极度微小的位移，采用电容传感器能测出来吗？被测物是导体。

wkezhenkh 2015-07-07 13:53:50 361 浏览

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eagle_527 2015-09-03 00:00:00

ZCS1100型精密电容位移传感器（单通道电容传感器）：本传感器采用电容式测量方法，可以在线检测压电微位移、振动台，电子显微镜微调，天文望远镜镜片微调，精密微位移测量等。该传感器是一个单一的通道，高性能线性位移测量系统，创新的电容位移测量技术，提供了纳米测量能力，成本低，适合测量任何导电目标。

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danny周强 2015-07-17 00:00:00

是完全可以的。 ZNXsensor超精密电容位移传感器量程: 20～1250μm 分辨率: <0.1nm 线性度: Z高0.02% 频带可调: 50～5000Hz 灵敏度: 可调应用: 纳米分辨率.零磁滞。多用于压电微位移.振动台.电子显微镜微调.天文望远镜镜片微调.精密微位移测量等。

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wssdjdbdpk 2015-07-08 00:00:00

可以啊，电容位移传感器被测物体要求是导电体。精度也非常高，以德国米铱公司capaNCDT 6530举例，误差可以达到0.1微米，分辨率可以达到0.0375nm。详细可以参考 www.micro-epsilon.com.cn

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BET 理论发表于 1938 年，其正式名称是多分子层吸附理论，是对 Langmuir 理论修正。BET是该理论的三个提出者姓氏的首字母缩写。由于 BET 法适合大部分样品，目前成为Z流行的比表面分析方法。但 BET 法并不适用于所有样品，因此按介孔材料的分析方法分析微孔材料时，由物理吸附分析仪自动生成的 BET 比表面值是错误的。ISO9277-2010 和 IUPAC 都对含微孔材料的 BET比表面分析方法及判断 BET 结果的方法做出了规定。不同的理论模型给出的计算结果是不同的，所以要根据理论模型的假设条件，选择Z适合样品性质的理论模型。大多数理论模型是根据发明人的名字或缩写命名的，能计算出比表面的理论模型包括 Langmuir，BET，BJH，DR 和 NLDFT。NLDFT 是非定域密度泛函理论。研究表明，NLDFT 计算出的比表面值Z接近真实值，并且该理论适用于微孔和介孔材料。

2019-06-06 14:44:52 583 0