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NBR综述:痛觉研究重要进展!尤浩军教授课题组提出痛觉内源性调控新理念

深圳市瑞沃德生命科技有限公司 2022-10-17 09:20:40 243  浏览
  • 疼痛是一种不愉快的感觉和情感体验,其产生与实际存在或潜在的组织损伤有关。进入21世纪,疼痛已被WHO(世界卫生组织)和IASP(国际疼痛研究协会)认为是除呼吸、脉搏、体温和血压这四大生命体征之外的“第五大生命体征”,由此体现了疼痛研究在生命和健康科学研究领域的重要性。近年来,得益于分子生物学技术的快速发展,疼痛研究在细胞和分子水平上取得了长足的进展。然而,疼痛学基础研究与临床治疗之间仍存在着明显的脱节现象。尤其是疼痛的生理和病理机制,特别是病理性痛的产生、维持和调控机制仍未阐明,相关临床治疗/效果也不佳。近年来,延安大学“感觉与运动疾病转化医学研究中心”尤浩军教授课题组对痛觉内源性调控作用及其可塑变化开展了较为细致的研究。2022年8月,课题组在Neuroscience and Biobehavioral Reviews(中科院大类一区Top期刊)上发表题为“Thalamus:The ‘promoter’ of endogenous modulation of pain and potential therapeutic target in pathological pain”科研论文。该论文聚焦病理性疼痛的诱导、发生和发展相关科学问题,回顾了百年疼痛研究中所遇到的科学问题及临床疼痛治疗难点,提出相关科学问题,据此重点阐述了以丘脑作为启动子(Promotor)在外周伤害性信息的传入识别和痛觉内源性调控中的作用及相关机制。

    通过回顾百余年来疼痛学研究进展,该综述分别论述了疼痛学三大理论(特异学说、型式学说和闸门学说)的内容及相关局限性,辨析了疼痛学基础研究和临床治疗应用中存在的矛盾现象。例如,上述疼痛学三大理论均不能对痛觉中/枢敏化现象的维持和发展给予很好的解释。在此基础上,结合课题组发表的系列相关科研成果(15篇SCI论文),作者创新性提出了以丘脑(MD核和VM核)为启动子(Promotor)介导的痛觉内源性调控时空特异科研假说,为疼痛学特异性、型式和闸门学说提供了全新扩展。在文章中,作者创新性地提出围绕“丘脑内侧背侧核(MD)-扣带皮层-背外侧中脑导水管周围灰质/背柱-脊髓背角浅层(Ⅰ-Ⅱ层)”和“丘脑腹内侧核(VM)-岛叶皮质 - 腹外侧中脑导水管周围灰质-背外侧索-脊髓背角深部(Ⅳ-Ⅵ层)”的痛觉内源性调控双特异通路,进而分别执行迥异的痛觉内源性易化和抑/制调控作用。

    (图1,丘脑介导的痛觉内源性调控双特异通路示意图)
    上述科研假说全新阐释了当前痛觉研究所面临的相关关键科学问题,如痛觉中/枢敏化的含义,a片“镇痛-痛敏”现象,针刺镇痛与“小痛镇大痛”的相关科学问题等,尤其针对病理性痛的临床治疗,该论文进一步提出了“不引起明显痛感”43℃温热物理治痛和翻转“痛觉内源性下行易化和下行抑/制激活阈值”的药物治痛新理念。
    (图2,丘脑“痛觉识别器”控制的内源性痛觉下行控制触发阈值变化示意图)
    综上,文章提出的创新性理念为生理学、神经科学、针灸学、康复学及麻醉学涉及痛与镇痛的基础科研及临床治疗提供了新思路和治疗方案。上述系列论点也得到Neuroscience and Biobehavioral Reviews审稿人和编辑的肯定性评价,认为具有科研原创性和新颖性。该文章极大地完善并丰富了现有的疼痛学理论和调控机制,为疼痛学基础研究和临床治疗提供了重要参考。
    论文原文链接:https://doi.org/10.1016/j.neubiorev.2022.104745

    延安大学“感觉与运动疾病转化医学研究中心”课题组简介

    延安大学“感觉与运动疾病转化医学研究中心”(简称“感运中心”)一直致力于痛觉基础研究与临床治疗转化医学研究工作。通过紧密围绕“痛觉内源性调控作用及机制”这一科学问题,感运中心团队对生理及病理状态下的痛觉内源性调控作用及机制给予了较为系统的观察和研究,提出了系列科研新论点:(1)“痛觉内源性调控时空影响”论点;(2)“不引起明显痛感”温针治痛新理念;(3)丘脑介导的“超前镇痛”麻醉镇痛新观点,为疼痛学、麻醉学、康复医学、中医学等相关领域内的基础和临床工作者对“痛与治痛”神经调控机制的深入理解和有效治疗(如中医“灸法”治痛)提供了新资料和证据。

    团队现有教授4名,副教授3人,讲师5人,硕/博士研究生20余人,课题组骨干成员均有海外留学背景。目前,团队已主持和/或完成近20项国内、外科研基金,其中11项国家自然科学基金项目。团队成员在“Neuroscience and Biobehavioral Reviews”、“J.Physiol.”、“Pain”和“Neuroscience”等国际专业性学术杂志上发表SCI论文50余篇,研究成果得到较为广泛引用。


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NBR综述:痛觉研究重要进展!尤浩军教授课题组提出痛觉内源性调控新理念

疼痛是一种不愉快的感觉和情感体验,其产生与实际存在或潜在的组织损伤有关。进入21世纪,疼痛已被WHO(世界卫生组织)和IASP(国际疼痛研究协会)认为是除呼吸、脉搏、体温和血压这四大生命体征之外的“第五大生命体征”,由此体现了疼痛研究在生命和健康科学研究领域的重要性。近年来,得益于分子生物学技术的快速发展,疼痛研究在细胞和分子水平上取得了长足的进展。然而,疼痛学基础研究与临床治疗之间仍存在着明显的脱节现象。尤其是疼痛的生理和病理机制,特别是病理性痛的产生、维持和调控机制仍未阐明,相关临床治疗/效果也不佳。近年来,延安大学“感觉与运动疾病转化医学研究中心”尤浩军教授课题组对痛觉内源性调控作用及其可塑变化开展了较为细致的研究。2022年8月,课题组在Neuroscience and Biobehavioral Reviews(中科院大类一区Top期刊)上发表题为“Thalamus:The ‘promoter’ of endogenous modulation of pain and potential therapeutic target in pathological pain”科研论文。该论文聚焦病理性疼痛的诱导、发生和发展相关科学问题,回顾了百年疼痛研究中所遇到的科学问题及临床疼痛治疗难点,提出相关科学问题,据此重点阐述了以丘脑作为启动子(Promotor)在外周伤害性信息的传入识别和痛觉内源性调控中的作用及相关机制。

通过回顾百余年来疼痛学研究进展,该综述分别论述了疼痛学三大理论(特异学说、型式学说和闸门学说)的内容及相关局限性,辨析了疼痛学基础研究和临床治疗应用中存在的矛盾现象。例如,上述疼痛学三大理论均不能对痛觉中/枢敏化现象的维持和发展给予很好的解释。在此基础上,结合课题组发表的系列相关科研成果(15篇SCI论文),作者创新性提出了以丘脑(MD核和VM核)为启动子(Promotor)介导的痛觉内源性调控时空特异科研假说,为疼痛学特异性、型式和闸门学说提供了全新扩展。在文章中,作者创新性地提出围绕“丘脑内侧背侧核(MD)-扣带皮层-背外侧中脑导水管周围灰质/背柱-脊髓背角浅层(Ⅰ-Ⅱ层)”和“丘脑腹内侧核(VM)-岛叶皮质 - 腹外侧中脑导水管周围灰质-背外侧索-脊髓背角深部(Ⅳ-Ⅵ层)”的痛觉内源性调控双特异通路,进而分别执行迥异的痛觉内源性易化和抑/制调控作用。

(图1,丘脑介导的痛觉内源性调控双特异通路示意图)
上述科研假说全新阐释了当前痛觉研究所面临的相关关键科学问题,如痛觉中/枢敏化的含义,a片“镇痛-痛敏”现象,针刺镇痛与“小痛镇大痛”的相关科学问题等,尤其针对病理性痛的临床治疗,该论文进一步提出了“不引起明显痛感”43℃温热物理治痛和翻转“痛觉内源性下行易化和下行抑/制激活阈值”的药物治痛新理念。
(图2,丘脑“痛觉识别器”控制的内源性痛觉下行控制触发阈值变化示意图)
综上,文章提出的创新性理念为生理学、神经科学、针灸学、康复学及麻醉学涉及痛与镇痛的基础科研及临床治疗提供了新思路和治疗方案。上述系列论点也得到Neuroscience and Biobehavioral Reviews审稿人和编辑的肯定性评价,认为具有科研原创性和新颖性。该文章极大地完善并丰富了现有的疼痛学理论和调控机制,为疼痛学基础研究和临床治疗提供了重要参考。
论文原文链接:https://doi.org/10.1016/j.neubiorev.2022.104745

延安大学“感觉与运动疾病转化医学研究中心”课题组简介

延安大学“感觉与运动疾病转化医学研究中心”(简称“感运中心”)一直致力于痛觉基础研究与临床治疗转化医学研究工作。通过紧密围绕“痛觉内源性调控作用及机制”这一科学问题,感运中心团队对生理及病理状态下的痛觉内源性调控作用及机制给予了较为系统的观察和研究,提出了系列科研新论点:(1)“痛觉内源性调控时空影响”论点;(2)“不引起明显痛感”温针治痛新理念;(3)丘脑介导的“超前镇痛”麻醉镇痛新观点,为疼痛学、麻醉学、康复医学、中医学等相关领域内的基础和临床工作者对“痛与治痛”神经调控机制的深入理解和有效治疗(如中医“灸法”治痛)提供了新资料和证据。

团队现有教授4名,副教授3人,讲师5人,硕/博士研究生20余人,课题组骨干成员均有海外留学背景。目前,团队已主持和/或完成近20项国内、外科研基金,其中11项国家自然科学基金项目。团队成员在“Neuroscience and Biobehavioral Reviews”、“J.Physiol.”、“Pain”和“Neuroscience”等国际专业性学术杂志上发表SCI论文50余篇,研究成果得到较为广泛引用。


2022-10-17 09:20:40 243 0
NBR综述:痛觉研究重要进展!尤浩军教授课题组提出痛觉内源性调控新理念

带你看文献,只做纯干货

文献精读第33期

文章概述

成瘾复发是a片类药物导致死亡的主要原因。已有的研究表明,伏隔核(Nucleus Accumbens core, NAcore)中突触谷氨酸失调是成瘾行为复发的一个关键因素。在动物成瘾模型中,谷氨酸失调在很大程度上是由于表达谷氨酸转运体GLT-1的NAcore星形胶质细胞发生了变化,包括星形胶质细胞的突起从神经元突触上缩回以及星形胶质细胞GLT-1的表达下调,但是它们在成瘾复发中的作用和机制仍然有待进一步明确。

2022年8月10日,南卡罗莱纳医科大学的研究人员在《Science Advances》杂志上发表题为“Plasticity in astrocyte subpopulations regulates heroin relapse”的文章。该研究揭示了大鼠NAcore中表达GLT-1的星形胶质细胞是如何适应并促进hailuoyin寻求的。hailuoyin线索会导致NAcore中不同的星形胶质细胞亚群产生两种短暂的可塑性:一个亚群的细胞突起与神经元突触的邻接性增加,另一个亚群中星形胶质细胞的GLT-1在神经元突触外表达增加。抑/制星形胶质细胞上述两种可塑性会促进线索诱导的hailuoyin寻求。该研究结果表明,hailuoyin线索会通过短暂诱导星形胶质细胞亚群不同形式的可塑性来抑/制hailuoyin的复吸,这也为药物成瘾复发的治疗提供了一种有前景的途径。

核心观点

1、hailuoyin线索会在不同的星形胶质亚群中产生两种短暂的可塑性:其中一个亚群的细胞突起与邻近神经元突触的邻接性增加;而在另一个亚群中,星形胶质细胞GLT-1的表达在邻近神经元的突触外显著增加;

2、通过反义核酸靶向抑/制上述星型胶质细胞亚群的两种短暂可塑性会促进线索诱导的hailuoyin寻求;

3、hailuoyin线索会选择性地增加星形胶质细胞的突起与D2中型多棘神经元(Medium Spiny Neurons, MSNs)树突突触的邻接性,而星形胶质细胞GLT-1在神经元突触外的表达增加则无神经元亚型特异性。

研究结果分析

1. hailuoyin线索导致星形胶质细胞表面近端GLT-1的表达短暂升高

为了探讨NAcore星形胶质细胞在hailuoyin寻求中的变化机制,作者利用操作性学习的自身给药范式来模拟动物成瘾-戒断-复发行为,并利用膜结合的荧光报告基因对NAcore星形胶质细胞进行了标记。大鼠在训练后接受10天的自身给药(hailuoyin或蔗糖)、10天的戒断、以及部分小鼠接受随后的线索诱导hailuoyin寻求(不给予实际的hailuoyin或蔗糖奖励,其中线索诱导15分钟作为药物渴望或寻求的结果,线索暴露120分钟作为线索戒断的结果)。在对大鼠NAcore切片突触前的Synapsin I 和GLT-1进行免疫标记后,利用共聚焦显微镜进行成像。

免疫组化结果显示,在hailuoyin戒断后,星形胶质细胞质膜与Synapsin I的共定位减少,GLT-1的总表达减少,但是GLT-1在星形胶质细胞表面的比例没有改变。在戒断之后,15分钟的线索诱导增加了hailuoyin组大鼠星形胶质细胞与突触的接触,以及表面近端(表面250nm内)GLT-1表达高水平星形胶质细胞的比例。这种突触近端星形胶质细胞突起和GLT-1表面水平的增加都是短暂的,在120分钟的线索暴露后会恢复到戒断水平,这一时间过程与成瘾复发期间细胞外谷氨酸的上升和下降相平行。hailuoyin戒断导致了GLT-1与Synapsin I的共定位减少。尽管hailuoyin寻求会导致星形胶质细胞表面近端GLT-1的增加,但是并不能恢复阶段后GLT-1与Synapsin I的共定位,相反,线索诱导的表面近端GLT-1的增加都是在突触之外的。


2. hailuoyin线索诱导的星形胶质细胞可塑性表现出细胞亚群异质性

hailuoyin线索诱导15分钟后,星形胶质细胞与突触的邻近性短暂增加,但表面近端GLT-1的表达增加没有与Synapsin I共定位,这表明这些线索诱导的星形胶质细胞可塑性可能发生在不同的星形胶质细胞亚群中。利用主成分分析,根据星形胶质细胞与突触的邻接性和表面近端GLT-1的水平,作者将NAcore中的星形胶质细胞分成了高突触邻接性(1型)、表面近端GLT-1高水平(2型)、以及低至中度突触邻接和表面GLT-1表达(3型)三个亚群。生理盐水组大鼠的大部分NAcore星形胶质细胞主要为1型和3型。hailuoyin戒断大鼠中1型星形胶质细胞减少,2型星形胶质细胞增加。15分钟的hailuoyin线索诱导导致1型星形胶质细胞短暂恢复,2型星形胶质细胞质比例进一步增加。120分钟的hailuoyin线索暴露后,3型星形胶质细胞占主导地位。

3. 在NAcore星形胶质细胞中,Gq信号增加了细胞突起与突触的邻接性,但不增加细胞表面GLT-1的水平

培养的星形胶质细胞上,Gq偶联信号通过代谢性谷氨酸受体mGluR5促进ezrin依赖的星形胶质细胞突起精细的运动。为了确定Gq型mGluR信号是否会触发线索诱导的星形胶质细胞突起运动,作者在线索诱导时利用化学遗传学的方法激活NAcore星形胶质细胞,并对星形胶质细胞的突触邻接性和表面近端GLT-1的表达进行了分析。星形胶质细胞激活增加了星形胶质细胞突起与Synapsin I的共定位,但不影响表面近端GLT-1水平。这些数据表明,在药物寻求过程中,Gq信号在NAcore星形胶质细胞中能够触发形态可塑性,而突触外GLT-1表达的增加可能涉及不同的信号级联。

4.在星形胶质细胞亚群中,线索诱导的可塑性降低会增加hailuoyin寻求

为了确定线索诱导的1型和2型星形胶质细胞塑性是否影响hailuoyin寻求,作者在动物戒断后利用反义核酸特异性的阻断GLT-1或ezrin。hailuoyin线索诱导15分钟后,大鼠的hailuoyin寻求恢复,ezrin或GLT-1基因的下调增强了动物对hailuoyin的渴求。因此,1型或2型星形胶质细胞可塑性在线索诱导的hailuoyin寻求过程中起着抑/制hailuoyin渴求的代偿作用。形态学结果表明,ezrin敲除降低了NAcore星形胶质细胞的突触邻接性,而GLT-1敲除进一步降低了GLT-1的总水平,并阻断了线索诱导的表面近端GLT-1的表达增加。此外,GLT-1敲除不改变NAcore星形胶质细胞的突触邻近性,ezrin敲除不影响GLT-1总水平或表面近端GLT-1水平。正如预期的那样,GLT-1或ezrin的独立敲除降低了GLT-1与Synapsin I的共定位。


5. 在hailuoyin成瘾及复发前后,NAcore星形胶质细胞与D1-MSNs和D2-MSNs形成有差异的关联

NAcore中两个主要的神经元亚型D1-MSNs和D2-MSNs的活性分别驱动药物寻求和寻求消退。因此,作者推测NAcore中不同类型的星形胶质细胞与D1-MSNs和D2-MSNs独特相关,从而有助于它们在减少线索诱导的hailuoyin寻求方面的功能作用。为了验证这一假设,作者在动物训练前对D1和D2神经元进行了标记,在一系列的成瘾-戒断-复发实验后对孤立的星形胶质细胞进行成像,并定量观察其与病毒标记的D1-MSNs和D2-MSNs树突以及突触标记的Synapsin I或GLT-1的关系。免疫组化结果显示,星形胶质细胞在戒断后从NAcore树突上缩回,在线索诱导后星形胶质细胞突起重新向突触插入。在戒断训练后,星形胶质细胞在D1-MSNs突触中与Synapsin I的共定位增加,在D2-MSNs突触中与Synapsin I的共定位减少。暴露于hailuoyin线索15分钟后,星形胶质细胞与两种突触的关联恢复到对照水平。

在分析D1-MSNs和D2-MSNs树突相关GLT-1时,作者观察到树突相关的GLT-1在戒断训练后减少,在暴露于hailuoyin线索15分钟后恢复到生理盐水对照水平,类似于大鼠在线索诱导的hailuoyin寻找15分钟内表面近端GLT-1的增加。与D1树突相比,与D2树突相邻的GLT-1水平更高。戒断后树突相关的GLT-1减少发生在D2树突,而不是D1树突。线索暴露15分钟后,GLT-1的表面近端增加与D1或D2树突没有相关。

总之,这些数据表明,线索诱导的hailuoyin寻求过程中1型星形胶质细胞的增加可能与D2树突周围星形胶质细胞的形态可塑性有关,但线索诱导的2型星形胶质细胞增加,表现出高水平的突触外GLT-1,而与D1或D2树突无关。


总结

该研究发现,在线索诱导的hailuoyin寻求过程中,NAcore中的星形胶质细胞通过形态和GLT-1表达的可塑性这两种机制来抑/制hailuoyin寻求的强度。线索诱导的星形胶质细胞突起与突触的邻近性和表面GLT-1表达增加发生在不同的星形胶质细胞亚群中,并由不同的信号级联触发,星形胶质细胞Gq信号选择性激活星形胶质细胞精细过程运动,而不影响表面GLT-1表达。1型星形胶质细胞在NAcore中与突触邻接性增加,而2型星形胶质细胞表面GLT-1表达增加。选择性地抑/制1型或2型星形胶质细胞的可塑性可增强线索诱导的hailuoyin寻求,显示了线索短暂诱导这些星形胶质细胞亚群的功能相关性。最后,作者证明了在hailuoyin寻求过程中,1型星形胶质细胞的增加具有D2-MSNs选择性,但2型星形胶质细胞的增加,与D1-MSNs和D2-MSNs均无关。总之,这些数据表明,星形胶质细胞的形态可塑性具有神经元亚型选择性,在不同的星形胶质细胞亚群中,hailuoyin线索会短暂地诱导两种不同形式的星形胶质细胞可塑性,从而抑/制hailuoyin的寻求。


研究方法亮点

这项工作阐述了NAcore中表达的星形胶质细胞在适应并促进hailuoyin寻求过程中的作用机制。研究用到了自身给药成瘾造模、脑立体定位注射、微量导管给药以及免疫组化等实验技术。瑞沃德深耕生命科学研究领域20年,一直致力于为客户提供可信赖的解决方案和服务,能够提供该研究所涉及的自身给药成瘾造模、脑立体定位注射、微量导管给药以及免疫组化等实验的完整解决方案。截至目前,瑞沃德产品及服务覆盖海内外 100 多个国家和地区,客户涵盖全/球700+医院,1000+科研院所,6000+高等院校,已助力全/球科研人员发表SCI文章14500+,获得行业广泛认可。


原文链接:

https://www.science.org/doi/10.1126/sciadv.abo7044


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成果速递|小型无掩膜光刻直写系统(MicroWriter)在复旦大学包文中教授课题组的Z新研究应用
    随着电子信息产业的高速发展,集成电路的需求出现了井喷式的增长。使得掩膜的需求急剧增加,目前制作掩膜的主要技术是电子束直写,但该制作效率非常低下,并且成本也不容小觑,在这种背景下人们把目光转移到了无掩膜光刻技术。
    英国Durham Magneto Optics公司致力于研发小型台式无掩膜光刻直写系统(MicroWriter ML3),为微流控、MEMS、半导体、自旋电子学等研究领域提供方便GX的微加工方案。传统的光刻工艺中所使用的铬玻璃掩膜板需要由专业供应商提供,但是在研发过程中,掩膜板的设计通常需要根据实际情况多次改变。无掩膜光刻技术通过以软件设计电子掩膜板的方法,克服了这一问题。与通过物理掩膜板进行光照的传统工艺不同,激光直写是通过电脑控制DMD微镜矩阵开关,经过光学系统调制,在光刻胶上直接曝光绘出所要的图案。同时其还具备结构紧凑(70cm X 70cm X 70cm)、高直写速度,高分辨率(XY:<1 um)的特点。采用集成化设计,全自动控制,可靠性高,操作简便。

    
     复旦大学微电子学院包文中教授课题组主要的研究领域包括二维层状材料的能带调控、器件工艺及应用,包括二硫化钼(MoS2),黑磷等。近日,其课题组利用小型台式无掩膜光刻直写系统(MicroWriter ML3)在新型二维层状材料MoS2的器件制备、转移和应用等方面取得了一系列瞩目的研究成果: 

(一) SMALL: 高性能的具备实际应用前景的晶圆级MoS2晶体管 

    原子层级的过渡金属二硫化物(TMD)被认为是下一代半导体器件的重要研究热点。然而,目前绝大部分的器件都是基于层间剥离来获取金属硫化物层,这样只能实现微米级的制备。在本文中,作者提出一种利用化学气相沉积(CVD)制备多层MoS2薄层,进而改善所制备器件的相关性能。采用四探针法测量证明接触电阻降低一个数量级。进一步,基于该法制备的连续大面积MoS2薄层,采用小型无掩膜光刻直写系统(MicroWriter ML3)构筑了顶栅极场效应晶体管(FET)阵列。研究表明其阈值电压和场效应迁移率均有明显的提升,平均迁移率可以达到70 cm2V-1s-1,可与层间剥离法制备的MoS2 FETZ 好结果相媲美。本工作创制了一种规模化制备二维TMD功能器件和集成电路应用的有效方法。 

图1. (a-e) 利用CVD法制备大面积多层MoS2的原理示意及形貌结果。(g, h, i, j) 单层MoS2边界及多层MoS2片层岛的AFM测试结果,拉曼谱及光致发光谱结果

图2. 利用无掩膜激光直写系统(MicroWriter)在MoS2薄层上制备的多探针(二探针/四探针)测量系统,以及在不同条件下测量的接触电阻和迁移率结果。证明所制多层MoS2的平均迁移率可以达到70 cm2V-1s-1

图3. 利用无掩膜光刻直写系统(MicroWriter)制备的大面积规模级MoS2 FET阵列,及其场效应迁移率和阈值电压的分布性测量结果,证明该规模级MoS2 FET阵列具备优异且稳定的均一特性 

(二) Nanotechnology: 用于高性能场效应晶体管的晶圆级可转移多层MoS2的制备

    利用化学气相沉积(CVD)制备半导体型过渡金属二硫化物(TMD)是一种制备半导体器件的新途径,然而实现连续均匀的多层TMD薄膜制备仍然需要克服特殊的生长动力学问题。在本文中,作者利用多层堆叠(layer-by-layer)及转移工艺,制备出均匀、无缺陷的多层MoS2薄膜。同时,利用无掩膜光刻直写系统(MicroWriter)在其基础上制备场效应晶体管(FET)器件。分别实现1层、2层、3层和4层MoS2 FET的制备,并深入研究不同条件下器件的迁移率变化,Z终发现随着MoS2堆叠层数的增加,电子迁移率随之增加,但电流开关比反而减小。综合迁移率和电流开关变化,2层/3层MoS2 FET是Z 优设计器件。此外,双栅极结构也被证明可以改善对多层MoS2通道的静电控制。 

图4 (a) 多层MoS2结构的制备/转移流程示意;(b) 单层/双层MoS2薄膜的光学形貌;(c) 双层MoS2薄膜的AFM表面形貌结果;(d) 单层/双层MoS2薄膜的拉曼谱结果

图5 (a) 背栅极MoS2 FET阵列制备流程示意;(b) 利用无掩膜激光直写系统(MicroWriter)制备的MoS2 FET器件的表面光学形貌(利用MicroWriter特有的虚拟掩膜对准技术(VMA),可以GX直观地在感兴趣区域实现图形曝光);(c-f) 不同结构的MoS2 FET器件的输出特性及转移特性测量结果

图6 (a) 利用MicroWriter在Si/SiO2晶圆上制备的大范围MoS2 FET器件阵列,其中包含1层和2层MoS2;(b) 相应阵列区域的迁移率和阈值电压分布结果,证明其优异的均一特性

图7 (a) 双栅极MoS2器件的结构原理;(b) 利用无掩膜激光直写系统(MicroWriter)制备的大面积双栅极MoS2器件的形貌结果;(c, d) 2层MoS2双栅极器件的电学测量结果。




相关参考:

1. 小型无掩膜光刻直写系统:http://www.qd-china.com/products2.aspx?id=297
2. High-Performance Wafer-Scale MoS2 Transistors toward Practical Application. Small 2018, 1803465
3. Wafer-scale transferred multilayer MoS2 for high performance field effect transistors. Nanotechnology, 2019, 30,174002


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