俄歇第二课答疑：AES硬件简介、仪器功能及特点

1.问：如果样品本身导电呢？是样品和样品托底座之间绝缘？

回复：样品本身必须导电，否则很难做俄歇测试，而再HERO模式时，样品并不是接地而是要和样品托外侧绝缘。

1.问：如果样品本身导电呢？是样品和样品托底座之间绝缘？

回复：样品本身必须导电，否则很难做俄歇测试，而再HERO模式时，样品并不是接地而是要和样品托外侧绝缘。

9.问：pass energy 是什么？

回复： pass energy是能量分析器允许电子通过时所具备的动能（Kinetic Energy）

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Q：如果样品本身导电呢？是样品和样品托底座之间绝缘？

A：样品本身必须导电，否则很难做俄歇测试，而在HERO模式时，样品并不是接地而是要和样品托外侧绝缘。

Q：调制的电压连续变化吗？

A：测试精细谱时，调制电压不变，仪器在测试一个固定的峰位。

Q：xps里选配的auger是用的什么分析器？

A：半球型（SCA型）。

Q：是样品和样品托底座之间绝缘？XPS选配auger用的是SCA？

A：样品和底座要导电接触。XPS选配auger半球型（SCA型）。

Q：高分辨测量的时候，调制电压是连续变化的，还是对某一范围能量电子用一个调制电压？

A：测试精细谱时，调制电压不变，仪器在测试一个固定的峰位。

Q：HERO分辨率Z高多少？

A：是0.1% 。

Q：SCA分析器实现高能量分辨是通过什么？

A：在FAT（固定通过能）模式下0.5eV,而在俄歇分析模式下（FRR）也是0.1% 。

Q：cma的mcp是装在什么部位？

A：如下图Multi-Channel Detector 的位置。

Q：pass energy 是什么？

A：pass energy是能量分析器允许电子通过时所具备的动能（Kinetic Energy）

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今天下午三点

AES样品制备、数据采集及处理

就等你啦！

简介

        扫描俄歇纳米探针，又称俄歇电子能谱（Auger Electron Spectroscopy，简称AES）是一种表面科学和材料科学的分析技术。根据分析俄歇电子的基本特性得到材料表面元素成分（部分化学态）定性或定量信息。可以对纳米级形貌进行观察和成分表征。近年来，随着超高真空和能谱检测技术的发展，扫描俄歇纳米探针作为一种极为有效的表面分析工具，为探索和研究表面现象的理论和工艺问题，做出了巨大贡献，日益受到科研工作者的普遍重视。

俄歇电子能谱常常应用在包括半导体芯片成分表征等方向

发展历史

        近年来，固体表面分析方法获得了迅速的发展，它是目前分析化学领域中最活跃的分支之一。它的发展与催化研究、材料科学和微型电子器件研制等有关领域内迫切需要了解各种固体表面现象密切相关。各种表面分析方法的建立又为这些领域的研究创造了很有利的条件。在表面组分分析方法中，除化学分析用光电子能谱以外，俄歇电子能谱是最重要的一种。目前它已广泛地应用于化学、物理、半导体、电子、冶金等有关研究领域中。

        俄歇现象于1925年由P.Auger发现。28 年以后，J.J.Lander从二次电子能量分布曲线中第一次辨认出俄歇电子谱线， 但是由于俄歇电子谱线强度低，它常常被淹没在非弹性散射电子的背景中，所以检测它比较困难。

        1968年，L.A.Harris 提出了一种“相敏检测”方法，大大改善了信噪比，使俄歇信号的检测成为可能。以后随着能量分析器的完善,使俄歇谱仪达到了可以实用的阶段。

         1969年圆筒形电子能量分析器应用于AES, 进一步提高了分析的速度和灵敏度。

        1970年通过扫描细聚焦电子束,实现了表面组分的两维分布的分析(所得图像称俄歇图)，出现了扫描俄歇微探针仪器。

        1972年，R.W.Palmberg利用离子溅射，将表面逐层剥离，获得了元素的深度分析，实现了三维分析。至此，俄歇谱仪的基本格局已经确定， AES已迅速地发展成为强有力的固体表面化学分析方法，开始被广泛使用。

基本原理

        俄歇电子是由于原子中的电子被激发而产生的次级电子。当原子内壳层的电子被激发形成一个空穴时，电子从外壳层跃迁到内壳层的空穴并释放出光子能量；这种光子能量被另一个电子吸收，导致其从原子激发出来。这个被激发的电子就是俄歇电子。这个过程被称为俄歇效应。

Auger electron emission

        入射电子束和物质作用，可以激发出原子的内层电子。外层电子向内层跃迁过程中所释放的能量，可能以X光的形式放出，即产生特征X射线，也可能又使核外另一电子激发成为自由电子，这种自由电子就是俄歇电子。对于一个原子来说,激发态原子在释放能量时只能进行一种发射：特征X射线或俄歇电子。原子序数大的元素，特征X射线的发射几率较大，原子序数小的元素，俄歇电子发射几率较大，当原子序数为33时，两种发射几率大致相等。因此，俄歇电子能谱适用于轻元素的分析。

        如果电子束将某原子K层电子激发为自由电子，L层电子跃迁到K层，释放的能量又将L层的另一个电子激发为俄歇电子，这个俄歇电子就称为KLL俄歇电子。同样，LMM俄歇电子是L层电子被激发，M层电子填充到L层，释放的能量又使另一个M层电子激发所形成的俄歇电子。

        只要测定出俄歇电子的能量，对照现有的俄歇电子能量图表，即可确定样品表面的成份。由于一次电子束能量远高于原子内层轨道的能量，可以激发出多个内层电子，会产生多种俄歇跃迁，因此,在俄歇电子能谱图上会有多组俄歇峰，虽然使定性分析变得复杂，但依靠多个俄歇峰,会使得定性分析准确度很高，可以进行除氢氦之外的多元素一次定性分析。同时,还可以利用俄歇电子的强度和样品中原子浓度的线性关系,进行元素的半定量分析,俄歇电子能谱法是一种灵敏度很高的表面分析方法。其信息深度为5nm以内,检出限可达到0.1%atom。是一种很有用的分析方法。

系统组成

        AES主要由超高真空系统、肖特基场发射电子枪、CMA同轴式筒镜能量分析器、五轴样品台、离子枪等组成。以ULVAC-PHI的PHI 710举例，其核心分析能力为25 kV肖特基热场发射电子源，与筒镜式电子能量分析器CMA同轴。伴随着这一核心技术是闪烁二次电子探测器、 高性能低电压浮式氩溅射离子枪、高精度自动的五轴样品台和PHI创新的仪器控制和数据处理软件包：SmartSoft AES ™ 和 MultiPak ™。并且，目前ULVAC-PHI的PHI 710可以扩展冷脆断样品台、EDS、EBSD、BSE、FIB等技术，深受广大用户认可。

PHI710激发源，分析器和探测器结构示意图：

        为满足当今纳米材料的应用需求，PHI 710提供了最高稳定性的 AES 成像平台。隔声罩、 低噪声电子系统、 稳定的样品台和可靠的成像匹配软件可实现 AES对纳米级形貌特征的成像和采谱。

        真正的超高真空（UHV）可保证分析过程中样品不受污染，可进行明确、准确的表面表征。测试腔室的真空是由差分离子泵和钛升华泵（TSP）抽气实现的。肖特基场发射源有独立的抽气系统以确保发射源寿命。最新的磁悬浮涡轮分子泵技术用于系统粗抽，样品引入室抽真空，和差分溅射离子枪抽气。为了连接其他分析技术，如EBSD、 FIB、 EDS 和BSE，标配是一个多技术测试腔体。

         PHI 710 是由安装在一个带有 Microsoft Windows ® 操作系统的专用 PC 里的PHI SmartSoft-AES 仪器操作软件来控制的。所有PHI电子光谱产品都包括执行行业标准的 PHI MultiPak 数据处理软件用于获取数据的最大信息。710 可应用互联网，使用标准的通信协议进行远程操作。

AES的应用

        扫描俄歇纳米探针可分析原材料（粉末颗粒，片材等）表面组成，晶粒观察，金相分布，晶间晶界偏析，又可以分析材料表面缺陷如纳米尺度的颗粒物、磨痕、污染、腐蚀、掺杂、吸附等，还具备深度剖析功能表征钝化层，包覆层，掺杂深度，纳米级多层膜层结构等。AES的分析深度4-50 Å，二次电子成像的空间分辨可达 3纳米，成分分布像可达8纳米，分析材料表面元素组成 （Li ~ U），是真正的纳米级表面成分分析设备。可满足合金、催化、半导体、能源电池材料、电子器件等材料和产品的分析需求。

AES 应用的几种例子，从左到右为半导体FIB-cut，锂电阴极向陶瓷断面分析

小结

本文小编粗浅的介绍了俄歇电子能谱AES的一些基础知识，后续我们还会提供更有价值的知识和信息，希望大家持续关注“表面分析家”！

Q：求问电镜分辨率1.6nm和0.8nm在实效果差多少？主要观测半导体芯片，具体差别在哪里？

A：当然总的来说空间分辨率越高，成像特征越清晰；但实际应用与样品基体效应、分析需求、电镜优势性能、操作条件比如加速电压、电流、工作距离，真空环境等都有关系，由具体情况决定。

通常供应商提供分辨率指标都是在特定条件比如高加速电压下低电流由标准样品测试得到的。如果观测半导体芯片，如果看浅表形貌特征，需要低加速电压，这时候可能电镜分辨率1.6nm和0.8nm的实际差异不大，要看此电镜在低加速电压的分辨能力；

当分析对象尺度接近电镜空间分辨能力的时候，比如几个纳米的形貌特征（小于10nm），可能分辨率1.6nm和0.8nm的不同电镜能体现出成像差异；但当分析特征的尺度远大于空间分辨率的时候，比如100nm，从成像上两者的差别不会很明显。

以上是经验浅谈，毕竟PHI不是电镜供应商，仅供大家参考。

Q：请问AES和SEM-EDS测试的元素分布的区别？

A：AES和EDS成分分析的主要区别：

Q：这种AES化学态的分析和XPS有什么区别？

A：总的来说化学态分析主要用XPS，而AES主要获得元素信息，也有一定的化学态信息： 

(1)俄歇激发本身涉及不同轨道能级三个电子的行为，俄歇电子动能与三个电子对应的轨道的结合能相关，比较难预测动能变化与化学态的相关性，不像XPS是单电子激发，原子得电子和失电子带来的结合能位移有一定的原则，有助于判断化学态；

(2)俄歇是电子源入射，电子源本身对化学态尤其是有机材料的化学键有一定的破坏作用；电子源激发出的图谱里有较大的背景（背散电子 弹性散射和非弹性散射背底、二次电子背底等）影响谱峰判定，给化学态判断带来影响；

(3)AES能量分辨率没有XPS能量分辨高，AES谱峰宽、谱峰分裂多（多种终态），不对称性等都影响化学态判断。而XPS谱峰（能量分辨好、背底干扰小、对称性好、 特征峰比如轨道分裂峰、卫星峰等）有化学态特征性。

Q：请问不导电的样品可以测试AES吗？

A：俄歇主要用于测导体，半导体，对于绝缘材料除非改善荷电效应可以用俄歇分析，但对于有机材料本身电子束对化学键损伤，即使测出有机材料的元素比如C/O/N/S对有机材料的成分分析来说信息非常有限，意义不大。

Q：硅酸盐粘土矿物可以吗？也是绝缘性的？AES可以区分出来不同羟基吗? Si-OH Al-OH可以区分出来吗? 

A：同上，除非能改善荷电效应才能分析绝缘材料，本来荷电效应大就会使谱峰信号差，谱峰变形严重（展宽、能量位移等），不能进行化学态判定，所以主要获得元素信息，不能识别化学态（比如羟基等）。

Q：请问AES在钙钛矿太阳能电池上有何应用吗？

A：只要样品有一定导电性或通过样品制备改善荷电效应，都可以用AES进行分析，所以AES可以分析钙钛矿太阳能电池材料（采用导电铜胶固定样品），但因为钙钛矿材料主要是有机金属卤化物半导体材料，AES电子束对有机化学键有一定损伤，不能用于化学态判定，但可以用俄歇表征元素定性和半定量结果（里面有特征元素比如Pb/I(Br)等），但也有谱峰重合问题（比如I和O谱峰）；所以总体来说AES对钙钛矿材料成分表征有一定局限性。

Q：为何俄歇谱纵坐标是：电子数和能量乘积，XPS的纵坐标是只有电子数而没有能量?

A：请参考我们的俄歇讲堂第二课有关硬件原理的回放视频。

Q：俄歇和XPS都用SCA，为何得到信号不同？

A：首先，我不确定我是否清楚这个问题。因此，我会以两种方式作出回答。diyi种回答：XPS是通过用X射线轰击样品,从而产生包括光电子，俄歇电子和二次电子。 结果中XPS能谱将是这三种电子的叠加。对于AES，它是由电子击中样本，产生俄歇电子，二次电子和背散射电子。结果谱将是这三种电子的叠加。因此，如果我们的问题是为什么XPS和AES的“信号”不同，可以如以上的方法解释。第二种回答：对于XPS分析，能量分析器将以FAT模式工作，输入透镜会对正在侦测电子减速至同一的动能，以让分析器的通过能保持不变。 对于俄歇分析，能量分析器将以FRR模式工作，侦测中的电子会以固定的减速比进入能量分析器，并时通过能实际上持续变化。 因此，结果图谱也将有所不同。

Q：高和低电子束分析时，样品深度不一样吗？

A：侦测深度不会随着入射电子束能量的升高或降低而改变。AES是表面分析技术，因为产生的俄歇电子仅具有〜5nm的非弹性平均自由程。无论入射电子束能量是高还是低，这都是相同的。但是，需要注意的一件事是，更高或更低的入射电子束能量将极大地改变背散射电子的行为，当中在SEM和AES的结果都会因为这因素而受到影响。

Q：弹性散射峰的强度忽高忽低，为啥？

A：通常，在进行Zalign调整工作距离时，我们会看到弹性峰在Z合适的Z值处达到Z大讯号强度。如果您看到强度信号不稳，Z好请工程师进行检查出真正的原因。

Q：AES能做元素价态分析吗？

A：可以。如ppt材料（以及下面）所示，AES能够实现一些化学态面扫(Map)分析。

Q：高能区域的峰信号弱，怎样改善?

A：可以使用更高的入射电子束能量以获得在这动能的俄歇峰更好的信噪比。通常我们会说，如果感兴趣的俄歇峰 > 1000eV动能，Z好使用较高的入射电子束能量（例如10kV），而如果感兴趣的俄歇峰位于较低的KE范围（<1000eV），那么可以使用较低的入射电子束能量（例如3kV或5kV）去获得更好的峰值讯噪比图谱结果。

Q：如有重叠峰，软件可以依据次强峰去自动换算?

A：是的，MultiPak可以很容易地做到这一点。只需将选定的元素改成所希望用的另一轨道的峰(e.g.Cu1改到Cu2)，就可以使用同元素不同轨道俄歇峰做定量。

Q：定量计算式，需要扣除背底吗?

A：在XPS中我们是使用峰的面积进行定量计算，而在AES中，我们则是使用微分谱中峰对峰(Peak-to-Peak)强度去做定量计算。因此，对于AES定量分析，并不存在扣背景扣除的概念。但是像在PPT讲堂中提到，另一些时侯如背景太高而影响峰形时,或需要判断化学态峰形状等原因，有时我们是会需要对俄歇原始数据进行背景扣除的。

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1.问：求问电镜分辨率1.6nm和0.8nm在实际效果差多少？主要观测半导体芯片，具体差别在哪里？

回复：当然总的来说空间分辨率越高，成像特征越清晰；但实际应用与样品基体效应、分析需求、电镜优势性能、操作条件比如加速电压、电流、工作距离，真空环境等都有关系，由具体情况决定。

通常供应商提供分辨率指标都是在特定条件比如高加速电压下低电流由标准样品测试得到的。如果观测半导体芯片，如果看浅表形貌特征，需要低加速电压，这时候可能电镜分辨率1.6nm和0.8nm的实际差异不大，要看此电镜在低加速电压的分辨能力；

当分析对象尺度接近电镜空间分辨能力的时候，比如几个纳米的形貌特征（小于10nm），可能分辨率1.6nm和0.8nm的不同电镜能体现出成像差异；但当分析特征的尺度远大于空间分辨率的时候，比如100nm，从成像上两者的差别不会很明显。

以上是经验浅谈，毕竟PHI不是电镜供应商，仅供大家参考。

2.问：请问AES和SEM-EDS测试的元素分布的区别？

回复: AES 和 EDS成分分析的主要区别：

3.问：这种AES化学态的分析和XPS有什么区别？

回复: 

总的来说化学态分析主要用XPS，而AES主要获得元素信息，也有一定的化学态信息：

1)  俄歇激发本身涉及不同轨道能级三个电子的行为，俄歇电子动能与三个电子对应的轨道的结合能相关，比较难预测动能变化与化学态的相关性，不像XPS是单电子激发，原子得电子和失电子带来的结合能位移有一定的原则，有助于判断化学态；

2)  俄歇是电子源入射，电子源本身对化学态尤其是有机材料的化学键有一定的破坏作用；电子源激发出的图谱里有较大的背景（背散电子'弹性散射和非弹性散射背底、二次电子背底等）影响谱峰判定，给化学态判断带来影响；

3)  AES能量分辨率没有XPS能量分辨高，AES谱峰宽、谱峰分裂多（多种终态），不对称性等都影响化学态判断。而XPS谱峰（能量分辨好、背底干扰小、对称性好、 特征峰比如轨道分裂峰、卫星峰等）有化学态特征性。

4.问:请问AES在钙钛矿太阳能电池上有何应用嘛？

回复：只要样品有一定导电性或通过样品制备改善荷电效应，都可以用AES进行分析，所以AES可以分析钙钛矿太阳能电池材料（采用导电铜胶固定样品），但因为钙钛矿材料主要是有机金属卤化物半导体材料，AES电子束对有机化学键有一定损伤，不能用于化学态判定，但可以用俄歇表征元素定性和半定量结果（里面有特征元素比如Pb/I(Br)等）， 但也有谱峰重合问题（比如I和O谱峰）；所以总体来说AES对钙钛矿材料成分表征有一定局限性。

5.问：请问不导电的样品可以测试AES吗？

回复 : 俄歇主要用于测导体，半导体，对于绝缘材料除非改善荷电效应可以用俄歇分析，但对于有机材料本身电子束对化学键损伤，即使测出有机材料的元素比如C/O/N/S对有机材料的成分分析来说信息非常有限，意义不大。

6.问：硅酸盐粘土矿物可以吗？也是绝缘性的？AES可以区分出来不同羟基吗? Si-OH Al-OH可以区分出来吗?

回复: 同上，除非能改善荷电效应才能分析绝缘材料，本来荷电效应大就会使谱峰信号差，谱峰变形严重（展宽、能量位移等），不能进行化学态判定，所以主要获得元素信息，不能识别化学态（比如羟基等）。

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在“光电子能谱仪器结构与功能特点”的课程中，小伙伴们随堂提出的问题，在此可以找到答案。希望这些答案能让你更好的学习和使用XPS，同时也别忘了给我们多多转发哟~

1.问：老师，收集电子与电子之间的动能也不一样把？

答：是的，所有不同的KE电子都将进入输入透镜，从而进入分析仪。但是只有选定的KEZ终会到达检测器。

2.问：输入透镜会改变电子的速度吗？

答：是。 分析仪有两种工作模式。在FAT模式（固定分析器能量传输）下，进入输入透镜的检测电子将“减速”（所谓的延迟）。 但是Z终的概念是相同的，只有所选择的特定能量电子Z终将到达检测器。

3.问：透镜巨电子的原理可以再讲讲吗？

答：仪器真空中大部份外形就像是一块甜甜圈形状的导体。 在透镜上施加负电压，从而将收集的电子排斥回透镜的ZX路径或我们希望它们飞行的光路。

4.问：样品不导电时就要进行电子补充来中和吗？导电答：性非常好的样品接地了，就不需要中和吧？

答：是, 半导体或绝缘体必须关双束中和。 否则，就像我们解释的那样，样品上在XPS激发电子(负)离开时会对样品本身累积正电荷，没有双束中和的话XPS结果光谱就会出现峰位移动或峰形状变化。

导电样品可以说是没必要开中和。 但是，如果不确定，建议您启用双光束中和功能，因为它会自动运行。

5.问：测试时添加偏压可以消除电荷吗？效果怎样？原位XPS对于普通样能测吗？可以通气？

答：荷电的原因是由于样品导电性不好, 因此给本身导电性就不好的样本施加偏压不会有“中和”效果. 也没有帮助。 通常，在样品上施加偏压是出于其他目的，例如在UPS中，以使KE = 0的能位出现。

对于XPS，只要可以抽真空，基本上可以测试任何固体样品。

通气的话, 如讲堂中提到XPSdiyi个要求是超高真空。 因此，对于任何XPS系统而言，实际上都是不可能原位通气的。 但是，有一种称为NAPXPS的技术，它允许在分析条件下进行气体反应。 但这是一种不同的技术。

6.问：离子刻蚀的速度大概有多快呢？大概时怎么样一个量级呢？例子里刻蚀60A大概要多久？

答：对于单原子氩离子枪，束能量高达5kV。 它的速度可以高达数百纳米/分钟。

对于氩团簇离子源，对于有机材料刻蚀的效率特别高。 刻蚀速度也可以超过几百纳米/分钟。

7.问：可以在溅射中进行刻蚀深度的表征吗？刻蚀样品时，刻蚀深度可以实时得到吗？怎样知道一个刻蚀过程的深度呢？

答：不可以。XPS系统的基本功能是XPS。 离子溅射源都是附加功能，它可以简单地进行刻蚀。 不可能真正知道被刻蚀的实际深度。 通常，仪器会使用一些标准样品来校准刻蚀速率。 例如，我们可以在Si上使用100nm的SiO2薄膜进行刻蚀深度分析，以了解将氧刻蚀完需要多长时间,就可以知道大约的刻蚀速率。

但是，现实生活中的样品肯定不会总是SiO2。 因此，写论文的一种非常普遍的方法是，会加上一句如“在SiO2上的溅射速率为XXX nm / min”作为参考。

如果Z终真的想知道溅射深度的厚度，那么另一种方法是他们可以在深度分析之后取出样品，然后通过表面轮廓仪（如AFM或Alpha step等）测试刻蚀坑深度。

8、问：请问老师样品台和样品之间的双面胶有什么要求吗？为什么？

答：在大部份的例子中，Z好做用导电性好，黏性适中, 且对超高真空更适合(干净且脱气少)的双面胶。例如双面铜胶就会比碳胶好.

9、问：请问微区XPS需要什么额外配件么？是什么型号的呢？还有就是微区找样的原理和步骤能说明一下么？因为实际找样过程中，十分难找。

答：PHI XPS 定位非常方便，特别是微区。其他设备可能在定位时只使用光学镜头定位，其问题是光学看的一不一定就在X射线或分析器的光路上（特别如果是在百微米以下时）。在PHI设备在扫描聚焦X射线快速成像下，成的像就是从X射线源产生，因此可确保位置百分bai准确，可以参考下图如何在一两分钟完成准确定位。

10、问：想请问老师半导体薄膜和金属薄膜利用ups计算功函时有什么区别？利用谱图计算时候，都要结合右边的费米边计算吗？半导体薄膜是否可以测试出费米边，测不出怎么计算？

答：首先要注意的是样品制备。 在UPS中，当我们要计算功函数或电离势能时，我们知道需要对样本施加偏压，以使KE = 0起始边可以在谱图数据中显示。 当中，金属样品的实验非常简单，因为它们是导体。 同样，对于金属（导体），基本上我们可以预期费米边将处于结合能= 0eV的位置（正确来说导体不存在HOMO或LUMO的概念，但由于以下会讨论和半导体做比较，或者暂时可以想象导体的HOMO / LUMO / Fermi能级都在同一能级）。因此，整个功函数计算可以变得非常简单，（请参见下图）。

但是，对于半导体薄膜，diyi个重要的因素是如何提高样品导电性。 因此，根据我们有关样品制备的网络课程，可以尝试使用压制Mask固定样品或减少薄膜的厚度。 通常根据我们的经验，如果我们能够使样品表面对样品托（地）的表面电阻在kohm范围内（当然要尽可能小）的話，那么该实验就有可能可以成功。 在这种情况下，所有结果取决于谱图的实际结果。 对于半导体，我们需要左侧（KE = 0）和右侧（费米边缘和HOMO）来计算功函数和电离势能（请参见下图）。 如果无法显示边缘之一，则很可能表明您的样品导电性仍然比较差，无法进行此实验。 这时候唯yi可以做的就是回到“通过样品制备来不断提高样品导电性”这一点。

11、    请问对于图谱数据分析价带导带和费米能级位置时，有没有什么标准

为了确定E0（onset），E-fermi，E-HOMO，E-LUMO的位置，Z常见的方法是通过用直线绘制上升和下降边，然后将其交叉点定义为其能位，或者使用中点法，在 费米边定义费米能级。 请参见下面的示例。

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B1010台式电导率仪采用嵌入式系统设计，集信号采集、数据处理、显示功能与一体，智能化程度高，测量精确，操作方便；用于测量水溶液导电能力的强弱，从而间接判断溶液中离子含量的多少或水质的好坏等，广泛应用于电力、石油化工、食品品饮料、造纸等行业，也可以用于高等院校、科研机构等进行教学或科学研究。 

仪器特点

1、192×64点阵液晶中文或英文、多参数显示、内容丰富、易于理解。

2、采用嵌入式系统设计，速度最快、精度z高便于功能扩展。

3、采用微电子技术，全部贴片(SMT)工艺，实现低功耗，提高了性价比和可靠性。

4、增强型塑料外壳，防水设计，稳重坚固。

5、增强型塑料外壳，美观坚固。

6、关键参数密码保护，防止非操作人员对本机误操作，保证仪器的基本性能。

7、简单的人性化键盘设计，操作快速、通俗易懂。

8、补偿温度自动测量或手动输入。

9、具有测量数据、运行、校准记录存储、查询功能。

技术参数

?   显   示：192×64点阵液晶，可选择显示中文或英文

?  ?量   程：K=0.01：(0.000～2.000)μS/cm、(0.000～20.00)μS/cm，2个量程自动切换

                 K=0.1：(0.000～20.00)μS/cm、(0.000～200.0)μS/cm，2个量程自动切换

                 K=1：(0.000～200.0)μS/cm、(0.000～2000)μS/cm，2个量程自动切换

                 K=10： (0.000～2000)μS/cm、(0.000～20.00)mS/cm，2个量程自动切换

?  ?最小分辨率：0.001μs/cm

?  ?基本误差：±1%F.S

?  ?读数响应时间：≤10秒

?  ?温度传感器: Pt1000

?  ?测温范围:( 0.0～99.9)℃

?  ?测温精度: ±0.5℃

?  ?温度分辨率: 0.1℃

?  ?温度补偿系数:( 0.00～9.99)%/℃

?  ?补偿参考温度: 25℃

?  ?水样温度：(5～60)℃

?  ?环境温度：(5～45)℃

?  ?环境条件：湿度≤90%RH(无冷凝)

?  ?储运温度：(-25～55)℃

?  ?供电电源：交流(85～265) V、频率(45～65)Hz

?  ?功    率：≤5W

?  ?外形尺寸：205mm×210 mm×80mm（长×宽×高）

?  ?重    量：1.5kg