(ALD)原子层沉积技术理论资料

本文由 南京伯奢咏怀电子科技有限公司 整理汇编

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  (ALD)原子层沉积技术理论资料[详细]

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  ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。[详细]

  2022-07-28 11:42

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