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流式细胞仪和共聚焦电子显微镜的区别

卢南华爱张燕菁 2017-06-25 09:23:24 665  浏览
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参与评论

全部评论(1条)

  • zq0l0e 2017-06-26 00:00:00
    荧光显微镜和激光共聚焦显微镜的区别 激光共聚焦显微镜是采用激光作为光源,在传统光学显微镜基础上采用共轭聚焦原理和装置,并利用计算机对所观察的对象进行数字图象处理的一套观察、分析和输出系统。主要系统包括激光光源、自动显微镜、扫描模块(包括共聚焦光路通道和针孔、扫描镜、检测器)、数字信号处理器、计算机以及图象输出设备(显示器、彩色打印机)等。通过激光扫描共聚焦显微镜,可以对观察样品进行断层扫描和成像。因此,可以无损伤的观察和分析细胞的三维空间结构。 同时,通过激光扫描共聚焦显微镜也是活细胞的动态观察、多重免疫荧光标记和离子荧光标记观察的有力工具.精确地对光谱的本质进行分析,区分发射光谱高度重叠的不同标记的信号。 Z重要的是,对于多色的荧光染色,它能彻底消除了荧光串色的影响,同时Z大限度的减少了样品荧光信号的损失。这些都是一般光镜所不能达到的。

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扫描电子显微镜(SEM)是现代科学研究中不可或缺的工具,广泛应用于材料学、生物学、纳米技术等领域。其高分辨率和成像能力使得研究人员能够观察到微观结构的细节。SEM的高效使用离不开精确的聚焦操作,这直接关系到成像质量和实验结果的准确性。本文将详细探讨扫描电子显微镜的聚焦原理、操作步骤及常见问题,帮助用户更好地掌握SEM聚焦技巧。

1. 扫描电子显微镜的基本工作原理

扫描电子显微镜通过电子束扫描样品表面,利用样品与电子束相互作用产生的信号来形成图像。与光学显微镜不同,电子显微镜使用电子代替光线,因此可以在更高的放大倍率下观察样品。聚焦则是确保电子束准确聚集到样品表面特定位置,产生清晰图像的关键过程。

2. 聚焦的关键步骤与技巧

聚焦扫描电子显微镜需要精确调节电子束的焦距和扫描参数。具体步骤包括:

  • 调整电子枪:首先,通过调整电子枪电流和加速电压来确保电子束稳定。如果电子束过强或过弱,都会影响成像质量。
  • 粗聚焦与精细聚焦:通过调节物镜(或聚焦透镜)的电压,粗略地将电子束聚焦到样品上。之后,使用精细聚焦调节器,细致地调整焦距,确保图像清晰。
  • 扫描范围调节:确保扫描区域与样品的实际大小相匹配。过大的扫描区域可能导致图像模糊,过小则可能错过关键信息。

3. 聚焦时常见问题及解决方法

在使用SEM时,聚焦不准是常见的问题之一。常见问题及其解决方法如下:

  • 图像模糊:可能是因为电子束未正确聚焦,需再次调整焦距或电子枪参数。
  • 焦点漂移:长期使用可能导致电子束位置漂移。此时需要重新校准仪器,检查电压和电流设置。
  • 样品表面不平整:表面粗糙或结构复杂的样品容易造成聚焦困难。应选用适当的放大倍率,并注意样品的处理和准备工作。

4. 聚焦技术的未来发展趋势

随着电子显微镜技术的不断进步,聚焦技术也在不断发展。例如,自动化聚焦系统的出现大大提高了操作的度和效率,同时降低了操作人员的技能要求。未来,结合人工智能和机器学习的自动聚焦技术有望进一步提升扫描电子显微镜的性能,优化实验流程。

结论

扫描电子显微镜的聚焦技术是确保高质量成像的核心。在实际操作中,了解聚焦的基本原理,掌握聚焦技巧,并及时解决常见的聚焦问题,能够大幅提高实验的精确度与效率。随着技术的不断发展,未来SEM的聚焦过程将变得更加自动化和智能化,为科学研究提供更为强大的支持。

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荧光显微镜主要应用在生物领域及医学研究中,能得到细胞或组织内部微细结构的荧光图像,在亚细胞水平上观察诸如Ca2+ 、PH值,膜电位等生理信号及细胞形态的变化,是形态学,分子生物学,神经科学,药理学,遗传学等领域中新一代强有力的研究工具。


以共聚焦技术为原理的共聚焦显微镜,是用于对各种精密器件及材料表面进行微纳米级测量的检测仪器。


材料科学的目标是研究材料表面结构对于其表面特性的影响。因此,高分辨率分析表面形貌对确定表面粗糙度、反光特性、摩擦学性能及表面质量等相关参数具有重要意义。共焦技术能够测量各种表面反射特性的材料并获得有效的测量数据。


VT6000共聚焦显微镜基于共聚焦显微技术,结合精密Z向扫描模块、3D 建模算法等,可以对器件表面进行非接触式扫描并建立表面3D图像,实现器件表面形貌3D测量。在材料生产检测领域中能对各种产品、部件和材料表面的面形轮廓、表面缺陷、磨损情况、腐蚀情况、平面度、粗糙度、波纹度、孔隙间隙、台阶高度、弯曲变形情况、加工情况等表面形貌特征进行测量和分析。


应用

1.MEMS

微米和亚微米级部件的尺寸测量,各种工艺(显影,刻蚀,金属化,CVD, PVD,CMP等)后表面形貌观察,缺陷分析。

2.精密机械部件,电子器件

微米和亚微米级部件的尺寸测量,各种表面处理工艺,焊接工艺后的表面形 貌观察,缺陷分析,颗粒分析。

3.半导体/ LCD

各种工艺(显影,刻蚀,金属化,CVD,PVD,CMP等)后表面形貌观察, 缺陷分析 非接触型的线宽,台阶深度等测量。

4.摩擦学,腐蚀等表面工程

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