1：用1来标记的镜头有两种可选
2：用2来标记的镜头带玻璃厚度补偿功能
获取OBIRCH图像
| 电压固定型 | 电流固定型 | 微电流放大器 | |
| 施加电压 | ±10 mV to ±10 V | ±10 mV to ±10 V | ±10 mV to ±25 V |
| 最大电流 | 100 mA | 100 mA | 100 μA |
| 探测率 | 1 nA1 | 1 μV2 | 3 pA1 |
1：为输入放大器的最大可探测脉冲信号
2：计算值
外形图（单位：mm）
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X15213-03CR 是一款仅有反射相的空间光调制器 (SLM)，基于硅上液晶 (LCOS) 技术，可通过 CMOS 芯片的寻址电压直接控制液晶 (LC) 分子，并且可以高精度、高速调制光束的波前。
X15213-03CL 是一款仅有反射相的空间光调制器 (SLM)，基于硅基液晶 (LCOS) 技术，可通过 CMOS 芯片的寻址电压直接控制液晶 (LC) 分子，并且可以高精度、高速调制光束的波前。
LCOS 芯片中的失真（如 LC 的波前失真和非线性响应）可通过控制器进行高效校正。使用 X15213 系列可实现简便的 PC 控制、精确的线性相位调制特性。它们还可以提供高衍射效率和高光利用率。
LCOS 芯片中的失真（如 LC 的波前失真和非线性响应）可通过控制器进行高效校正。使用 X15213 系列可实现简便的 PC 控制、精确的线性相位调制特性。它们还可以提供高衍射效率和高光利用率。
X15213 系列设备是一种反射型纯相位空间光调制器 (SLM)，基于硅基液晶 (LCOS) 技术，其中液晶 (LC) 直接由电压进行准确控制，并且可以调制光束的波前。
X15213 系列设备是一种反射型纯相位空间光调制器 (SLM)，基于硅基液晶 (LCOS) 技术，其中液晶 (LC) 直接由电压进行准确控制，并且可以调制光束的波前。
X15213 系列设备是一种反射型纯相位空间光调制器 (SLM)，基于硅基液晶 (LCOS) 技术，其中液晶 (LC) 直接由电压进行准确控制，并且可以调制光束的波前。
X15213 系列设备是一种反射型纯相位空间光调制器 (SLM)，基于硅基液晶 (LCOS) 技术，其中液晶 (LC) 直接由电压进行准确控制，并且可以调制光束的波前。
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