SEMITOOL/国产甩干机技术要求
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SEMITOOL产品中的SRD旋转冲洗甩干机是根据国内半导体产业的发展和市场需求,研究开发的旋转冲洗甩干设备。该机型具有高洁净度旋转冲洗甩干功能。本系列机型可以适应从φ25mm 到φ200mm直径(包括方形和其它特殊形状)片式材料的旋转冲洗甩干工艺。可用于半导体晶片、砷化镓材料、掩膜版、太阳能电池基片、蓝宝石、铌酸锂、光学镜片、磁盘、光盘、医用玻璃基片等类似材料的高洁净度冲洗甩干。是半导体湿法清洗工艺中必不可少的主流设备之一。
SEMITOOL psc-101旋转清洗干燥机
描述:
SEMITOOL psc-101旋转清洗干燥机采用去离子水冲洗和加热的氮气干燥全自动晶片衬底后的湿化学方法。有两个双层干衣机和洁净室中一堆烘干机。该系统使用一个可编程的方法来自动处理晶圆。
规格/性能:
一种电阻率探针可监测浴中的化学浓度,以确保去除化学品。
无点式干燥氮气加热器。
可编程的程序包括漂洗,质量冲洗,清洗,和干燥周期。
支持样本量:
大晶片直径:200毫米(8英寸)
晶圆直径:75毫米(3英寸),100毫米(4英寸),150毫米(6英寸),和200毫米(8英寸)。
掩模尺寸:125毫米(5英寸),150毫米(6英寸)。
典型应用:
晶圆和掩模板的清洗和干燥。
一、主要达到的技术性能指标
1.电源及电气控制安全性技术要求
1.1 电压:AC220V/110V
1.2 频率:50Hz±1Hz
1.3 功率:3kW
1.4 整机绝缘电阻大于2MΩ(用1000V兆欧表测)
1.5 各功能开关、按键、安全互锁功能、紧急开关应使用灵活、动作可靠。
1.6 设备表面平整、光滑、色调一致。设备内、外各种安全、警告标志齐全。
1.7 在设备接**志处可靠接地。
2.使用氮气的相关安全性技术要求
2.1 使用氮气压力: 0.23~0.28MPa(Max)
2.2 使用氮气耗量: 200~280L/min (单腔)
2.3 氮气接口管径: OD 3/8 英寸(红色标记)
2.4 氮气过滤精度: ≤0.1μm(或按用户要求配置)
2.5 设备用氮气接入处减压阀位置应有明显禁调标志,严禁设备在高于氮气设定压力时操作运行。(提示用户按要求配置)
2.6 未经过洁净化处理的氮气管路严禁直接接入设备使用,避免对设备造成污染
3.去离子水的相关安全性技术要求
3.1 使用去离子水压力: 0.25~0.3MPa(**)
3.2 使用去离子水耗量: 8~12L/min (单腔)
3.3 去离子水接口管径: OD 3/8 英寸(蓝色标记)
3.4 设备排水口管径: OD 32mm(UPVC管)
3.5 未安装过滤器或未经过洁净化处理的去离子水管路严禁直接接入设备使用,避免对设备造成污染。
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- SEMITOOL/国产甩干机技术要求
SEMITOOL产品中的SRD旋转冲洗甩干机是根据国内半导体产业的发展和市场需求,研究开发的旋转冲洗甩干设备。该机型具有高洁净度旋转冲洗甩干功能。本系列机型可以适应从φ25mm 到φ200mm直径(包括方形和其它特殊形状)片式材料的旋转冲洗甩干工艺。可用于半导体晶片、砷化镓材料、掩膜版、太阳能电池基片、蓝宝石、铌酸锂、光学镜片、磁盘、光盘、医用玻璃基片等类似材料的高洁净度冲洗甩干。是半导体湿法清洗工艺中必不可少的主流设备之一。
SEMITOOL psc-101旋转清洗干燥机
描述:
SEMITOOL psc-101旋转清洗干燥机采用去离子水冲洗和加热的氮气干燥全自动晶片衬底后的湿化学方法。有两个双层干衣机和洁净室中一堆烘干机。该系统使用一个可编程的方法来自动处理晶圆。
规格/性能:
一种电阻率探针可监测浴中的化学浓度,以确保去除化学品。
无点式干燥氮气加热器。
可编程的程序包括漂洗,质量冲洗,清洗,和干燥周期。
支持样本量:
大晶片直径:200毫米(8英寸)
晶圆直径:75毫米(3英寸),100毫米(4英寸),150毫米(6英寸),和200毫米(8英寸)。
掩模尺寸:125毫米(5英寸),150毫米(6英寸)。
典型应用:
晶圆和掩模板的清洗和干燥。
一、主要达到的技术性能指标
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1.1 电压:AC220V/110V
1.2 频率:50Hz±1Hz
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1.5 各功能开关、按键、安全互锁功能、紧急开关应使用灵活、动作可靠。
1.6 设备表面平整、光滑、色调一致。设备内、外各种安全、警告标志齐全。
1.7 在设备接**志处可靠接地。
2.使用氮气的相关安全性技术要求
2.1 使用氮气压力: 0.23~0.28MPa(Max)
2.2 使用氮气耗量: 200~280L/min (单腔)
2.3 氮气接口管径: OD 3/8 英寸(红色标记)
2.4 氮气过滤精度: ≤0.1μm(或按用户要求配置)
2.5 设备用氮气接入处减压阀位置应有明显禁调标志,严禁设备在高于氮气设定压力时操作运行。(提示用户按要求配置)
2.6 未经过洁净化处理的氮气管路严禁直接接入设备使用,避免对设备造成污染
3.去离子水的相关安全性技术要求
3.1 使用去离子水压力: 0.25~0.3MPa(**)
3.2 使用去离子水耗量: 8~12L/min (单腔)
3.3 去离子水接口管径: OD 3/8 英寸(蓝色标记)
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平板硫化机在生产的过程中有哪些技术要求,需要符合哪些规定?《GB/T 25155-2010 平板硫化机》中就有关于平板硫化机的明确规定。
☆关于液压系统的技术要求
对于任一种液压平板硫化机来讲,动力液压缸都是极重要的部件。
-当工作液达到工作压力时,保压 1 h,液压系统的压力降:
(1)合模力大于 2.5 MN 的平板硫化机,压力降不应大于工作压力的 10%;
(2)模力不大于 2.5 MN 的平板硫化机,压力降不应大于工作压力的 15%。
当液压系统的压力降超过规定值时,液压系统应有自动补压至工作压力的功能。
液压系统应进行 1.25 倍工作压力的耐压试验,保压 5 min,不应有外渗漏。
☆关于热板的技术要求
-热板应能达到的Z高温度:蒸汽加热为 180℃,油加热、电加热为 200℃。
-热板工作员的表面粗糙度:
(1)用于带模具硫化制品的平板硫化机,Ra≤ 3.2μm;
(2)用于不带模具硫化制品的平板硫化机,Ra≤ 1.6μm。
-热板开启和闭合速度:
(1)硫化胶板、胶带的平板硫化机不应低于 6 ㎜/s;
(2)橡胶塑料发泡的平板硫化机,开模速度不应低于 160 mm/s;
(3)其他的平板硫化机不应低于 12 mm/s。
☆关于加热系统的技术要求
加热系统应进行Z高工作压力的试验,保压 30 min,不应有渗漏:
(1)蒸汽加热系统应进行蒸汽试验;
(2)油加热系统应进行热油试验。
☆关于温控装置的技术要求
平板硫化机应装有自动调温装置,在温度达到稳定状态时,调温误差不应大于±1.5%。
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去年东隆科技就已推出国内自研产品,拥有OFDR技术的OCI 高分辨光学链路诊断仪,经过一年多的市场考验,成功的获得了众多客户的青睐和认可。
随着与各领域工程师和研究人员的日常沟通了解到,由于实际应用场景的不同,测试指标和具体参数多样化的特性,而单一的产品不能有效满足需求。因此,东隆科技研发部经过多方面的调研和考察,陆续推出了拥有OFDR核心技术的众多产品线,它们无论从产品性能、各参数指标、还是价格均能满足不同客户的实际需求,并且在技术支持和售后服务方面,东隆科技还能做到7*24小时随时应答,48小时上门解决!第一时间为客户答疑解惑!
近日,东隆科技推出的LGA50高分辨光学链路诊断仪,其原理是基于光频域反射(OFDR)技术,测量长度50m,单次测量可实现从器件到链路的全范围诊断。LGA50还可以轻松查找并判别光纤链路中的宏弯、连接点和断点,并精确测量回损、插损和光谱等参数,其事件点定位精度高达0.1mm。它广泛的应用于光器件、光模块测量,光纤长度精准测量,硅光芯片测量,和光谱、群延时测量。
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