利用纳米服(NanoSuit)在高真空条件下观察活体有机样品

本文由 捷欧路（北京）科贸有限公司 整理汇编

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• 利用纳米服(NanoSuit)在高真空条件下观察活体有机样品

  利用纳米服(NanoSuit)在高真空条件下观察活体有机样品[详细]

  2015-07-27 00:00

  实验操作

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  高真空条件下的激光诱导白炽光研究[详细]

  2024-09-24 09:57

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• 在高真空领域内测定摩擦力

  在高真空领域内测定摩擦力[详细]

  2011-01-27 00:00

  操作手册

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• 扫描电镜中如何观察含水样品？

  扫描电镜（SEM）用电子束扫描样品表面，收集携带电子束与样品相互作用信息的反射电子。如果样品仓内残留有空气，空气原子与电子束相互作用，部分偏转电子，并在图像上增加噪声。这就是扫描电镜成像前必须达到一定真空度的原因。但是，虽然高的真空对于准确的分析来说是至关重要的，但它也会对某些类型的材料成像产生负面影响，例如含有水分的样品。阅读这篇博客，了解如何在扫描电镜的真空环境中观察对真空敏感的样品，并保持样品结构完整。SEM中的真空度首先，我们来谈谈扫描电镜（SEM）中的真空度。真空度（或压力值）可由操作者控制。对于台式扫描电镜，真空度在1-10帕斯卡之间。用于比较的是：大气压是100000帕斯卡。当压力降到大气压值以下时，所有液体都会发生相变。因此所有扫描电镜（SEM）的内部必须采用不受高真空度影响的特殊材料。有些样品会受到影响，并且它们的行为也会有所不同：Z敏感的是含水样品。有内部孔隙的样品，或者是由含水材料制成的样品，都可能会受到影响，因为它们会在成像过程中释放出气体。任何从样品中释放出的气体都是成像工具的风险，因为它可能会污染镜筒或探测器，损害仪器的功能，或影响图像质量。出于这个原因，飞纳台式扫描电镜（PhenomDesktopSEM）通常配备一个保护程序，当检测到突然或意外增加的压力水平时，会弹出样品。[详细]

  2018-08-22 10:00

  产品样册

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• 电镜在陶瓷类样品观察中的应用浅析（下）

  如何使用扫描电镜获取**的陶瓷类样品图像？飞纳电镜与你一起全方位，多角度分析这个问题。（a）（b）图1同类陶瓷相同电压不同电流的对比(a)10kV电流Low放大倍数500×(b)10kV电流Image放大倍数350×图1显示了同一类样品在相同电压、不同电流模式下的对比图。可以看出，随着电流的增加图像的细腻度增加，信噪比增加，图像质量上升了。这主要是由于相同加速电压下，当增加电子束电流之后，有更多的电子跟样品发生相互作用，电子束在单像素停留时，有更多电子和样品发生相互作用，探头接受了更多的BSD信号；另一方面，图像中单像素范围内电子束与样品的相互作用范围增大，相邻像素的电子束作用范围重合度增加，这样一来单像素的灰度值与邻近像素的灰度值更趋于接近，灰度变化曲线的平滑性更好，给人一种细腻的视觉感受。对应的劣势也很明显，增加电流之后，电子束变粗，分辨率略有下降。[详细]

  2018-08-22 10:00

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• 电镜在陶瓷类样品观察中的应用浅析（上）

  电镜在陶瓷类样品的观察中应用非常广泛，本文首先介绍了扫描电镜在陶瓷样品观察上的常规方法，继而结合笔者多年制样经验，就玻璃相的制样处理方法、电子束穿透深度对图像的影响、能谱分析技术和飞纳电镜拓展软件分别作了阐述。分为上下两部分进行讨论。扫描电镜在陶瓷样品观察上的常规方法（a）（b）图1飞纳电镜照片(a)功能掺杂陶瓷1000×(b)陶瓷片断面2000×图1陶瓷的SEM照片比较常见，那么一般陶瓷类样品用扫描电镜做什么呢？无外乎以下几个方面的研究，显微结构分析：晶体生长机理、台阶、位错、缺陷等的研究；成分非均匀性、壳芯结构、包裹结构的研究；静态或动态微观裂纹或气孔的研究；加热前后晶体合成、气化、聚合反应等研究；微区成分分析。[详细]

  2018-08-22 10:00

  产品样册

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  2020-06-29 15:59

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  2020-06-29 16:01

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  2024-09-27 23:46

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• 利用SPM观察高分子薄膜的层状结构

  利用SPM观察高分子薄膜的层状结构[详细]

  2004-05-14 00:00

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  2016-01-05 00:00

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• 有机颗粒样品扫描电镜分析

  扫描电镜使用技巧Get，有机颗粒样品分析有妙招飞纳台式扫描电镜颗粒统计分析测量系统（PhenomParticleMetric），简称颗粒系统，由荷兰Phenom-World公司发布于2013年11月。颗粒系统通过颗粒与背景衬度的差异对颗粒进行图像识别，在获取SEM图像的同时可以获取所有颗粒的形貌数据，例如直径、等效面积、等效体积、圆度等。并且可以将这些数据进行统计。颗粒探测范围：100nm-0.1mm，颗粒探测速度高达1000颗/分。图1.PhenomParticleMetric配置图在实际操作过程中，颗粒与背景元素差异大的颗粒可以很好的识别，但由于图像识别技术局限性，如颗粒与背景元素差异较小，例如有机颗粒，则软件难以进行有效识别，在这种情况下，我们可以采用喷金的办法人为创造出黑色颗粒边界，从而增加软件识别的准确性。粘在导电胶表面的颗粒与导电胶之间形成空隙区，如图2右上所示，在喷金过程中，此孔隙区无法被金覆盖。喷金完成之后，结构示意图如图3所示。此时在SEM视图下，可以清晰看到颗粒边缘的黑色边界，图4为颗粒在喷金后阴影边界与颗粒识别案例。识别结果证明适当喷金有利于提升颗粒系统识别的准确性。而喷金多少呢？我们通过实践总结规律得出，喷金厚度为颗粒尺寸5~10%范围内，可以有效增强颗粒系统识别的准确性。图2.颗粒样品喷金过程示意图图3.颗粒样品喷金结果示意图图4.喷金后阴影边界与颗粒识别案例在拍照过程中，应注意调节图像的亮度/对比度，如亮度对比度都较低，则容易造成软件识别率下降，如图5所示。因此，[详细]

  2018-08-22 10:00

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• 利用扫描电镜全面了解样品

  样品名称铅电池极片框架样品类型金属，固体是否喷金未喷金设备型号飞纳台式扫描电镜PhenomPure+测试项目扫描电镜：背散射探头模式Topo模式3D粗糙度重建二次电子探头能谱：EDSmapping测试目的表面镀层质量观察[详细]

  2018-08-22 10:00

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  2024-09-16 12:22

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  2012-09-14 00:00

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• 利用扫描电镜观察氢氧化钾蚀刻制备的硅微观结构

  氢氧化钾蚀刻（KOH）是制造微型器件的一个重要工艺，用于从硅片上去除材料。选择性地蚀刻硅片的某些部分，用一层二氧化硅或掩膜来保护剩下的部分。然而，残留物的存在成为这种技术的一个缺点，因为它会对器件的制造过程产生负面影响。在这篇博客中，我们提出了一种利用蚀刻残留物的方法，将其作为后续蚀刻的掩膜，以制造两层微结构。我们还提供了如何有效地利用扫描电镜SEM对这些微结构进行成像的例子。KOH化学硅蚀刻技术蚀刻是微加工中一个非常重要和关键的过程，在此过程中，材料通过蚀刻剂在硅片表面进行化学去除。蚀刻有两种:湿蚀刻，蚀刻剂是液体，和干蚀刻，蚀刻剂是等离子体。干蚀刻是各向异性的，因此在蚀刻材料中形成垂直侧壁，如图1a所示。在另一方面，湿蚀刻剂通常是各向同性，这意味着蚀刻在各个方向都是均匀的，产生圆壁和削弱效果，如图1b所示。KOH是一种液相蚀刻剂，在晶体平面上是各向异性的。因此，它对硅片的晶体取向很敏感，产生梯形截面腔，如图1c所示。KOH蚀刻的主要缺点之一是残留物的沉积，这是由蚀刻剂和被移出材料之间的相互作用所造成的:是这项技术Z薄弱的一点。图1:生成的基体横截面示意图，(a)wan美各向异性的侵蚀，(b)一个完全各向同性的侵蚀，(c)一个湿蚀刻的各向异性腐蚀剂[详细]

  2018-08-22 10:00

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• 应用原子力显微镜对高深宽比样品的观察

  应用原子力显微镜对高深宽比样品的观察[详细]

  2010-01-07 00:00

  应用文章

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  多功能高真空镀膜系统[详细]

  2024-09-10 23:20

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