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Heller - 回流焊系统/垂直式固化炉
品牌:美国Heller INDUSTRIES
型号:Model 755
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3000V国产高电压源测单元
品牌:武汉普赛斯
型号:E100/E200/E300
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精度0.03%数字源表直流3A
品牌:武汉普赛斯
型号:S300B
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半导体参数CV测试仪
品牌:武汉普赛斯
型号:武汉普赛斯
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功率半导体测试设备龙头
品牌:武汉普赛斯
型号:PMST-8000V
- 产品品牌
- 不限
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8000V/6000A功率器件测试设备
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-8000V
- 产地:武汉
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对8000V/6000A功率器件测试设备感兴趣,欢迎随时联系我们
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卓立汉光 少子寿命成像测试仪SPM900系列
- 品牌:北京卓立汉光
- 型号: SPM900
- 产地:通州区
当在显微镜上加载少子寿命测试模块,就可以得到微区下半导体器件的少子寿命分布信息,这对于微小型器件的研究及质量控制十分重要。激光扫描少子寿命成像仪基于时间相关单光子计数进行设计,包含显微镜主体,激光光源,光子计数检测器,单色仪以及自动XY 样品台等部分。位于显微镜上的激光光源用于样品的激发,通过控制样品台的移动,可以进行微区单点少子寿命测量和少子寿命成像。
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卓立汉光 SPM600系列半导体参数分析仪
- 品牌:北京卓立汉光
- 型号: SPM600
- 产地:通州区
SPM600 系列半导体参数分析仪是一款专用于半导体材料光电测试的系统。其功能全面,提供多种重要参数测试。系统集成高精度光谱扫描,光电流扫描以及光响应速率测试。40μm 探测光斑,实现百微米级探测器的绝 对光谱响应度测量。超高稳定性光源支持长时间的连续测试,丰富的光源选择以及多层光学光路设计可扩展多路光源,例如超连续白光激光器,皮秒脉冲激光器,半导体激光器,卤素灯,氙灯等,满足不同探测器测试功能的要求。是半导体微纳器件研究的优选。
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卓立汉光 SPM300系列半导体参数测试仪
- 品牌:北京卓立汉光
- 型号: SPM300
- 产地:通州区
基于拉曼光谱法的半导体参数测试仪,具有非接触、无损检测、特异性高的优点。可以对半导体材料进行微区分析,空间分辨率< 800nm (典型值),也可以对样品进行扫描从而对整个面进行均匀性分析。设备具有智能化的软件,可对数据进行拟合计算,直接将载流子浓度、晶化率、应力大小或者分布等结果直观的展现给用户。系统稳定,重复性好,可用于实验室检验或者产线监测。
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半导体参数分析仪RTM2-霍尔源测系统
- 品牌:上海昊量
- 型号: RTM2
- 产地:徐汇区
昊量光电半导体参数分析仪RTM,霍尔同步源测,集成锁相放大器低噪声测量nΩ级别电阻
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半导体参数分析仪 ,对标Keithley 4200A-SCS
- 品牌:上海屹持光电
- 型号: RTM 2
- 产地:闵行区
取代了所有用于电性特性测量的标准设备(例如锁相放大器、源/测量单元、数字万用表)。 通过集成的矩阵开关克服了固定4点测量的局限性。 提供van-der-Pauw和电阻张量测量的预设,并允许用户进行完全配置。 不需要复杂的样品制备(例如光刻结构)。 允许轻松连接到许多不同的测量设置(例如探针站、低温系统、真空系统)。 节省测量时间并提高样品通过量。
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网络分析仪
- 品牌:上海波铭
- 型号: PNA系列、ENA、PXI VNA、USB精简系列
- 产地:浦东新区
全 球超过 70% 的工程师团队选择了是德科技分析仪,因为我们可以帮助您:· 使用 PNA-X/PNA/PNA-L 可以获得卓 越的功能和性能(频率高达 120 GHz,通过频率扩展器可以进一步扩展到 1.5 THz)· ENA(高达 20 GHz)能够帮助您降低测试成本· FieldFox 手持式分析仪(高达 50 GHz)让精确测量与您如影随形· PXI VNA(高达 26.5 GHz,32 个端口)让您需要的测试空间比以前减小 66%·&n
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8000V/6000A功率器件测试设备
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-8000V
- 产地:武汉
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对8000V/6000A功率器件测试设备感兴趣,欢迎随时联系我们
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材料特性分析半导体参数分析仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: SPA6100
- 产地:武汉
SPA-6100型材料特性分析半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统,具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试,旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发,具有桌越的测量效率与可靠性。
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半导体芯片测试设备高精度数字源表
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S100B
- 产地:武汉
普赛斯S系列、P系列源表标准的SCPI指令集,Y秀的性价比,良好的售后服务与技术支持,普赛斯仪表是手家国产数字源表生产厂家,产品已经历3年迭代完善,对标2400、2450、2611、2601B、2651、2657等;半导体芯片测试设备高精度数字源表认准普赛斯仪表
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SiC器件参数测试仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3500V
- 产地:武汉
武汉普赛斯仪表有限公司,是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品,专注于第三代半导体测试,提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。未来,普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表(SMU)的测试方案,以更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力,联合更多行业客户,共同助力我国第三代半导体行业高可靠高质量发展。SiC器件参数测试仪认准普赛斯仪表咨询碳化硅(SiC)之所以被电动车大量采用,因具有“高耐压”、“低导通电阻”、“高频”这三个特
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功率半导体测试设备龙头
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-8000V
- 产地:武汉
普赛斯功率半导体测试设备龙头,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
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晶体管iv特性图示仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: SPA-6100
- 产地:武汉
SPA-6100晶体管iv特性图示仪可以帮助用户根据测试需要,灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量,同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量
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SiC功率器件测试机
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-8000V
- 产地:武汉
武汉普赛斯仪表推出的SiC功率器件测试机集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
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有机场效应晶体管iv+cv测试仪半导体参数分析仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: SPA6100
- 产地:武汉
SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要,灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量,同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量,有机场效应晶体管iv+cv测试仪半导体参数分析仪认准普赛斯仪表
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半导体参数CV+IV测试仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: SPA6100
- 产地:武汉
SPA-6100半导体参数CV+IV测试仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统,具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试,旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发,具有桌越的测量效率与可靠性。
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半导体结电容分析系统
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-8000V
- 产地:武汉
半导体结电容分析系统集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点,详询认准普赛斯仪表
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半导体分立器件静态测试设备
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3500V
- 产地:武汉
半导体分立器件静态测试设备集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
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半导体特性曲线测试仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: SPA6100
- 产地:武汉
SPA-6100半导体特性曲线测试仪可以帮助用户根据测试需要,灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量,同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量
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半导体参数测试系统CV+IV特性扫描仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: SPA6100
- 产地:武汉
普赛斯仪表SPA-6100半导体参数测试系统CV+IV特性扫描仪可以帮助用户根据测试需要,灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量,同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量
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宽量程30μV-1200V,1pA-100A半导体测试仪器
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: SPA6100
- 产地:武汉
SPA-6100宽量程30μV-1200V,1pA-100A半导体测试仪器可以帮助用户根据测试需要,灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量,同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量
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半导体特性曲线IV+CV测试仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: SPA6100
- 产地:武汉
SPA-6100型半导体特性曲线IV+CV测试仪可以帮助用户根据测试需要,灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量,同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量
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半导体参数CV测试仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: 武汉普赛斯
- 产地:武汉
普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz,源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置,通过矩阵开关加载在待测件上。半导体参数CV测试仪认准普赛斯仪表
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半导体电学特性测试系统IV+CV测试仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: SPA6100
- 产地:武汉
SPA-6100型半导体电学特性测试系统IV+CV测试仪可以帮助用户根据测试需要,灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量,同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量
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宽量程半导体参数分析仪0-1200V/0-100A
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: SPA6100
- 产地:武汉
宽量程半导体参数分析仪0-1200V/0-100A具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试,旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发,具有桌越的测量效率与可靠性。
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功率器件CV测试仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: 武汉普赛斯
- 产地:武汉
普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR 表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR 表支持的测量频率范围在 0.1Hz~1MHz,源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置,通过矩阵开关加载在待测件上。
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功率半导体器件CV测试系统
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: 普赛斯仪表
- 产地:武汉
普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR 表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR 表支持的测量频率范围在 0.1Hz~1MHz,源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置,通过矩阵开关加载在待测件上。
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半导体参数分析仪1200V/100A
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: SPA6100
- 产地:武汉
SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要,灵活选配测量单元进行升级。产品支持最高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量,同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量
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GaNGaAs高速器件I-V扫描静态参数测试系统
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析,GaNGaAs高速器件I-V扫描静态参数测试系统认准普赛斯仪表咨询
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半导体器件参数分析仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S300B
- 产地:武汉
普赛斯“五合一”高精度数字源表(SMU)可为高校科研工作者、器件测试工程师及功率模块设计工程师提供测量所需的工具。不论使用者对源表、电桥、曲线跟踪仪、半导体参数分析仪或示波器是否熟悉,都能简单而迅速地得到精确的结果。半导体器件参数分析仪之数字源表认准普赛斯仪表
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iv测试仪+半导体分立器件IV扫描仪器
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S300B
- 产地:武汉
iv测试仪+半导体分立器件IV扫描仪器就找普赛斯仪表,普赛斯数字源表作为电压源和或电流源,并同步测量电流和或电压,支持四象限工作。可以限定电压或电流输出大小,预防器件损坏。覆盖0-3A的电流范围0-300V的电压范围,全量程测量精度0.03%。
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高电压/大电流IGBT静态参数测试设备
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯仪表推出的高电压/大电流IGBT静态参数测试设备主机内部采用的电压、电流测量单元,均采用多量程设计,测试精度为0.1%。其中,栅极-发射极,最大支持30V@10A脉冲电流输出与测试,可测试低至pA级漏电流;集电极-发射极,最大支持6000A高速脉冲电流,典型上升时间为15μs,且具备电压高速同步采样功能
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半导体电性能IV+CV测试仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S300B
- 产地:武汉
半导体电性能IV+CV测试仪认准普赛斯仪表,武汉普赛斯是国内醉早生产源表的厂家,产品系列丰富:产品覆盖不同的电压、电流范围,产已经过了市场的考验、市面有近500台源表在使用,市场占有率高;SXXB系列高精度数字源表,相比于传统S系列源表,直流更大、精度更高、准确度提升至±0.03%,直流电流升级至3A,可为半导体行业提供更加精准、稳定的测试方案
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光耦特性曲线测试设备
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯仪表光耦特性曲线测试设备集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
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led反向漏电流测试设备
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯led反向漏电流测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等
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二极管反向击穿电压测试设备
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯二极管反向击穿电压测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、n安级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容
- 半导体参数测试仪
- 仪器网导购专场为您提供半导体参数测试仪功能原理、规格型号、性能参数、产品价格、详细产品图片以及厂商联系方式等实用信息,您可以通过设置不同查询条件,选择满足您实际需求的产品,同时导购专场还为您提供精品优选半导体参数测试仪的相关技术资料、解决方案、招标采购等综合信息。