会议通知:PHI表面分析讲堂-用户线上技术交流会①

随着科学技术的不断革新，先进的表面分析技术已经成为材料、能源、催化、微电子、半导体产业以及钢铁工业等领域研究表面特性所必需的实验技术。为积极推动表面分析应用技术的发展，促进表面分析技术与其它学科的融合，更好地结合表面分析技术解决问题，同时加强同行之间交流与合作，PHI CHINA将在3月下旬开展用户线上交流会， 此次特别邀请了我们具有丰富测试经验的用户老师们，给大家带来XPS\AES\TOF-SIMS等在分析测试的应用及案例分享，绝.对干货满满！具体日程请看下方海报：

为积极推动表面分析应用技术的发展，促进表面分析技术与其它学科的融合，更好地结合表面分析技术解决问题，同时加强同行之间交流与合作，展示相关的新成就、新进展，PHI CHINA将在2023年3月30日在西安举办“2023年表面分析应用与技术交流会暨西安分会”。

PHI CHINA热忱欢迎广大专家学者和科研人员积极参与会议，分享、交流、学习、创新。

主办单位

高德英特（北京）科技有限公司、西北大学

会议时间地址

2023年3月30日

西安-西北大学

参会报名

请扫描下方二维码完成报名

会务组联系方式

James.song@coretechint.com

2、吴婷 13167361283

noreen.wu@coretechint.com

费用

本次会议不收取会务费。参会人员食宿及交通费自理。

会议日程安排

主讲嘉宾介绍

       新型冠状病毒感染肺炎疫情防控工作正处于关键时期，疫情防控关乎每个人的生命健康，为减少公众交叉感染和降低传播风险，PHI CHINA积极配合国家的防控工作。PHI CHINA始终秉持初心，在疫情防控期间已经着手通过多种渠道继续为我们的用户提供优质服务，并于近期通过互联网平台连接我们的客户启动光电子能谱ZT网络讲堂，与大家携手发挥好PHI XPS仪器功效，进一步推动表面分析技术的应用和发展。

       X射线光电子能谱仪作为表面分析领域重要的大型科学仪器，广泛应用于科学研究和高科技产业等领域。ULVAC-PHI独具特色的扫描聚焦型XPS可以提供高表面灵敏（<10 nm）和高空间分辨(<10 um)的化学态解析能力；通过与UPS和IPES相结合，可以实现对芯能级、价带和导带电子结构信息的全面探测；通过结合氩离子和团簇离子源（GCIB），可以实现对无机/有机多层膜结构材料进行深度剖析。为了帮助客户深入了解扫描聚焦型X射线光电子能谱仪的技术特点，提升大型科学仪器在表面分析中的功用，本期光电子能谱ZT之网络讲堂将聚焦于光电子能谱原理、仪器结构、数据处理、实验技术以及日常维护等基本操作，网络讲堂具体安排如下：

请填写以下报名表格，提供有效Email地址以接收网络讲堂参会邀请,并于2月7日前回复

如有任何问题，可联系:

潘剑南 1861230 0780, nice.pan@coretechint.com

张伟 185 0008 4171, William.zhang@coretechint.com

       新型冠状病毒感染肺炎疫情防控工作正处于关键时期，疫情防控关乎每个人的生命健康，为减少公众交叉感染和降低传播风险，PHI CHINA积极配合国家的防控工作。PHI CHINA始终秉持初心，在疫情防控期间已经着手通过多种渠道继续为我们的用户提供优质服务，并于近期通过互联网平台连接我们的客户启动光电子能谱ZT网络讲堂，与大家携手发挥好PHI XPS仪器功效，进一步推动表面分析技术的应用和发展。
        X射线光电子能谱仪作为表面分析领域重要的大型科学仪器，广泛应用于科学研究和高科技产业等领域。ULVAC-PHI独具特色的扫描聚焦型XPS可以提供高表面灵敏（<10nm）和高空间分辨(<10um)的化学态解析能力；通过与UPS和IPES相结合，可以实现对芯能级、价带和导带电子结构信息的全面探测；通过结合氩离子和团簇离子源（GCIB），可以实现对无机/有机多层膜结构材料进行深度剖析。为了帮助客户深入了解扫描聚焦型X射线光电子能谱仪的技术特点，提升大型科学仪器在表面分析中的功用，本期光电子能谱ZT之网络讲堂将聚焦于光电子能谱原理、仪器结构、数据处理、实验技术以及日常维护等基本操作，网络讲堂具体安排如下：

       报名地址：https://mp.weixin.qq.com/s/xjK9LAuNDSfoyNX2mPVFgw

       请于2月7日前报名，并提供有效E-mail地址以接收网络讲堂参会邀请，谢谢！

       如有任何问题，可联系：潘剑南 186 1230 0780  Nice.pan@coretchint.com张   伟  185 0008 4171 William.zhang@coretechint.com

       继上期面向PHI用户的表面分析技术网络讲堂的成功举办，本期面向高校师生的网络讲堂也如约而至，在昨天（2月20日）为小伙伴们开讲了diyi课，共有来自90多所高校和科研院所的千余名师生参加。在接下来的三周，将有更精彩的内容呈现给大家，让我们一起来探索表面分析的世界！

       当前新型冠状病毒疫情防控工作正处于关键时期，疫情防控关乎每个人的生命健康，为减少公众交叉感染和降低传播风险，高校都已经宣布推迟春季学期开学。虽然现在只能宅在家里，但是疫情是暂时的，学习是长远的，待到春暖花开时，小伙伴们就可以奔赴科研战线，攀登科学的高峰！X射线光电子能谱仪作为表面分析领域重要的大型科学仪器，广泛应用于科学研究和高科技产业等领域。ULVAC-PHI独具特色的扫描聚焦型XPS可以提供高表面灵敏（<10 nm）和高空间分辨(<10 um)的化学态解析能力；通过与UPS和IPES相结合，可以实现对芯能级、价带和导带电子结构信息的全面探测；通过结合氩离子和团簇离子源（GCIB），可以实现对无机/有机多层膜结构材料进行深度剖析；通过专业的XPS数据处理软件MultiPak可实现对数据的定性和定量分析。

       X射线光电子能谱（XPS）已经是材料分析中离不开的利器，但是小伙伴们对测试和数据分析还是有些疑问，样品怎么准备，如何进行微区分析，深度分析中膜厚怎么计算，数据如何拟合，UPS功函数如何计算，如果测试导带和带隙，测试得不到满意结果...您是不是也有类似的困惑吗？为了帮助小伙伴们深入了解XPS的功能特点和数据解析，让XPS助力提升科研工作，本期光电子能谱ZT之网络讲堂面向科研一线的师生，将详细讲解光电子能谱的基本原理、仪器结构、实验技术以及数据处理，网络讲堂具体安排如下：

       如果您对光电子能谱或者其他表面分析技术感兴趣，欢迎您关注我们公众号，我们会持续为您呈现精彩内容，让我们一起来探索表面分析的世界！

如果喜欢我们的课程，记得分享哟~~

       昨天的上课视频，想要下载，可以点击微信公众号“阅读原文”，通关密码是“erlk”

PHI CHINA自2月11日开始通过网络直播的方式，展开为期四周的光电子能谱ZT讲座，获得了广泛关注和一致好评。为了满足大家热切的学习需求，PHI CHINA将推出“俄歇电子能谱ZT”讲座，为期三天：3月11日至3月13日，每天下午三点准时开讲。

01 3月11日

鲁德凤

AES技术基本原理、主要功能和应用 

主要内容： 

①、AES 的基本原理：俄歇电子的产生、主要技术能力；空间分辨、检出限以及定性定量等；俄歇系统的基本构成和能量分析器的特点；

②、AES 的主要功能：采谱、线扫描、成像、深度剖析等；冷脆断断面分析、原位 FIB+EDS+BSE+EBSD 全方位成分表征； 

③、AES 的主要应用：纳米材料、金属、半导体、催化材料、能源电池、太阳能光伏、膜层结构剖析等。 

02 3月12日

辛国强

AES硬件简介、仪器功能及特点  

主要内容：

①、系统结构；

②、真空系统； 

③、能量分析器基本原理；

④、电子枪及电子探测器； 

⑤、离子枪基本原理； 

⑥、俄歇仪器功能及特点。 

03 3月13日

叶上远

AES样品制备、数据采集及处理 

主要内容：

①、对于不同的分析目的，如何做相对应的样品制备；

②、简单的俄歇图谱解释，原图和微分谱与定性/定量分析；

③、如何使用软件和俄歇手册处理重叠峰；

④、俄歇峰背景扣除；

⑤、线扫和面扫数据分析；

⑥、如何使用 LLS 进行深度分析数据处理；

⑦、从导体到半导体俄歇分析，以及分析中电荷中和的方法。 

此次讲堂继续延用网络直播的形式，现场答疑。

PHI CHINA在表面分析领域多年深耕，专注表面分析的发展与科研，希望本系列讲堂能帮您丰富知识，提升技能，与大家携手进一步推动表面分析技术的蓬勃发展。若您对课程安排或技术方面有任何疑问，欢迎在微信公众号给我们留言。

更多资讯，请关注微信公众号：PHI与高德，我们将不定期共享更多资料，为您在科研道路上助力。 

       当前全国正处于抗击新冠肺炎疫情的关键时期，PHI CHINA积极响应政府政策并做好防控工作。与此同时，PHI CHINA充分利用互联网资源，于2020年2月11日15时通过互联网平台为广大用户开设了线上培训课程，进行了专业理论知识培训，做到“战胜疫情”和“提升能力”两不误。

       本期网络讲堂“PHI CHINA 表面分析技术网络讲堂之光电子能谱ZT”，包含光电子能谱相关的基本原理、谱仪结构、数据处理和实验技术四个课程，将通过互联网平台开展为期四天（2月11日-14日）的ZT网络课程。

       昨天是网络讲堂的diyi课，由PHI CHINA应用专家鞠焕鑫博士进行光电子能谱基本原理讲解，在讲座中对ULVAC-PHI及PHI CHINA公司进行了简单介绍后，鞠焕鑫博士针对光电子能谱领域中的XPS/UPS/LEIPS的基本原理、技术特点及应用开展详细讲解。网络讲堂结束后，鞠焕鑫博士对参会听众的疑问进行了详细的解答。

       本次网络讲堂共有来自高校和产业界的500多名用户参与，网络讲堂的学习形式也受到了广大用户的一致好评。我们将秉持为用户提供优质服务的初心，在疫情防控期间通过多种渠道继续为我们的用户提供优质服务，与大家携手发挥好PHI XPS仪器功效，进一步推动表面分析技术的应用和发展。

看得见的是光芒 看不见的是力量

       在这疫情防控关键时期，PHI CHINA所有员工听从号令，树立必胜信心，立足本职、加强业务学习，以更高标准做好各项工作，更好的为广大客户提供优质服务。

注意！注意！注意！

       ★答疑的部分，整理好后将会分享给大家，让我们一同学习与讨论！ 

       ★2月12日15时将学习光电子能谱的谱仪结构，千万不要错过哦！

       ★为避免错过直播，请各位老师、同学进入公众号，点击菜单栏下方的“资料ZX--网络讲堂”进入直播间。关注“PHI-CHINA”主播，一起学习吧！

       继2月11日PHI CHINA通过网络平台成功开讲了“PHI CHINA 表面分析技术网络讲堂之光电子能谱ZT”的diyi课后，网络讲堂第二课于2月12日15时准时开讲。本次课程的主题为“谱仪结构”，主讲人为PHI CHINA总经理叶上远先生。在近一个半小时的课程中，叶上远先生针对光电子能谱仪器结构、样品制备及传输操作等内容展开详细的讲解，讲解部分结束后他还针对参与讲堂的听众疑问进行了在线答疑。

       本期网络讲堂的主题分为光电子能谱相关的基本原理、谱仪结构、数据处理和实验技术四个课程，将通过互联网平台开展为期四天（2月11日-14日）的ZT网络课程。以下是课程安排：

下期精彩 不要错过

       2月13日15时将学习光电子能谱的数据处理，记得准时收看哦！

       为避免错过直播，请各位老师、同学进入“PHI与高德公众号”，点击菜单栏下方的“资料ZX--网络讲堂”进入直播间，关注“PHI-CHINA”主播，一起学习吧！

       昨日（2月13日）15时开讲的“PHI CHINA表面分析技术网络讲堂之光电子能谱ZT”第三课，主题为“光电子能谱的数据处理”，由PHI CHINAZS应用专家鲁德凤女士主讲，凭借着自己从业多年的经验，她和与会者分享了XPS图谱特点及如何利用MultiPak软件来进行数据处理。对于部分听众的在线提问，她也给予了耐心和细致的解答，使得听众们对于光电子能谱的数据处理的实际应用有了更具体而深刻的理解。

       时至今日，PHI CHINA表面分析技术网络讲堂之光电子能谱ZT已成功开讲了三课，分别是：光电子能谱相关的基本原理、谱仪结构、数据处理。Z后一课“光电子能谱仪的实验技术”将于今日15时准时开讲。各位老师、同学可通过关注“PHI与高德”公众号，点击菜单栏下方的“资料ZX—网络讲堂”进入直播间，关注“PHI-CHINA”主播，一同学习。

第2课答疑整理

1.单光源和双光源的区别？mu金属腔体作用？

       单光源(X射线源)和双X射线源在XPS设备上，重要的差别是双X射线源可以在分析中提供到两种X射线源去进行XPS分析。在拥有两种不同的X射线能量时，可以在分析时快速切换以达到:

1、得到不同分析深度的XPS结果(例如在使用硬X射线Cr源时可以得到比Al源获得多3倍的深度讯息)

2、在图谱中避免俄歇峰的重叠问题。

Mu金属的使用是可以屏蔽环境中的变动磁场，避免对于在电子能谱实验时对电子动能的影响，当中特别是低动能的电子会受影响。

样品粗糙度有要求吗？

       会有的。基本上粗糙度所引起的不平均性，会对样品在实验结果上的讯号强度造成影响(如下图)。如粗糙度越大，在讯号强度影响越大的情况下，将会对基于峰积分强度计算的结果也会影响。不过，对于所测出的元素或其化学态倒是不预期会有影响。

3.XPS需要超高真空的原因那张表可以再讲下？

       如下图中：

       不同的真空等级中包括:760Torr=大气,0.01Torr=低真空,E-5Torr=高真空,E-9=超高真空,E-12=极限真空。

       比较项为：

       How vacuum was attained:使用哪种真空泵或方法获得

       Molecules/m³:每立方米中有多少分子(当然真空差的时候,数字越大)

       Distance between molecules：在空间中分子间的距离(当然真空差的时候,距离越短)

       Collisions/second:每秒分子之间或在空间中撞击次数(真空越差，撞击越多)

       Mean free path between collision:平均自由路径在撞击后在真空中Z大的移动距离(真空越好，移动距离越远)

       Path(English unit): 英制距离单位(吋)

       Molecules/second/cm² striking surface:每秒每平方厘米在样品上的分子撞击次数(真空越差，撞击次数越多)

       Time for one monolayer to form:在上一项因分子撞击下，在样品上形成额外一层单原子层所需的时间

       Monolayer per second:因此每秒会在样品上形成的单原子层数量

       在表面分析实验中，分析时间可以一分钟、十分钟……到几十分钟或以小时算，因此，超高真空在实验过程的维持是非常重要。不然，在不足的真空之下，分析到的讯号就不会是真正从样品表面而来的。一般在真正实验中，E-8Torr很多时候是Z低的真空要求。

INTERESTING FACTS ABOUT VACUUM

4.FRR的成像能量窗口比FAT大很多？

       FRR在一般情况下的能量窗口是比较大的，但是FAT模式的能量窗口是可变的(透过改变通能)，所在也可以在设定中使能量窗口设成和FRR时的一样大。

对于FRR模式，无减速。进入的电子有自己的动能，分析仪会选择动能穿过ZX路径，到达Z终检出器。

5.两种能量分析模式没听懂，请完后再解释下

       在报告中，我以“分析器中正在侦测的电子之速度”来区分FRR和FAT两种模式的差别。

       FRR=分析器中正在侦测的电子之速度→在分析过程图谱中的不同动能时实际上在持续改变。

       FAT=分析器中正在侦测的电子之速度→在分析过程图谱中的不同动能时实际上不变。

       在电子能谱中,所测试的一直都是电子的动能,换句话说是速度。而在能谱中，讯号强度(灵敏度)和能量分辨率(分辨不同动能的能力)是在图谱中的两个Z重要的参数。在报告中，提出了FRR模式可以提供高灵敏度但比较差的能量分辨；而FAT则是相反的，有着比较好的能量分辨但灵敏度略低。在应用中，FRR更多的会使用在俄歇分析中，而FAT则是会应用在XPS，原因完全是因为两种不同分析技术的原理，俄歇很多时候应用在纳米等级的分析(因此需要使用低电流获得小束斑，而低电流会使讯号偏低),而且本身俄歇在原理中，俄歇峰相对起来峰宽度就很大，因此FRR模式更适合用在俄歇分析的。就XPS来说，在光电效应下光电子的产额相对高，且XPS中对化学分析其中一个重要的差别是在化学位移(结合能变化)，所以FAT的模式会更适合其应用。而其工作原理，请参考下题的回复。

6.FAT如何实现光电子能量固定？电量怎么换算成动能？

       在以下详细回答之前，简单的回答：FAT模式中使用了减速电压(Retard Voltage)的设计，达到了使进入分析时所侦测的电子动能/速度都是一样的。例子如下：

       1、首先在减速之前，如报告中提到在X射线激发样品表面时，激发出的各种电子是四散的。这时候输入透镜会去吸引这些电子，因此会给予所有电子一个额外能量。举例来说，假设这初始电压为10eV。

       2、在这之后，retard voltage减速电压开始工作如下：

       （1）例如，我们希望所有电子以10eV的速度飞入分析器。

       （2）分析器开始工作以获取光谱。它将“扫描”一定范围的能量。

       （3）首先，它尝试检测原始为0eV KE的电子（现在从输入镜头获得实为10eV），因此此时减速电压=0。

       （4）如果步长eV/step是1eV/step，则下一个检测到的KE将是原始为1eV的电子（现在在输入透镜之后为11eV）。所以那时减速电压=-1。

      （5）如此例推，当检测到KE=1000eV的电子时（在输入透镜之后为1010eV），这个概念将继续,所以那时的减速电压=-1000。

      （6）通过执行此过程，我们可以使进入分析器的所有电子都相同。

      （7）另外，由于减速电压是“由软件提供的”，因此软件将分别知道在每个给定的减速电压下的实际检测KE动能，从而Z后给出XPS图谱。

7.那静电吸附会影响光电子的能量分析准确性？

       会的，因为这会影响到样品上的电荷平衡和逸出电子的动能。

8.图像选点和实际分析的点会不会存在漂移？

       基本不会。在PHI设备上，成像影像和分析时候都是使用完全同一套光路系统，包括X射线分析器到检出器。

9.UPS的光斑多大，常用的参数设置一般有哪些？

       从前设计～=1.5x3mm

       Z新PHI设计～=1x1mm

10.样品制备中不建议使用C导电胶带？两种3M导电胶的适用范围是？

       一般样品可以使用导电碳胶带，但是对于样品中同时含有导电成分，又含有不导电成分，可能就会存在荷电不均匀，谱图会出现漂移，对于这类样品建议用完全绝缘的3M胶带。

11.压不压片、平整度会影响元素含量吗？

       如果元素组分是混合均匀的，应该不会影响组分的比例。但是样品不平整，可能会影响信号质量。如果含有含量较少的元素，建议压片制样。

12.样品托角度改变了，双束中和效果会变化很大吗？

       改变TOA，对中和效果影响不大的。

13.怎么保证离子溅射的区域和分析点区域是一个区域？如果区域不在一起是不是说明五轴样品台位置变了？

       1、工程师对仪器调试时，会对电子枪和离子枪束斑位置进行调试，与X射线束斑位置是重合的。

       2、跟样品台没有任何关系，就是离子枪和X-ray的合轴对中。

14.离子枪是用来溅射清理的还是用来中和的?感觉不需要正电荷中和吧？

       1、中和加溅射，并不是全部情况都需要离子荷电中和的。

       2、双束中和，正离子是中和样品表面分析区域以外的负电荷。

15.对于不导电曲面，是不是可能中和效果差了？中和时，离子束和电子束束斑可调吗？还是固定的？

       中和时束斑固定的不可调。

16.您所说的曲面是指微球样品吗，直径一般是多少？

       直径只有10mm的环；

       这个尺寸应该足够大了，对于100um的光斑区域，可以认为是平面，中和也是没有问题的。

17.对于导电性未知的样品，在选点和测试时都建议打开双束中和的吧？

       是的。

为期四天的“PHI CHINA表面分析技术网络讲堂之光电子能谱ZT”已于昨日（2月14日）落下帷幕。本期ZTZ后一课由PHI CHINAZS售后工程师辛国强先生主讲，主题为“关于光电子能谱的实验技术”。

作为行业ZS技术专家，辛国强先生同与会者分享了谱仪器硬件、软件的基本操作以及日常维护所需的注意事项。在分享后的在线答疑环节，他凭借自己多年客服工作积累的丰富经验，针对与会者提出的实操中的各种问题提供了翔实的解答，为本轮网络课堂ZT活动划下wan美句点。

停工不停业，服务不打烊。PHI CHINA团队将继续秉持初心，一如既往地为广大用户和合作伙伴提供优质、专业的服务。我们将为大家开展更加丰富精彩的网路课程，在此我们欢迎关注PHI CHINA的各位新老朋友积极参与互动，如果对于网络讲堂ZT活动有相关意见和建议，也欢迎在文末或公众号后台留言告诉我们。

问题1：膜厚大于6nm，XPS能检测到吗？

解答：XPS是表面分析技术，通常检测深度定义为对应出射光电子动能在相应材料中的非弹性平均自由程（λ）的3倍。 XPS的探测深度也取决于所测试的材料，对于金箔样品的探测深度大约是5 nm，而对Si样品的探测深度大约为9 nm。XPS对于具体材料的探测深度可以通过查询IMFP数据，根据3λ估算探测深度。

问题2：俄歇谱图中LMM是什么意思？

解答：俄歇电子是由于原子中的电子被X射线激发后，在退激发过程而产生的次级电子。XPS测试中X射线将在原子壳层中的电子激发成自由电子，会产生电子空穴后而处于激发态。退激发过程中处于高能级的电子可以跃迁到这一空位同时释放能量，当释放的能量传递到另一层的一个电子，这个电子就可以脱离原子出射成为俄歇电子。对于LMM俄歇电子如图所示：原子中一个L层电子被入射X射线激发成自由电子后，M层的一个电子跃迁入L层填补空位，此时多余的能量被另一个M层电子吸收产生二次电子，相应的俄歇电子标记为LMM。

问题3：功函数的应用是啥？

解答：功函数的定义是费米能级处的电子从样品表面逃逸出来，进入真空成为自由电子所需要克服的势垒，通常也称作逸出功。功函数是半导体光电器件和光催化等领域中非常重要的参数，与器件/材料的性能密切相关，

问题4：Mapping采谱时间？

解答：Mapping谱图是由多个像素点组成，每个像素点都包含一张谱图，例如本次讲解的Mapping谱图是由256x256个像素点组成，共计65K个像素点。在本次测试中，能量分析器采用128通道非扫描模式进行采集Mapping谱图，对于含量较高的C/O/F元素谱图，采集时间分别为8分钟，而对于含量较低的S/Pt元素谱图，采集时间分别为16分钟。一个质量较好的Mapping谱图的采集时长会有多个因素影响，包括采集元素的类别/含量、X射线光斑尺寸/功率和Frame次数等参数，在采谱参数设定好后，Smartsoft软件会给出预估时间。

问题5.怎么把拟合结果应用到谱图里面？用的什么软件？

解答：Mapping谱图由多个像素点组成，每个像素点都包含一张谱图，通过MultiPak软件可回溯分析特定元素成像中每个像素点所对应的化学态谱图，对于谱图拟合可以通过多种分析方法进行拟合，包括常用的Curve fitting、LLS方法和TFA方法，在第三节数据处理的课程中会有相关内容的详细讲解，请关注。

问题6. 这个系统学习是在分析化学吗？

解答：有些学校的分析化学课程可能会涉及部分表面分析技术。目前很多高校开设的课程，如材料分析、波谱能谱分析和仪器分析等课程可能包含有关XPS的内容。另外，有很多参考书籍也有XPS内容，可以自行学习。

问题7. 我之前看资料，说费米能级在0 eV，这是因为校准过吗？

解答：在本次课程中所展示的金的UPS谱图是施加-9V偏压后测试所得到的，所以在偏压的作用下，整个UPS谱图会有相应的偏移，如果对偏压进行校准，费米能级会校准到结合能为0 eV处。

问题8：第20页PPT，X-ray作用深度可达um级别，但Z终检测nm级别，为什么呢？由于网络问题，这中间的介绍没听到～

解答：XPS是基于光电效应的一种表面分析技术，其中X-ray激发原子中的芯能级电子，可以通过检测出射的光电子得到XPS谱图。对于软X射线，其在固体中的穿透深度可以达到um级别，但是出射电子受限于较小的非弹性平均自由程，通常只有表面10nm以内光电子会在没有能量损失的情况下而被检测到，所以XPS是一种表面灵敏的分析技术。

问题9：第56页PPT，UPS测试的功函数计算，按公式应该是5.31，为什么是4.14？

解答：在本例测试中，样品是半导体材料，计算得到的5.31eV对应于电离势，4.14 eV对应于功函数，具体计算公式如下：

问题10：刻蚀后，计算膜厚的公式是固定的么？

解答：在通过刻蚀进行的深度分析中，膜厚是一个比较复杂的问题。通常会采用标准样品如SiO2对仪器刻蚀所用的离子枪标定刻蚀速率，有时会用刻蚀速率乘以刻蚀时间进行计算刻蚀深度。但是刻蚀实验中的材料的组分非常复杂，即使同样的刻蚀参数，实际的刻蚀速率会有很大的差别，所以通常的深度分析会更加关注随刻蚀深度增加，元素组分/化学态的变化趋势。刻蚀后的实际膜厚测量也可以采用表面轮廓仪或AFM设备，通过测量溅射刻蚀坑得到相对真实的溅射速率，然后校准厚度值。

        3月6日,随着Z后一堂课程的完成，“PHI CHINA表面分析技术网络讲堂之光电子能谱ZT”圆满落下帷幕。

        在这个特殊的时期，为了让广大师生更好地掌握关于表面分析技术中常用的光电子能谱技术并利用MultiPak软件进行数据处理，PHI CHINA打破了往年常规的现场培训模式，首次开启了网络直播课程，使不同地区的师生及客户通过居家在线学习的方式积极参与到PHI CHINA的培训课程中来。

       从2月20日起,历时三周，以“ZT授课+答疑交流”为原则，以“理论+实践”为基础，PHI CHINA专业讲师在线相继开授了XPS基本原理&技术特点&应用、UPS/LEIPS基本原理&技术特点&应用、光电子能谱谱仪功能结构及特点、样品制备&传输操作和数据采集注意事项、MultiPak软件数据处理等课程，为听众们详细剖析了光电子能谱知识。在每一堂网络课程中,讲师还设立了专门的答疑环节，让大家能够了解得更加透彻,提升学习效率。该系列培训课程受到了师生、客户的广泛关注和一致好评。

       本次线上讲堂不仅创新了学习方式，还解决了防疫期间不宜集中学习的难题,实现了居家学习两不误，同时也巩固和提升了大家的专业知识,取得了良好的效果。在此，PHI CHINA诚挚感谢广大师生、客户以及辛勤付出的培训讲师对于此次网络课堂的全力支持和参与。今后，PHI CHINA还将不断创新服务模式，举办更多培训和交流活动，为广大师生、客户做好服务。也希望关注PHI CHINA的诸位朋友都能在防疫期间保护好自己及家人的身体健康，让我们共同期待春天的来临！

       如有任何培训及技术交流方面的需求,欢迎大家在文末和后台留言。

PHI CHINA温馨提示

3月11日-13日将开讲

“俄歇电子能谱ZT”