电弧熔融石英坩埚

NIEGOUKONG 2012-01-05 04:11:02 528 浏览

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嗯爹i 2012-01-06 00:00:00

人，一定不能太贱。你是要电弧坩埚，还是生产电弧坩埚？是使用电弧坩埚还是要电弧坩埚的碎片？你要是不说清楚，我们大家都不知道你要问什么，你这个题目浪费了我们的时间。所以，人，不能太贱。

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brokerwen888 2012-01-06 00:00:00

多少钱一吨呢？各大单晶厂，你去看看吧。现在不景气的时期，一切都要主动些。

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电弧熔融石英坩埚:

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请问多晶硅铸锭用熔融石英坩埚氮化硅涂层如何制作。: 我是一位材料研究生，Z近导师接了一个课题研究多晶硅铸锭用熔融石英坩埚氮化硅涂层，将主要任务分给我做，由于小弟才疏学浅，diyi步如何制作涂层也不会，请教各位大大，还望高人指点... 我是一位材料研究生，Z近导师接了一个课题研究多晶硅铸锭用熔融石英坩埚氮化硅涂层，将主要任务分给我做，由于小弟才疏学浅，diyi步如何制作涂层也不会，请教各位大大，还望高人指点。谢谢。展开

国内生产电弧石英坩埚炉有几家？其配套设备都齐全吗？:

哪里有生产电弧石英坩埚用的高纯石墨电极（碳棒石墨棒）？:

石英坩埚: 我公司生产的石英坩埚是采用国际Z先进的生产工艺电弧法生产，半透明状，是拉制大直径单晶硅，发展大规模集成电路必不可少的基础材料。坩埚外侧是一层具有高气泡密度的区域，称为气泡... 我公司生产的石英坩埚是采用国际Z先进的生产工艺电弧法生产，半透明状，是拉制大直径单晶硅，发展大规模集成电路必不可少的基础材料。坩埚外侧是一层具有高气泡密度的区域，称为气泡复合层，内侧则是一层3~5mm的透明层，称之为气泡空乏层。气泡复合层的目的是在与均匀的辐射有加热器所提供的辐射热源。气泡空乏层的目的在于降低与溶液接触区域的气泡密度，而改善单晶生长的成功率及晶棒品质。喷涂工艺的的增加可以大幅度的改善石英坩埚的使用寿命及长晶良率。同时可以增加石英坩埚的强度，减少高温软化现象，延长使用寿命。我公司生产的石英坩埚常年供应给塞维等使用，是塞维公司常年合作伙伴。我公司生产的石英坩埚成晶率在80%—85%左右。规格有10、12、14、16、18、20、22吋。欢迎广大客户联系： jjwking@163.com 展开

熔融状态: http://baike.baidu.com/view/1185709.htm 我看了这里的资料有点纳闷，熔融状态到底是什么状态那上面又说是固体物质在一定温度下的液态物体，又说相当于物理概念中的固液共存状态。这两者不是不一样吗？有谁能解答

真空电弧法熔制石英坩埚后三根石墨电极棒有长短，请问该做怎样的调整？:

石英坩埚前景: 现在有两条石英坩埚的生产线，刚刚投产，就遇到了这次光伏的冬天，已经投产一个多月了，一个坩埚也没卖出去，倒是在单晶厂试验了不少，但是没人买。唉，现在银行压的很头痛，不知道这... 现在有两条石英坩埚的生产线，刚刚投产，就遇到了这次光伏的冬天，已经投产一个多月了，一个坩埚也没卖出去，倒是在单晶厂试验了不少，但是没人买。唉，现在银行压的很头痛，不知道这个行情什么时候会好呢？展开

石英坩埚碎片: 我有石英坩埚碎片啦，大量！... 我有石英坩埚碎片啦，大量！展开

电弧等离子体沉积系统

■ 双电弧等离子体源共沉积制备新型GX铂镍催化剂

N. Todoroki[1]等人以高活性氧还原反应（oxygen reduction reaction，ORR）为目标，设计了一种新型基于铂-镍合金纳米颗粒堆叠薄膜（nanoparticle-stacking thin film，NPSTF）结构的电催化剂。合成所得铂-镍NPSTF的质量活性比商用碳负载的铂催化剂要高十倍。铂-镍NPSTF显著的ORR活性增强被归因于：

1）由底层镍原子诱导的表面铂富集层的电子性质修饰；

2）由铂-镍纳米颗粒堆叠而实现的活性表面区域的增加。

本实验利用日本Advance Riko公司的APD电弧等离子体沉积系统完成。

(a)由APD共沉积获得的Pt2Ni8薄膜截面的HAADF-STEM图像；(b)脱合金后得到的Pt2Ni8薄膜截面图像；(c)脱合金后获得的Pt2Ni8纳米结构示意图

参考文献：

[1]N. Todoroki, et al., Pt−Ni Nanoparticle-Stacking Thin Film: Highly Active Electrocatalysts for Oxygen Reduction Reaction. ACS Catal., 2015, 5, 2209-2212.

详情请点击：双电弧等离子体源共沉积制备新型GX铂镍催化剂

■ 电弧等离子体源与分子束外延技术的集成

在先进电子与光电子器件领域， C族-Ⅳ族半导体材料是颇受关注的一种重要材料。特别地，碳含量在4%~11%的Ge1-xCx外延层被认为具有直接带隙结构、且能够补偿由硅衬底晶格失配引起的固有应变。然而，目前尚未获知稳定的GeC相晶体材料，而且体材Ge中极低的C原子溶解度（平衡态下为108 atoms/cm3）也阻碍了获取结晶良好且含碳量高的GeC外延层。目前已有部分利用MBE或CVD生长GeC外延层的报道，相关研究人员目前的研究ZD之一是提升外延层Ge1-xCx中替位C含量x的数值。近期，有研究人员利用超高真空考夫曼型宽离子束源，在200 ℃~500 ℃的生长温度下，在Ge（001）衬底上获得了x≤2%的Ge1-xCx外延层。

在M. Okinaka等人[1]的工作中，为了进一步增强非平衡生长，首次采用了电弧等离子体枪作为新型C源，在Si（001）衬底上利用MBE制备了GeC外延层。结果表明，对于在硅表面利用MBE生长GeC外延层来说，电弧等离子体枪的使用以及非平衡生长的增强，对于外延层中C的掺入以及YZ外延层中C团簇的形成具有重要作用。

以电弧等离子体作为碳源在Si（001）衬底表面生长的碳膜的AFM图像，薄膜表面非常平整，粗糙度为纳米级

参考文献：
[1] M. Okinaka, et al., MBE growth mode and C incorporation of GeC epilayers on Si(001) substrates using an arc plasma gun as a novel C source. J. Cryst. Growth, 2003, 249, 78-86.

[2] G. Yu, et al., Ion velocities in vacuum arc plasmas. J. Appl. Phys., 2000, 88, 5618.

详情请点击：电弧等离子体沉积技术的特殊应用案例——电弧等离子体源与分子束外延技术的集成

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