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MMR变温变磁场霍尔效应测试仪器
- 品牌：美国MMR
- 型号： K2500
- 产地：美国
- 供应商报价： 面议
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上海沃埃得贸易有限公司
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企业性质
入驻年限第9年
营业执照
- 同类产品半导体＆超导材料物性测试仪器(3件)
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- 详细介绍
1. 设备名称： 霍尔效应测试仪 2. 功能描述： 测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数 3. 设备明细： 3-1 测试范围： Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数 3-2 磁场： 3-2-1 磁场强度： 0.5T 电磁体 （0.5T 永磁体 / 1.4T 电磁体 两种磁场可选） 3-2-2 磁场类型： 电磁体 3-2-3 磁场均匀性： 磁场不均匀性＜±1 % 3-3 测试样品： 3-3-1 样品测试仓： 全封闭、带玻璃窗口 3-4 温 度： 3-4-1 温度区域： 80K ~730K 3-4-2 温控精度： 0.1K 3-4-3 温控稳定性： ±0.1 K 3-5 电阻率范围： 10-6~1013 Ohm*cm 3-6 电阻范围： 10 m Ohms~ 10G Ohms 3-7 载流子浓度： 102~1022cm-3 3-8 迁移率： 10-2~109 cm2/volt*sec 3-9 输入电流： 3-9-1 电流范围： 0.1 pA~10mA 3-9-2 电流精度： 2% 3-10 输入电压： 3-10-1 电压范围： ±2.5V,最小可测到6×10-6V 3-10-2 电压分辨率： 3×10-7V 3-10-3 电压精度： 2% - 技术资料
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